[参考译文] LP-AM261：使用 memcpy 从外部闪存读取的示例

尊敬的 Dheeraj：

感谢您的提问。


您能告诉我们使用的是哪个闪存器件型号吗？ 为了快速入门、我们在 mcu_plus_sdk_am261x_10_00_01_10中使用 ospi_flash_io 示例

路径：C：\ti\mcu_plus_sdk_am261x_10_00_01_10\examples\drivers\ospi\ospi_flash_io



谢谢、此致、
Rijohn

大家好、我使用板载闪存、即 IS25WX064

AM261的 Flashio 示例不使用 memcpy 直接读取闪存内容。  
ospi_flash_io.c

请查看以下示例。 我正在尝试使用 memcpy 来读取闪存。 它进入中止处理程序。  我还定义了区域。  

在我的应用程序中,我需要使用 memcpy 来读取闪存,我正在闪存 IO 示例中尝试此操作。 我对 FLASH Read 语句进行了注释、并尝试使用 memcpy 读取。  

ospi_flash_io.c

尊敬的 Dheeraj：

对于延迟、我们深表歉意。

抱歉、我给出了 am263px MCU_PLUS_SDK 路径、而不是 AM261x 路径

正确的路径： C：\ti\mcu_plus_sdk_am261x_10_00_01_10\examples\drivers\ospi\ospi_flash_io

此外、
请在此路径 C：\ti\mcu_plus_sdk_am261x_10_00_01_10\source\sysconfig\board\.meta\flash 中添加以下附加的 SysConfig 文件
e2e.ti.com/.../IS25WX064.json

另外、在 flash_am261x.syscfg 文件中、请确保  defaultFlashConfigLP 和  getDefaultFlashName else 部分将 IS25WX064闪存作为输入。

 


完成这些步骤后、导入 ospi_flash_io 示例、并验证在 ospi_flash_io 示例中查看 example.sysconfig 文件中的默认值。



此致、
Rijohn

删除工程并重新导入后、闪存名称不变、但器件 ID 改变




以下是在 json 中进行的更改  

我将闪存名称手动更改为 IS25WX064并构建了工程。 生成的代码如下。  

/*
 * FLASH
 */
/* FLASH Object - initialized during Flash_open() */
Flash_NorOspiObject gFlashObject_IS25WX064;

/* FLASH Driver handles - opened during Board_flashOpen() */
Flash_Handle gFlashHandle[CONFIG_FLASH_NUM_INSTANCES];

/* FLASH Attrs */
Flash_Attrs gFlashAttrs_IS25WX064 =
{
    .flashName = "IS25WX064",
    .deviceId = 0x5B17,
    .manufacturerId = 0x9D,
    .flashSize = 8388608,
    .blockCount = 64,
    .blockSize = 131072,
    .pageCount = 512,
    .pageSize = 256,
    .sectorCount = 2048,
    .sectorSize = 4096,
    .phyTuningOffset = 8388608/2,
};

/* FLASH DevConfig */
Flash_DevConfig gFlashDevCfg_IS25WX064 =
{
    .cmdExtType = OSPI_CMD_EXT_TYPE_REPEAT,
    .enable4BAddr = TRUE,
    .addrByteSupport = 1,
    .fourByteAddrEnSeq = 0,
    .cmdWren = 0x06,
    .cmdRdsr = 0x05,
    .srWip = (1 << 0),
    .srWel = (1 << 1),
    .xspiWipRdCmd = 0x05,
    .xspiWipReg = 0x00000000,
    .xspiWipBit = (1 << 0),
    .resetType = 0x30,
    .eraseCfg = {
        .blockSize = 131072,
        .sectorSize = 4096,
        .cmdBlockErase3B = 0xD8,
        .cmdBlockErase4B = 0xDC,
        .cmdSectorErase3B = 0x20,
        .cmdSectorErase4B = 0x21,
        .cmdChipErase = 0xC7,
    },
    .idCfg = {
        .cmd = 0x9F, /* Constant */
        .numBytes = 3,
        .dummy4 = 0,
        .dummy8 = 8,
        .addrSize = 0
    },
    .protocolCfg = {
        .protocol = FLASH_CFG_PROTO_8D_8D_8D,
        .isDtr = TRUE,
        .cmdRd = 0x7C,
        .cmdWr = 0x84,
        .modeClksCmd = 0,
        .modeClksRd = 0,
        .dummyClksCmd = 16,
        .dummyClksRd = 16,
        .enableType = 0,
        .enableSeq = 0x00,
        .protoCfg = {
            .isAddrReg = TRUE,
            .cmdRegRd = 0x85,
            .cmdRegWr = 0x81,
            .cfgReg = 0,
            .shift = 0,
            .mask = 0xff,
            .cfgRegBitP = 231,
        },
        .strDtrCfg = {
            .isAddrReg = TRUE,
            .cmdRegRd = 0x85,
            .cmdRegWr = 0x81,
            .cfgReg = 0x00000000,
            .shift = 255,
            .mask = 255,
            .cfgRegBitP = 0,
        },
        .dummyCfg = {
            .isAddrReg = TRUE,
            .cmdRegRd = 0x85,
            .cmdRegWr = 0x81,
            .cfgReg = 1,
            .shift = 0,
            .mask = 0xFF,
            .cfgRegBitP = 16,
        },
    },
    .flashWriteTimeout = 120,
    .flashBusyTimeout = 72000000,
};

/* FLASH Config */
Flash_Config gFlashConfig[CONFIG_FLASH_NUM_INSTANCES] =
{
    {
        .attrs = &gFlashAttrs_IS25WX064,
        .fxns = &gFlashNorOspiFxns,
        .skipHwInit = FALSE,
        .devConfig = &gFlashDevCfg_IS25WX064,
        .object = (void *)&gFlashObject_IS25WX064,
        .rwOffset = 0,
    },
};

在示例项目(闪存 IO)中进行下述更改并运行代码时、我仍将进入 abort 处理程序。  

尊敬的 Dheeraj：

感谢您的答复。

您能解释一下为什么给我注释掉了吗？
您是否可以尝试取消注释并运行它？

此致、
Rijohn

您好！

我之所以这么做、是因为在我的应用程序中、我需要使用 memcpy 来读取闪存。