[参考译文] JFE2140：JFE2140

你好、Steve、  

JFE2140产品页面上提供了可下载的 PSpice 模型和 Tina 模型、网址为：

https://www.ti.com/product/JFE2140#design-tools-simulation

我们提供 Tina SPICE 和 PSpice for TI 作为免费下载、可通过同一链接找到。 便可使用 PSpice 模型。   

此致、  

克里斯·费瑟斯通

谢谢 Chris、我就快到了。 SPICE 模型无法打开、但能够在 Altium 中查看网络列表。看起来 G 和 D 之间有一个二极管、但另外还有三个保护部分 X_U1、X_U2、X_U3 ESD_OUT_JFEx140。 我很感兴趣、因为我需要知道寄生电容。 或者在 D_D1中使用的每种情况下、我是否可以仅使用0.1pF 的 Cj0？ 另外、我看到.MODEL ESD_SW 似乎未连接到 JFET。 我还尝试了 Tina、所有这些都显示了 FET、此时我需要看到寄生二极管等。 Nay Ideas？

你好、Steve、  

我不认为我们有现成的保护二极管寄生电容数据。 我需要一些时间来调查。 由于 JFE2140中的保护二极管相当稳健、因此我假设二极管电容处于低 pF 范围、可能为1...2pF。 在任何情况下、电容还取决于施加的反向电压。  

我们将对此进行进一步研究、以查看是否可以获得更好的答案。  

此致、  

克里斯·费瑟斯通

Steve、您好！  

保护二极管具有大约1 pF 的额外电容。  它们与 JFE150上使用的相同、我们确实测量了添加钳位与不添加钳位时 CISS 的差异。  我不知道您看到的差异是什么原因造成的、能否详细介绍一下您如何在系统中测量？

此致、
迈克

谢谢、我试过这个方法、并将 TI 的 SPICE 模型用于 JFET、但仍然没有解决我的问题。 在 TIA 配置中使用 JF2140、其中器件通过常见的50欧姆电阻器连接到 LTC6228的引脚6至 IN-、引脚2至 IN +、每个引脚上拉300欧姆至+5V。 。 电源连接在一起、并通过510欧姆电阻器馈入-5V。 引脚3连接到+5V、引脚7连接到-5V、引脚4连接到 GND。LTC6228的反馈通过两个串联的6.8K 电阻与两个1.5pF NPO 电容器并联、两个桥臂连接到 JFE2140引脚8。 引脚8也连接到光电二极管140pF 接地。

。 在工作台上、我们可以看到大约22nS 的上升/下降时间、经过10%的过冲后恢复、但仿真仅显示35nS 的上升/下降时间。 为了实现匹配、我们需要将反馈电容器分别降低至0.5pF、或在 JFE2140的每个 FET 上添加大约20pF 的 CGD、因此有 y 个有关电容的问题。 PCB 布局在无接地区域下方有区域、甚至在2140引脚之间有接地保护带。 (计算出的电容可以忽略不计)。

很明显、1.5pF 系列反馈电容器不能小至0.7pF、但对于电路板上的2140杂散、20pF Cgd 也是不可行的、这令人困惑。 希望您可以根据我的描述了解原理图、如果您不愿意、我也可以发送一封电子邮件给您一份副本。

Steve、您好！

很抱歉耽误你的时间。  让我来接收您的电子邮件、这样您就能更容易理解您在这里所拥有的内容。  我会联系朋友请求建立联系。

此致、
迈克

您好、Mike、我的电子邮件是 steve@oainnovations.com。 我的客户已将 JFE2140用作 TIA、在测量输入电容时、我看到数百个 pF 电容、其中 JFE 和几个低电容二极管是唯一能够实现这一功能的器件。 PCB 无需接地层加上数百 pF、因此需要糟糕的布局才能实现。 在 LTSpice 仿真中包含此电容我得到的仿真结果与基准测量值合理匹配,因此我有问题:)