[参考译文] MSPM0G3519：DATA 存储体中的 EEPROM 仿真

感谢您的帮助现金豪、关于高耐久性领域、我找不到关于它在 TRM 中如何工作的说明、如果需要使用超过32个扇区、那么耐用性将会很高 、我发现此文档 www.ti.com/.../mspm0-flash-module-presentation.pdf 说"擦除/编程周期耐久性(下部32kB 闪存)是100k 个周期用于 EEPROM 仿真应用程序擦除/编程周期耐久性(剩余闪存)是10k 个周期"

我将 eeprom_emulation_address 设置为 FLASHCTL_DATA_ADDRESS (0x41d00000)、代码卡滞  

void Default_Handler(void)
{
    /* Enter an infinite loop. */
    while (1) {
    }
}

通过调试、我可以看到行中发生了这种情况  

Temp0 = *CheckGroupPointer;

来自 EEPROM_TypeB_checkFormat()

嗨、我尝试了 b 型的两个示例、结果相同、然后我将仿真地址更改为0x41d00078、开始正常工作、我设置了0x41d00000、但它仍在工作、我不知道发生了什么情况、在我之前测试 DL 时、可能会超过每个字线允许的最大写入操作数、读取操作可能会受到影响？