[参考译文] TL074H：ESD 二极管

因此、正如我在图中所示、有四个 ESD 二极管。 吸收装置如何？ 它是否集成在 TL074H 中？ 是电视吗？

Brian、

我可以说、在 V+< V-电压时、TL074H 的作用类似于二极管。 在 ICT 期间、请勿在任何情况下尝试开启任何运算放大器中的吸收器件。 这是一个非常糟糕的主意。  

谢谢 Ron。

客户想了解 TL074I 和 TL074H 的内部二极管拓扑。 两者是否具有相同的 ESD 二极管结构？  

由于客户发现3个器件 TL074IDR 在使用 ICT 测试的制造过程中出现故障(42C0PCK => NG、37A5EJM =>通过)。

ESD 二极管完全相同、设计为 DIFF。 制造厂为何如此？

关于 ICT 测试、Delta 使用在 PIN2至 PIN1以及 PIN6至 PIN1之间测量的 ICT 探针。 此探头位置是否正常？

还是使用引脚1连接引脚11、引脚2连接引脚11？ 客户希望了解哪些参数或因素可能对 ICT 测试产生影响？

此致

Brian

绝对最大额定值表明、采用 NS 或 PS 封装的器件没有到 V+的钳位二极管。 但据我所见、您使用的是 D 封装。

PCN# 20221219006.1为 TL074引入了一个新芯片(类似于 TL074H 芯片)。 保证的数据表限值未更改。  您具体测量的是什么？故障阈值是多少？

谢谢克莱门斯。

关于 ICT 测试、Delta 正在使用在 PIN2至 PIN1以及 PIN6至 PIN1之间进行的 ICT 探测、以检查制造过程中 PCB 上的焊接/元件是否正确放置。

然而、在使用 RFB 制成的芯片(CSO Richardson、US)的 ICT 站中发现了三个 TL074I 单元故障。 他们没有发现任何失败的死她(谢尔曼,美国)。 那么我们是否怀疑新器件是否更弱？

- TL074I 芯片是否采用与 RFB 相同的工艺和相同的电路设计?

-在数据表中,当我们查看版本时,数据表之间的流程和设计是更改的 V 和 Rev. 新工艺是由 CMOS 产生的、旧工艺是双极的、对吗？  

-你能告诉我确切的信息。 您需要澄清此问题吗？ 非常感谢。  

在此应用中、下面的 TL074IDR 用于电压感测。 您能否检查一下它是否正常？ 该电路在电机驱动应用中已使用了很长时间。 我认为这应该是可以的。

请提供有关此支持的帮助、因为这是制造商网站上的一个紧急问题。

此致

Brian

SHE 和 RFB 的死是非常不同的。 旧芯片采用 JFET 输入、新芯片是纯 CMOS 器件。

"ICT 探测"并没有告诉我任何信息。 需要测量电阻吗？ 预期值和实际值是多少？ (引脚1和2之间有一个电阻器、那么这与运算放大器有什么关系？) 在此测试过程中、运算放大器是否通电？

我希望信通技术将电流限制在安全值。 但我不知道在这种情况下"故障"是什么意思；器件是否实际损坏？

我不明白为什么在输入和输出引脚之间要进行测试。 部分电流将流过反馈电阻、这些引脚之间没有直接的内部连接。 如果您要检查 ESD 钳位二极管、请在任何 I/O 引脚和任何电源引脚(4或11)之间进行测试。

dongjie wang 说：

客户想了解 TL074I 和 TL074H

较旧的 TL074I 就像这样；"PAR"是寄生二极管   

TL074H 类似这样；"ESD"是 ESD 单元"代码"。  新款 TL074I 也可能是这样。