[参考译文] MSPM0G1507：如何为用于生产目的的 MSPM0G1507 固件映像 (Main+NONMAIN) 构建可靠的刷写脚本

感谢您  发送编修。

我花了一些时间使用命令行实用程序 DSLite。  我能够执行刷写、但无法找到用于批量擦除或恢复出厂设置的独立命令。

1 — 如何使用 DSLite 命令实用程序执行批量擦除和恢复出厂设置？

仅对于批量擦除、我只尝试了以下命令、但失败了、等待目标停止的超时时间、尽管我在命令中指示了系统复位。 请检查以下日志：

PS C：\ti\uniflash_9.1.0\deskdb\content\TICloudAgent\win\ccs_base\common\targetdb>..\..\..\DebugServer\bin\DSLite.exe flash -c .\MSPM0G3507.ccxml -r 1 -b MassErase -e
DSLite 版本 20.1.0.3671
配置调试器（首次启动时可能需要几分钟）...
正在初始化注册数据库...
正在初始化：CS_DAP_0
执行启动脚本：CS_DAP_0
正在初始化：Cortex-M0P
执行启动脚本：Cortex-M0P
正在初始化：sec_ap
执行启动脚本：sec_AP
正在连接...
CORTEX_M0P：GEL 输出：存储器映射初始化完成
失败：等待目标停止超时

2-其次、您能否按照您发布的顺序 (main、然后 NONMAIN) 确认以下命令可靠地执行刷写步骤？

我能否坚持使用这条简单的命令、而不是拆分为两条命令或将十六进制文件拆分为两个文件（对于 main 和 NONMAIN）？

这是用于刷写 MAIN 和 NONMAIN 的命令：

PS C：\ti\uniflash_9.1.0\deskdb\content\TICloudAgent\win\ccs_base\common\targetdb>..\..\..\DebugServer\bin\DSLite.exe flash -c .\MSPM0G3507.ccxml -s FlashEraseSelection=“Erase main 和 NONMAIN memory（请参阅上面的警告）“-e -f -v .\GFZProduction-Alligator.hex

DSLite 版本 20.1.0.3671
配置调试器（首次启动时可能需要几分钟）...
正在初始化注册数据库...
正在初始化：CS_DAP_0
执行启动脚本：CS_DAP_0
正在初始化：Cortex-M0P
执行启动脚本：Cortex-M0P
正在初始化：sec_ap
执行启动脚本：sec_AP
正在连接...
CORTEX_M0P：GEL 输出：存储器映射初始化完成
加载程序：.\GFZ18V-AlligatorProduction.hex
正在准备...
0x0 处为 65976 的 0
65976 的 32752 在 0x0 时：49%
65976 的 65504（0x0 时）：99%
0x41c00000 处 96 的 0 of 96：99%
0 of 88 位于 0x41c00100：99%
已完成：99%
将 PC 设置为入口点。：99%
验证程序：.\GFZ18V-AlligatorProduction.hex
正在准备...
0x0 处为 65976 的 0
65976 的 32752 在 0x0 时：49%
65976 的 65504（0x0 时）：99%
0x41c00000 处 96 的 0 of 96：99%
0 of 88 位于 0x41c00100：99%
已完成：99%
INFO：CORTEX_M0P：.\GFZ18V-AlligatorProduction.hex 的程序验证成功
成功

您好、

1-如何使用 DSLite 命令实用程序执行批量擦除和恢复出厂设置？

用户应该在 GEL 文件中添加特殊行为以定义恢复出厂设置或批量擦除。 以下 E2E 可供您参考：

2-其次、您能否确认以下命令按照您发布的顺序 (main 然后是 NONMAIN) 可靠地执行刷写步骤？

不可以、它会擦除 MAIN 和 NONMAIN、但首先对 MAIN 进行编程。

B.R.

Sal

嗨、 Sal Ye 

“您应该在 GEL 文件中添加特殊行为以定义恢复出厂设置或批量擦除。 以下 E2E 论坛可供您参考：“

E2E 的参考文献位于哪里？ 您错过了该链接吗？

“不可以、它会擦除 MAIN 和 NONMAIN、但首先对 MAIN 进行编程。“

为什么这不可靠？ 它会擦除这两个段、并且首先刷写主段、以遵循您之前提到的顺序：

擦除 MAIN — 编程 MAIN — 擦除 NONMAIN — 对 NONMAIN 编程。

您好、

对不起,我忘记了链接:

 【常见问题解答】UNIFLASH：如何将 UniFlash 命令行接口与 MSPM0 器件配合使用（加载映像和读取存储器） 

为什么这不可靠？ 它会擦除两个部分、并首先闪烁主部分、以遵循您之前提到的顺序：

您分享的流程是：擦除 MAIN — 擦除 NONMAIN — 编程 主要 -程序 NONMAIN

程序顺序不遵循建议的顺序。

B.R.

Sal

但是、以下情况通常被视为不良做法、因为我一直在 GUI 中使用该做法而不会出现问题？

擦除 MAIN — 擦除 NONMAIN — 编程  主要  -程序  NONMAIN

您好、

这种顺序并不意味着错误。 这会增加事件发生的风险并导致 NONMAIN 为空。

由于程序 main 需要很多时间、如果在 main 编程期间编程失败、则 NONMAIN 为空。

擦除 NONMAIN 后立即对 NONMAIN 编程有助于降低风险。

B.R.

Sal

感谢 Sal Ye 的 及时答复。

最后一个问题是、 TIMSPM0G1507 闪存中是否有任何部分可以用于存储自定义用户数据（非主引导配置不适用于该特定部分）？

更多详细信息：如果我禁用了应用调试访问、并同时使用非主配置对 MAIN 存储器扇区（mspm0g1507 为 128 个扇区）进行了写保护。 闪存中是否有单独的部分可以存储始终可以读取和写入但未应用引导配置的用户数据？

您好、

很遗憾、没有

我的建议是、您可以保留 MAIN 128 个闪存扇区中的 1 个闪存扇区（或 8 个闪存扇区）不受 NONMAIN 保护。

此外、我们有 MSPM0G1518/1519、它具有 16kB 数据闪存组、不受 NONMAIN 控制。

B.R.

Sal

嗨、 Sal Ye 

感谢您的回答。

这对我们很有帮助！

是的、我可以使 1 个闪存扇区不受保护、不对自定义用户数据进行写入。 此外、除了将受写保护的 NONMAIN 外、我还需要对所有其他 MAIN 扇区进行写保护。

但还有一个额外的要求、我也能够重新刷写 MAIN 存储器（用户数据扇区除外）。 在我的当前设置中、可以使用启用的恢复出厂设置来完成此操作、但恢复出厂设置会擦除整个主闪存。 现在、我无法满足持久性用户数据的新要求、在执行 Re 刷写时不应擦除这些数据。

你有一个想法,我可以放弃什么来实现持久的用户数据扇区,同时保持系统的安全?

假设我有以下引导配置来满足我的读写保护要求：

您好、

如果恢复出厂设置、则无法保留闪存或非主闪存数据。

因此、用户应在恢复出厂设置之前读回用户数据扇区。 以下是一些想法：

1.使用密码启用应用程序调试、以便用户可以读回保留的闪存数据。 ->由于 MAIN 和 NONMAIN 受静态保护、因此可以使用密码读回代码区域、但除非恢复出厂设置、否则不能覆盖。

2.启用 BSL 回读功能,使用带密码的 BSL 读取保留的闪存数据,然后执行恢复出厂设置。

3.用户在 MCU 中有其他通信接口,指定一些命令读回保留的闪存,然后执行恢复出厂设置。

B.R.

Sal