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器件型号：MSPM0G3507主题：SysConfig 中讨论的其他器件
工具/软件：
尊敬的专家：
我需要使用 闪存中的一些存储空间 (~126KB 至 127KB (1KB)) 来存储数据（校准值，客户数据等）。 不过、我仍无法配置它。 请帮我解决这个问题。
感谢你的帮助。
工具/软件：
尊敬的专家：
我需要使用 闪存中的一些存储空间 (~126KB 至 127KB (1KB)) 来存储数据（校准值，客户数据等）。 不过、我仍无法配置它。 请帮我解决这个问题。
感谢你的帮助。
是的。 我做到了。 现在我不知道我的 driver_linker.cmd 是否正确？ 我与原始闪存分开了 1KB。 不过、我仍处于测试阶段。 我需要将一些数据写入 FLASH2 中所需的地址。 然后、我需要确保在更改代码时数据必须可用。 我的意思是、这些数据应该是永久性的、直到我将其擦除。
-uinterruptVectors
--stack_size=512
MEMORY
{
FLASH (RX) : origin = 0x00000000, length = 0x0001FC00 /* 127KB for app */
FLASH2 (RX) : origin = 0x0001FC00, length = 0x00000400 /* 1KB for BSL */
SRAM (RWX) : origin = 0x20000000, length = 0x00001000
BCR_CONFIG (R) : origin = 0x41C00000, length = 0x00000080
BSL_CONFIG (R) : origin = 0x41C00100, length = 0x00000080
}
SECTIONS
{
.intvecs : > 0x00000000
.text : palign(8) {} > FLASH
.const : palign(8) {} > FLASH
.cinit : palign(8) {} > FLASH
.pinit : palign(8) {} > FLASH
.rodata : palign(8) {} > FLASH
.ARM.exidx : palign(8) {} > FLASH
.init_array : palign(8) {} > FLASH
.binit : palign(8) {} > FLASH
.TI.ramfunc : load = FLASH, palign(8), run=SRAM, table(BINIT)
.user_data : {} > FLASH2
.vtable : > SRAM
.args : > SRAM
.data : > SRAM
.bss : > SRAM
.sysmem : > SRAM
.stack : > SRAM (HIGH)
.BCRConfig : {} > BCR_CONFIG
.BSLConfig : {} > BSL_CONFIG
}
首先、取消选择 diver_linker.cmd 生成选项并编辑.cmd 文件。 之后、我重新选择该选项。 则 drivers_linker.cmd 保留下来。
这是.c 代码。
#include "ti_msp_dl_config.h"
// Define 4 sector-aligned flash addresses (must match flash sector boundaries, e.g. 1KB-aligned)
#define USER_FLASH_BASE_1 0x0001F000
#define USER_FLASH_BASE_2 0x0001F400
#define USER_FLASH_BASE_3 0x0001F800
#define USER_FLASH_BASE_4 0x0001FC00
// Data blocks to write (2 x 32-bit = 64-bit each block)
uint32_t userData[4][2] = {
{0xAAAA1111, 0xBBBB2222}, // Data for address 1
{0xCCCC3333, 0xDDDD4444}, // Data for address 2
{0xEEEE5555, 0xFFFF6666}, // Data for address 3
{0x12345678, 0x9ABCDEF0} // Data for address 4
};
// Corresponding flash addresses for each data block
uint32_t flashAddresses[4] = {
USER_FLASH_BASE_1,
USER_FLASH_BASE_2,
USER_FLASH_BASE_3,
USER_FLASH_BASE_4
};
// Flash write function for each 64-bit data block
void write_flash_block(uint32_t address, uint32_t *data)
{
// Unprotect sector
DL_FlashCTL_unprotectSector(FLASHCTL, address, DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN);
// Erase sector before writing
DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS status;
status = DL_FlashCTL_eraseMemoryFromRAM(FLASHCTL, address, DL_FLASHCTL_COMMAND_SIZE_SECTOR);
if (status != DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_PASSED) {
while (1); // Erase failed
}
// Program 64-bit (2 x 32-bit) word with ECC auto-generated
status = DL_FlashCTL_programMemoryBlockingFromRAM64WithECCGenerated(
FLASHCTL,
address,
data,
2,
DL_FLASHCTL_REGION_SELECT_MAIN
);
if (status != DL_FLASHCTL_COMMAND_STATUS_PASSED) {
while (1); // Write failed
}
}
int main(void)
{
SYSCFG_DL_init();
// Write each data block to corresponding flash sector
for (int i = 0; i < 4; i++) {
write_flash_block(flashAddresses[i], userData[i]);
}
// Toggle LED to show success
while (1) {
DL_GPIO_togglePins(GPIO_LEDS_PORT, GPIO_LEDS_USER_LED_1_PIN);
delay_cycles(16000000);
}
}
然后通过调试检查地址、 
有数据值存在、但当我刷写新代码时、这些值不再存在。 全部擦除。
我错了吗？ 您能帮我按正确的方式操作吗？
最后、我需要在闪存上永久保存一些配置。 不过、我还是在进行地面测试。
非常感谢您的帮助。
谢谢你。