Other Parts Discussed in Thread: JFE2140
工具与软件：
您好！
我计划使用 JFE2140作为20dB 增益放大器、来驱动高达80kHz 的传感器。 下面是 LTspice 中我的仿真模型。
我使用 JFE2140 PSpice 模型
我从模型中看到的结果与测量结果的行为不同。 仿真中的大多数电阻器是0.1%薄膜电阻器。 我在测量中获得了大约20dB 的增益、但它似乎有波动。
您可以检查一下吗？
e2e.ti.com/.../01-Preamp.zip
您好 Andri、
我们无法支持 LT SPICE 仿真。 因此、我已重新创建 Tina TI 内部的电路、可从此处免费下载该电路：
https://www.ti.com/tool/TINA-TI
您可以在该帖子的底部找到我的仿真。
从直流偏置来看、IDS 电流似乎相当低。 我还看到增益为11.92dB、或者大约4V/V
增益是跨导 gm 参数的函数。
ADB = 20*log(GM*Rd)。
因此、利用仿真增益、我们可以反算 gm。
或大约3.5ms、这大致与下图一致。
为了验证此理论计算、我们可以按如下所示仿真 gm 并计算线性 gm 值。 我的 GM 仿真也可以在这篇文章的底部找到。
计算线性 GM 值大约得到3.6mS、这与之前的两种分析方法一致。
您能否根据这些信息检查您的直流偏置点以查看我们是否对齐？
e2e.ti.com/.../JFE2140-gm-simulation.TSCe2e.ti.com/.../6835.JFE2140.TSC
此致、
Chris Featherstone
Chris、您好！
感谢您的及时响应。
如果说我增加 ID 比获得更好的增益要公平吗？
下面是我对仿真的更新。 在您看来、增加这个电路增益、同时保持其稳定性的最佳方法是什么？
我还不熟悉 TINA TI、我无法在您的第二个仿真文件中再现 GM 图。 
你好 Andri ,
是的、增大 IDS 电流将会增加增益。 我已经进行了仿真、并添加了有关如何运行 GM 仿真的说明如下。 有了新的 IDS 电流、GM 现在约为10.28mS。
请注意、您的 VDS 电压处于良好的1.74V 工作点。 如果将 VDS 修改得太高、您将增大栅极电流。 我只是指出这一点、所以将来调整这些值时、要注意 VDS。
GM 参数在整个过程中可能会有30%的变化。 如果您需要在整个过程中使用闭环可预测增益解决方案、并且不能容忍在整个过程中出现30%的变化、我在下面针对此类可能性编写了应用手册。
对于一个全差动闭环解决方案、我将在这里运行另外一个也具有这些可能性的线程。
我希望这些信息对您有所帮助。
此致、
Chris Featherstone
