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[参考译文] MSPM0L1227-Q1:在 BANK0 上执行应用期间、当访问 BANK1 时、会发生 FLASHDED 错误。

Guru**** 2777545 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1614861/mspm0l1227-q1-flashded-error-happens-when-we-access-to-bank1-during-executing-the-application-on-bank0

器件型号: MSPM0L1227-Q1

尊敬的专家:

在 BANK0 上运行应用期间、当访问 BANK1 时、我们面临 FLASHDED 错误。

现在、我们将在在 BANK0 上运行应用期间实现 BANK1 的备用功能。 但会发生 FLASHDED 错误。 但相比之下、在 BANK1 上执行应用程序期间访问 BANK0 时、我们没有缓解 FLASHDED 错误。

您能向我们提供以下建议吗?

#1 您能告诉我发生 FLASHDED 的条件吗?

#2 如何避免 FLASHDED 问题。

#3 如何处理刷写错误发生时的问题。

 

此致、

ITO

(0dc17b28-d231-48ef-82c0-ae165166f3d4)

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ito、

    闪存之前是否已擦除?  您是否在写入空白闪存组?

    有一个 DEDERRADDR 寄存器应捕获检测到 FLASHDED 的地址。  您能否检查哪个地址提供了 FLASHDED?


    谢谢、

    JD

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    尊敬的 JD:

    非常感谢您的支持。

    根据您的建议、我们解决了这个问题。 似乎存在未擦除的区域。 设计得当、误差得到了解决。 非常感谢您的支持。  

    此致、

    ITO