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[参考译文] INA849:INA849 AMP 的最低噪声配置

Guru**** 1133960 points
Other Parts Discussed in Thread: INA849, JFE2140
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1339939/ina849-the-lowest-noise-configuration-with-ina849-amp

器件型号:INA849
主题中讨论的其他器件: JFE2140

您好!

我想知道将低频天线(15mH@5-5K 欧姆)连接到 INA849放大器的正确配置、该放大器需要约200的增益和约400kHz 的带宽、同时更大限度地减少噪声。

谨致问候。

伊塔马尔·沙迈

硬件工程师

 Exodigo。

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    您好 Itamar、  

    在使用天线等电感式传感器时、INA849等双极输入级的电流噪声可能具有挑战性。 最近、我们发布了分立式 JFET 器件、由于 JFET 具有高输入阻抗、与 INA849配合使用时、我能够实现非常低的噪声。 JFE2140是一款双路 JFET 器件、可用于如下所示的源极跟随器配置。  

    我运行了两个仿真、它们附在这篇文章的底部。 我单独比较了 INA849、然后将 INA849的前端替换为 JFET 源跟随器。 下面是噪声比较情况。 使用 JFET 时、噪声降低了80%、从而使 Iq 增加47%。 INA849电路消耗6.71 mA、而 JFET 电路消耗9.88 mA。  

    需要注意的几点。 我保持了足够大的 VDS 电压以保持饱和、但又足够小以保持低栅极电流。 目标是降低电流噪声。 在设计时注意 VDS 电压。  

    JFET 电路的增益带宽如下所示。 天线的感应特性与 JFET 的栅极电容相互作用、并导致增益峰化、从而导致不稳定。 为了减少/消除我添加到栅极串联电阻的峰值、  

    e2e.ti.com/.../2043.INA849-with-JFE-Front-End-With-mic-source-impedance.TSCe2e.ti.com/.../1385.INA849.TSC

    我希望这些信息对您的设计有所帮助。 请告诉我是否可以提供进一步的帮助。  

    此致、  

    克里斯·费瑟斯通

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    感谢您的详细回答。

    我有一些问题。

      我没有得到相同的噪声图(我在 TINA 中使用了您的仿真)。

      2.串联到天线的 R3和 R7 (30k Ω)可以改变 Q 系数? (这对我来说不好)。

      3.电源电压为±9V。

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    您好 Itamar、  

      1.我没有得到相同的噪声图(我在 TINA 中使用了您的仿真)

    您是如何运行噪声仿真的? 我将此作为输入参考噪声运行、并更改轴以记录。  

    2. 串联到天线的 R3和 R7 (30k Ω)可以更改 Q 系数? (对我来说不好)。

    Q 系数会改变 L、R、C、这在连接到前置放大器时是无法避免的。 任何前置放大器都具有输入电阻、您可以在设计中对其进行优化以满足您的要求。  可根据您的设计需求调整输入电阻器。 JFET 将具有输入电容。 天线的电感非常高、将在不进行补偿的情况下导致电路不稳定。 如果没有 JFET、则由于天线的极高源阻抗性质和双极输入级的高电流噪声、噪声会受到影响。   

     3.电源为±9V。[/报价]

    此电路可被调整为9V 操作。 可调节 R1、R11、R2和 R12以重新偏置 JFET。  

    此致、  

    克里斯·费瑟斯通

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    谢谢!