Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357
工具/软件：
尊敬的 TI 团队
我下载了5758.FAPI_TEST_LC4357.zip 例程、该例程仅执行写入操作(验证正确)、然后我尝试调用 Fapi_doMarginRead 函数、该函数报告了错误：
错误#10234-D：未解析的符号保留。
我也在 F021闪存 API 版本2.01.01参考指南中看到了这个函数的描述,但为什么没有实现这个函数,那么我想读操作,我该怎么做,请帮助确认,谢谢!
您好、Sam、
您可以尝试以下 API 进行一次读取：
"Fapi_doMarginReadByByByByte"
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此致、
Jagadish。
您好、Sam、
首先、我对延迟的响应表示歉意、最近我收到了很多客户对这些设备的疑问、因此需要时间来回复所有问题。
我使用"Fapi_doMarginReadByByByByByByte"API 执行了工程、您可以看到接收缓冲区 已使用我们写入存储器的相同数据进行更新。
我将附加我的已测试工程以供您参考：
e2e.ti.com/.../2112.FAPI_5F00_TEST_5F00_LC4357.zip
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此致、
Jagadish。
您好、Sam、
最后、我在今天进行了大量调试后这样做：
现在工作正常、我可以写入组0。
以下是工作项目：
e2e.ti.com/.../TMS_5F00_52_5F00_FLASH_5F00_API_5F00_TEST.zip
问题发生在这里：
在这两种情况下(即闪存擦除和编程)：
我们 在 RAM 中执行 Fapi_issueAsyncCommandWithAddress 和 Fapi_issueProgrammingCommand 函数、这没有问题、但闪存中仍然存在其相应的状态验证。
即：
while ( FAPI_CHECK_FSM_ready_busy == Fapi_Status_Fsm );
while (FAPI_GET_FSM_STATUS！= Fapi_Status_Success)；
上述两行仍在闪存中执行、这会产生问题、因为在对其中一个闪存存储体启动擦除或写入操作命令后、在发出命令操作完成之前、我们不应在同一闪存存储体中执行任何代码。 如果我们在完成将创建异常的操作之前访问同一个闪存存储体。
在您的情况下也会发生同样的情况。 因此、这里的解决方案是操作擦除和编程的状态检查指令也应发生在 RAM 而不是闪存中。
为了执行上述解决方案、我执行了以下操作：
我创建了两个 API 用于擦除和编程、包括其状态验证、如下所示。
我在 RAM 中而不是闪存中执行了这些 API：
实施上述解决方案后、问题得以解决。
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此致、
Jagadish。
你好 Gundavarapu
首先,非常感谢你的答复,这是很棒的回答这么清楚。 但我还有两个小问题。
1.在以下步骤中将常量变量放置在 RAM 中的目的是什么?
2. hl_sys_link.cmd 文件中是否有对语法的具体介绍？ 我想学习它。
您好、Sam、
1. 在以下步骤中将常量变量放置在 RAM 中的目的是什么？
实际上、我在其中一个 TI CAN 引导加载程序 示例代码中看到了。 常量部分也复制到 RAM 中、如下所示。
最初、我怀疑这可能会导致问题、因此实施了此更改。 您可以删除它并重试一次。
2. hl_sys_link.cmd 文件中是否有对语法的具体介绍？ 我想学习它。
请参阅以上链接、它们会有所帮助。
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此致、
Jagadish。
