[参考译文] TMS570LS3137：在闪存封装中启用 ECC 与在 CPU 中启用 ECC

大家好，我们的专家已经不在办公室了。 请期待收到延迟的回复。

你好，查克，

主程序内存受 Cortex-R4 CPU 内实施的 SECDED 电路的保护。 所有 OTP 和收费存储器(第7列气缸组)都受 Flash 包装内专用的 SECDED 逻辑保护。  SECDED 逻辑实现都使用错误纠正代码(ECC)来纠正单位错误，并检测从闪存阵列读取的值中的双位错误。

通过向闪存模块错误纠正控制寄存器1 (FEDACCRL1)的 EDACEN 字段写入0xA，可以启用用于访问 EEPROM 仿真闪存库和 OTP 闪存库的 ECC 保护。

QJ 您好，

我理解您在上面所说的内容，但我无法对其解码以下问题的答案：

上述引用的文本是否表明应该在启用辅助控制寄存器的位#25之前通过向其写入0xA 来启用 FEDACCRL1->ECDACEN 位？

谢谢。

你好，查克，

不能，EEPROM 和 OTP 的 ECC 保护逻辑仅在闪存封装中实现。 设置 ARM ACTLR 寄存器(辅助控制寄存器)的位25是为了在 CPU 中启用 SECDED 逻辑，该逻辑用于主程序闪存(bank0和 bank1)。

QJ 您好，

很抱歉，我已经混淆了 EEEP/OTP (从0xF0000000开始)和主程序闪存(从0x0开始为3MB)。

我要做的是通过模拟坏的主程序闪存生成 ECC 双位错误，在给定地址翻转2位。

请您提供更多见解吗？ 我没有使用壁龛，所以需要一个这样做的程序。

非常感谢。

QJ 您好，

我在使用 FPAR_OVR_bit.DAT_INV_PAR = 0x03执行第5.6.2.6段 ECC 数据修正诊断测试模式：Diag 模式= 7中找到的步骤，该步骤在第5.3.3段综合症表中未定义，因此用于模拟多位无法纠正的闪存 ECC 错误。

结果是，我收到了异常中止而不是未更正的 ESM 错误，该错误应激活 nError 信号针脚。

在这种情况下，应生成什么 ESM 错误？

由于这是一个未校正的 ECC 错误，这是一个严重的 ESM Group2或 Group3不可屏蔽错误，为什么没有断言 nError 信号针脚？

谢谢。

QJ，

读取地址0x20000000处的镜像闪存位置后 ，生成 CPU 异常中止，并捕获了以下数据故障寄存器，这似乎是正确的：

• DFAR = 0x20000000
• DFSR=0x1008

唯一的问题是没有为此双位模拟错误生成 ESM 错误。 中止异常后，所有 ESMSR1，2，3和4寄存器都是0x00000000。

在 ACTLR ARM CPU 寄存器中，已将以下内容配置为将错误传递给 CPU：

• Bit25=1为 ATCM ECC 检查启用(主闪存阵列)
• Bit0=1是 CPU 启用中的 ATCM 外部错误

无法掩盖此严重错误，原因可能是什么？

感谢 QJ 的帮助，

仅缺少一件事：在 spnu499c 段5.6.2.6中找到的过程没有提到 必须配置闪存错误检测和修正控制寄存器1 (FEDACCTR1)，这样 CPU ECC 闪存错误事件信号将被解除阻止。

添加此解锁指令可以解决问题。

此致！

QJ，

还有一个问题：即使没有执行闪存 ECC 检查测试，该行是否也应该是应用程序的一部分？

FEDACCTRL1 = 0x000A060AU；

如果我离开此线路而未执行闪存 ECC 检查测试，应用程序将崩溃。

如果我不将其与应用程序放在一起，如果发生闪存 ECC 错误，是否仍会向 CPU 报告？

谢谢。