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[参考译文] AM2634-Q1:具有内部闪存的 ZCZ_F 封装、无法访问闪存

Guru**** 2895520 points

Other Parts Discussed in Thread: AM263P4, UNIFLASH

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1643635/am2634-q1-zcz_f-package-with-internal-flash-flash-is-not-accesible

器件型号: AM2634-Q1
主题中讨论的其他器件: AM263P4UNIFLASH

AM263P4 提供了正确的 V1.2v 和 V3.3。

R2 PORz 上拉

C3 WARMRSTn 被拉高

J3 OSPI0_ZCZ_F_RESET_OUT0 被拉至低电平

L1 OSPI0_ZCZ_F_WP 拉至高电平

以下所有步骤均在 AM263P4-SIP 控制卡和我们的定制硬件上进行了测试

  1. 在 JTAG 模式下使用 Uniflash 对内部闪存进行编程、在定制硬件上失败
  2. 在串行模式下使用 Uniflash 对内部闪存进行编程、定制硬件失败
  3. 使用代码编写器将简单应用加载到 RAM 中的定制硬件、按预期运行。
  4. 修改了 SDK OSPI 闪存诊断示例、以提供有关闪存的更多详细信息。
  5. 已在控制卡上运行诊断工具、报告预期的闪存信息  
  6. 在自定义硬件上运行 Diag 工具、从闪存读取的状态寄存器为 0xff。

此时、我们已经完成了可以验证或测试的清单。  AM263P4 能够运行代码这一事实使我们对器件正确连接有了信心。

我们缺失了什么内容、或者我们应该尝试让闪存在定制硬件上正常工作?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Jeffrey、

    对响应延迟深表歉意!

    [报价 userid=“616362“ url=“~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1643635/am2634-q1-zcz_f-package-with-internal-flash-flash-is-not-accesible ]J3 OSPI0_ZCZ_F_RESET_OUT0 拉至低电平

    J3 不应拉至低电平。 (这是 SIP 闪存的复位线路。)

    在 AM263P-SIP 器件中、J3 引脚 (RESET_OUT0) 是来自 AM263P4 的输出、用于驱动闪存复位线路。 这是一个低电平有效信号 — 意味着将其拉至低电平=将闪存置于复位状态(禁用,无响应)。 从外部将其拉至低电平会强制闪存进入永久复位状态、这会解释 0xFF 状态寄存器读取(闪存无响应)。

    • ZCZ_F 封装提供内部连接的片上 OSPI 闪存模块(ISSI IS25LX064-JWLA3 OSPI 闪存器件)。 由于内部连接、ZCZ_F 封装附带额外的引脚连接要求。 有关引脚连接要求和焊球名称、请参阅数据表中的引脚连接要求。
    • 闪存芯片(引脚 L1-OSPI0_ZCZ_F_WP)的 OSPI_D2 信号兼作内部连接的闪存器件的低电平有效写保护输入。 因此、引脚 L1-OSPI0_ZCZ_F_WP 必须通过单独的 4.7kΩ 外部拉电阻连接到相关源 (VDDS33)。 必须将该电阻器放置在尽可能靠近器件的位置。
    • 闪存芯片(引脚 J3-OSPI0_ZCZ_F_RESET_OUT0)的 OSPI_RESET_OUT0 信号必须连接到等效于 WARMRSTn 的开漏、以复位片上 OSPI 闪存模块。 开漏要求是防止通过引脚 J3-OSPI0_ZCZ_F_RESET_OUT0 的外部 WARMRSTn 连接与 AM263P 和 OSPI 闪存器件之间的封装内部连接之间出现总线争用。



    总之、有 2 个源用于复位闪存

    1.  Warmreset 引脚 (涵盖内部和外部热复位源)-这样做是为了覆盖第 5.4.1 节 OSPI 引导中未包含的相关内容
    2. OSPI0_ZCZ_F_RESET_OUT0 — 从 OSIP0_Controller(使用 MMR 配置触发)从内部从 AM263p 芯片连接到 SIP 封装内的闪存芯片的复位信号



    更多详细信息、请参阅 AM263P 数据表中的第 8.1.3 节“封装内闪存 (ZCZ_F) 的 OSPI 连接“。

    如果您有任何问题或此问题是否解决、请告知我。

    此致、
    Rijohn

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    Rijohn

    我看到我在原来的问题声明中犯了一个错误。  我们将硬件与控制卡上的连接与 J3 进行了比较。  我们使用的电路与控制卡原理图第 14 页 OSPI 闪存复位中显示的电路相同。  控制卡上 Q21 的输出为高电平。  我们硬件的等效晶体管相同、也很高。

    我为这个混乱而道歉。

    Jeff

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    Rijohn

    您的信息正确。  我们确实将 OSPI 复位驱动为低电平。  错误的来源是使用控制卡的 PROCA 版本的原理图。  此版本的原理图显示了一个 N 沟道 MOSFET。  我们今天发现,这是纠正了在控制卡的 PROCB 版本有这个更正.

    感谢你的帮助。

    Jeff

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您的答复。  

    很高兴您能够弄清电路板从修订版 A 到修订版 B 的缓冲器实现变化。
    仅供参考、原理图文档的修订历史记录部分(在开头)中提到了这些更改。

    此致、
    Rijohn

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    Rijohn

    在您的初始响应之后、我们确实看到了 PROCB 原理图。  我们感到困惑的原因是我们有一个 PROCA SIP 板。  在将其发运至正确的 Q21 之前对其进行了返工。  造成混淆的原因是 PROCA 板按预期工作。

    Jeff

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    您好 Jeffy、

    很抱歉耽误你的时间!!

    混淆的根源是 PROCA 董事会按预期工作。

    我明白你所说的, 这是我们一方的错误。 我们最初在连接到 J3 引脚的 OSPI 复位逻辑中错误地保留了 NMOS 而不是 PMOS。 PROCA 版本的  原理图中具有 Q21 (BSS138LT1G)、这是一个 N 沟道 MOSFET。 导致预期值的反转运算。

    输入 (PORz) MOSFET 状态 输出 ()OSPI_RSTn_R
    驱动至低电平  迷惑不解 ",="" arial,="" sans-serif;="" font-size:="" 14px;="" font-weight:="" 600;="" margin:="" 0px;="" text-decoration:="" none;="" border-bottom:="" 0px="" rgb(230,="" 232,="" 240);"=""> 通过 R3878 上拉电阻实现高电平 (3.3V)
    高电平  亮起 ",="" arial,="" sans-serif;="" font-size:="" 14px;="" font-weight:="" 600;="" margin:="" 0px;="" text-decoration:="" none;="" border-bottom:="" 0px="" rgb(230,="" 232,="" 240);"="">低电 平 (0V) 拉至 DGND


    该错误是在初始电路板测试本身期间捕获的、因此元件更改为 PMOS、经过旋转和翻转(在 Z 轴中) 以实现所需的缓冲器功能、如下图所示。

    对造成的混乱表示真诚的歉意。





    此致、
    Rijohn