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[参考译文] TLV7042：TLV7042场故障：INA-至 VEE 电阻变化

admin
Guru**** 1649650 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV7042, ESD441
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1323649/tlv7042-tlv7042-field-failures-ina--to-vee-resistance-change

器件型号：TLV7042
主题中讨论的其他器件： ESD441

我有一个使用 TLV7042DDFR 的窗口比较器设计、其中发生了显著的场故障、INA-和 VEE 之间的电阻发生显著变化。   

在从返回的 PCBA 中移除的 TLV7042器件上、在 INA-和 VEE 之间测得的电阻为~1.5k 欧姆(两种测量极性)。

在未使用且良好的 TLV7042器件上、我在 VEE 到 INA-间测得~360k 欧姆、在 INA-到 VEE 间测得"OL"。

这种情况是否从至少360k 欧姆(正常部件)降至~1.5k 欧姆(损坏部件)表示存在任何特定部件应力 条件 (例如过压条件、过流条件、过热条件)的证据？

我的实现与 图8-3中所述的基本相同。 数据表中删除了基于 TLV704x 的窗口比较器。

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    TI__Guru**** 1649650 points
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    另请注意：INB+和 INA-连接在一起(根据图8-3/窗口比较器)、但我仅测量 INA-到 VEE 的电阻变化。  如果提供任何其他线索、INA-优先失败、而不是 INB+。

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    TI__Guru**** 1649650 points
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    您好、Brad、

    很遗憾听到您遇到问题。 输入端具有连接到 VEE 的内部保护二极管。 输入是否会有任何机会变为负值？ 负输入可能会打开这些二极管、它们可能会开始导通并导致损坏。 由于周末,我将在星期一再次回顾。 感谢您的耐心等待。  

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    TI__Guru**** 1649650 points
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    布拉德

    再次感谢您的帖子、很抱歉听到问题。 正如 CHI 所指出的、听起来确实像是可能发生了某种电过应力。 请提供与输入连接的内容的详细信息(预期电压范围)。 同样、请提供原理图。 如果专有、我们可以脱机提供支持。 最后、您是否有 TI 的人员为您的公司提供服务。 如果是、 您也可以让他们参与进来。  
    卡盘

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    TI__Guru**** 1649650 points
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    e2e.ti.com/.../TI_5F00_TLV7042_5F00_e2e.pdf

    感谢您及时查看本文档。  这是原理图快照。  INA-/INB+的输入是 VCC (VCHGR 标称值4.34V)和电池组10k Ω B-3435k 热敏电阻与 GND 之间的分压器的中间节点。  TLV7042的输入不应摆动超过 VCC / VEE 范围。

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    TI__Guru**** 1649650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Brad、

    从原理图的角度来看、我看不出有什么突出的问题。 如您所说、输入不应超过 VCC / VEE 范围。 我唯一担心的是、它看起来像是来自电路板的信号进入电池连接器(因此也可能是 BAT_NTC)、并且该信号可能会引起某种瞬态电压尖峰、从而损坏输入端较低的 ESD 二极管。 通常、我们建议添加输入电阻(因此、将电阻器连接到引脚2和5)、从而在发生这种情况时限制电流。  

    此时、由于我有更多的跟进问题、我认为最好通过电子邮件/电话离线、以便我们能够更好地帮助您解决您的问题。 我很快将离线联系您。 请接受我的友谊申请。  

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    TI__Guru**** 1649650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我可以考虑添加输入电阻、但这意味着电路板旋转。  考虑到 TLV7042内部的特定二极管属性、您能否 建议 可以放置在位置 C11 (从 BAT_NTC 到 GND)的任何 TI 组件、以便比 TLV7042内部的二极管更快/更低的电平抑制瞬态电压尖峰并保护内部二极管？   

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    TI__Guru**** 1649650 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您可以将一个外部二极管与内部二极管并联。 如果它们之间有一个电阻器、以便大部分电流流经外部电阻器、则效果最好。 如果没有电阻器、则必须使用正向电压较低的二极管、即肖特基二极管(泄漏电流较高)。

    如果您还需要针对正电压提供保护、连接到 VCC 的钳位二极管将是最佳选择、但您没有空间。 如果钳位电压足够低(TLV704x 的绝对最大额定值为7V)、TV/ESD 二极管将工作。 没有适用于4.3V 的二极管；您必须使用具有低钳位电压的5.5V 器件、如 ESD441。 (但任何此类器件在另一个方向上都是普通硅二极管、因此它不会像肖特基二极管一样防止出现负尖峰。)

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    TI__Guru**** 1649650 points
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    很棒的建议，就像往常一样。  感谢您的支持。

    布拉德

    感谢您发帖以及您对 TI 的支持。

    正如 Chi 提到的、在原理图中没有什么可以突出显示的。  但是、当我们接收到客户退货并且我们看到来自电路板外或通过连接器的信号时、始终存在超出预期范围的某个电压可能会耦合的问题、这就是您从 CHI 和 Clemens 可以看到的建议。  这些是最佳实践建议、因为我们无法不看到波形来判断是否存在电过应力问题。  我相信 Chi 已经下线了、可能会在需要时提供进一步的支持、因此我将在这篇文章的最后说一下、如果需要、我们将继续下线。

    卡盘