[参考译文] TRF1305B2：在器件引脚上或在 EVB 上获取的 S 参数数据？

Kyle

是的、TI.com 上可下载的 s 参数包括外部输入电阻网络、并在1kΩ Rin_sh 前被解嵌入。 由于网络非常接近输入、如果您计划根据您的特定用例调整 EVM 设计、那么 Rin_sh 后的元件/设计对性能的影响应该最小。

您对 s 参数的要求是否没有外部输入电阻器、以便您可以更改这些组件和/或 PCB 设计？

我相信您会认识到增益将有一个不同的值、但我期望的另一个挑战是、由于外部输入网络将如何与器件的内部输入网络进行交互、在较高频率下的交流性能可能也会受到影响。

Keyur

尊敬的 Keyur：

我想对一个类似于数据表中图8-6所示电路的模型进行建模、但 s 参数数据中嵌入的电阻器会造成困难。 最好在不使用任何外部元件的情况下获得器件的 s 参数、这样使用器件的任何电路都可以进行仿真。

啊、Kyle 说。

您的配置将是单端到差分(S2D)、对吗？

如图6-25所示、我们在 S2D 配置中具有 s 参数、且这些参数在器件焊盘上进行了去嵌入。 此配置的 S3P 或 s2p 文件是否有用？ 我们确实计划在网上提供该文件、我将检查我们是否已经拥有该文件。

我们还正在发布用于 S2D 配置的 EVM。

Keyur

尊敬的 Keyur：

是的、应为 S2D。 图6-25很有用、但 S3P 文件可让我 了解与射频链中其他器件的回波损耗相互作用。

解嵌入器件焊盘中的 s4p 文件甚至更好、这样一来、在仿真中可以使用任何阻抗端接其中一个输入端口、而可以单端驱动另一个输入端口。

15dB 增益型号的更新吗？ 我也对该部件的数据感兴趣。