[参考译文] TM4C1294KCPDT：DTT3与 DTi3 3V3 LDO 和放大器；EMI 抑制

您好、Charles、

DTT3如何为105°C、而 DTi3仅为85°C？ 硅片必须有所不同、才能实现更高的工业温度范围。

遗憾的是、只有一个 DTi3和另外两个 DTT3、相同的 EMI 计数器测量结果 DTi3在 DTT3上不起作用。 DTT3使用低温235°c 无铅焊锡膏 SnAgCu 进行放置。 仅在稍后、在封装引脚上使用烙铁头不会阻止 MCU 锁定。

您好、Ralph、

然而、当 EMI 水平等于 DTi3的水平时、CPU (DTT3)将不会复位。 似乎 DTT3没有资格满足 DTi3可以承受的同等 EMI 条件？ 在 POR 前、CPU 似乎被锁定并拒绝复位。 也许是一个勉强可用的 MCU、但在达到相同的 EMI 水平之前运行正常的22-25°C？

但是、如果 EMI 水平超过其合格抑制的任何水平、则 DTi3看门狗将为 MCU BOR。 BOR 看门狗条件不在这个单个 DTT3上发生。 无论如何、由于供应链减缓了我所注意到的 EMI 条件、在制造更多 DTT3之前、可以对照 DTi3进行检查。 根据 Charles POST 将交换 DTT3并报告故障 PCB 中记录的任何差异。

 此致、节日快乐

您好、Ralph、

在对 DTT3的电路进行一周的故障排除后(从同一 G4批次中更换了2个 MCU)、请注意、DTT3的 VDD 电阻(4.15k)低于 DTi3 (4.5k)。 DTT3的 ADC 通道可通过较低的 VDD 阻抗轻松锁存(锁定)、并且 MCU 复位(外部)将变为未激活状态。

当受监控的通道>40Vdc 分压器时、DTT3 ADC 输入通道在较低的 VDD 电阻中可能具有不同的 EMI 抑制。 该电平似乎是通过非常可靠的分压器(3V3 TVS、铁氧体等)进行 ADC 通道输入的截止点。 然而、DTi3 ADC 通道的工作电压>190vdc、监视同一通道电路、而不会发生 ADC 通道(AIN8)锁存、复位故障或看门狗 BOR 故障。

似乎 需要更仔细地查看更高 DTT3工业温度范围的权衡因素、或许可以更新勘误表。 请注意下图中有三个150MHz 稳压器、用于将40Vdc 电压降压至+15V、+12v、+5V、使用具有+4V 过冲钳位的 TPS73533 (+3V3 LDO)为 MCU VDD 供电。  TI 是否有人确认 DTT3 (某些 G4批次)相对于 某些封装接地引脚具有较低的 VDD 欧姆电阻、或者可能仅具有 ADC 接地/秒和 VDD 轨引脚？ 通过高温空气235°C Chipquick PB 无焊锡膏放置时、至少 DTT3为3级(10%蓝色)。  

更新了：注意到 DTT3的 VDD 电流消耗会导致 LDO (U33)稳压器受到触摸的影响、对于到目前为止安装的两个 DTT3、VDD 大约为+3.297v。 四个 DTT3是供应商发运的、放置了黑色静态泡沫/盒子。 我将防潮卡放在箱顶盖内和两个大型十层袋之间、并将防潮卡箱外侧放置、以便稍后进行比较。

以上图片显示 2018年的购买日期和 DTT3自购买日期以来一直保持紧凑且相对凉爽(57°F-62°F RH40-45%)。 在上述 PCB 上测试的 DTT3和 DTi3没有斜坡浸渍、而是使用热空气低温(235°C)无铅焊锡膏进行放置。 当 AIN8锁存并降低电压读数(40V 至0.3V-0.4v ADC0 SS1步长0)时、必须重新配置 ADC、并且可能是 AIN3、AN4、AIN6没有实际变量可查看 ADC0-SS1步长1。 通常、MCU 的某些部件像 NVIC 和 EMAC0一样继续运行、但仍会通过 LWIP 计时器 GPT2发送 GUI 更新、直到需要重新为 MCU 供电。  

安装的 DTT3 MCU 具有良好的引脚湿性：

蓝色电位计(照片上方20K)奇怪地具有降低3V3 LDO 欧姆电阻的直接结果。 最近将 DTi3 20k POT 更改为100k 对 DTT3执行相同的操作使 VDD 电阻4.8k 远高于 DTi3 4.5k 测量的 AGND 到3V3 LDO 测试点 TP32。

 ADC0 SS1第0步监控直流总线电压>/60V 似乎存在高 PWM 占空比(>90%的低侧 B 驱动器、GPIO 8mA 压摆率)问题、该问题通过电感反冲和 ADC0中断处理程序的周期与 ADC0相联系。 相同的 PWM 占空比不会影响 DTi3、相同或更好的 EMI 抑制添加了 DTT3输入 AIN3、4、6、8。 我没有搜索 DTT3 PWM0驱动器导致 ADC0闩锁问题、尽管 DTi3没有这种情况。  

您好、Charles、

到目前为止、有三个 ADC 行为类似、PWM 占空比可能会保持相电流1-50ms、即使在第一个脉冲上也会突然锁定 MCU。 总线电压(40-60Vdc) ADC 的 ANi8电阻分压器可监控两个并联的680µF Ω 电容器、以帮助缓冲 MOSFET 突然开关浪涌。 有趣的是、40Vdc 监控脉冲的可闻电压远高于60V。 有时、只有一个无声的晶须开启非常第一个脉冲会关断 MCU。  

在因一个或另一个故障而移除了多个焊盘后、不敢移除 I3 MCU、因为焊盘确实很弱。  此外、I3是唯一工作总线电压高达200Vdc 的 PCB。

这意味着什么？

您好、G1、

在您可以显示 ABA 交换测试结果之前、我没有进一步的指导。  

您好、Charles、

在 I3 MCU 恢复生产之前、不太可能发生这种情况。 但是、在注意到上述 T3看门狗复位故障后、其部分原因似乎是随机启动导致了更高电压的感应直流电压崩溃。 PWM 启动运行代码在进行中的开关用例中重新加载看门狗计数多次。 在加载新计数之前、代码通过狗控制寄存器解锁看门狗禁用中断位、启用中断位、再次锁定狗寄存器。 星期六调用论坛 Bob 提到狗控制中断位无效、但在重新加载计数期间全局狗中断也保持启用状态。

删除多个爪形离合器控制寄存器中断位集/清除后、T3启动处理程序运行时的崩溃次数更少。 T3能够在切换机箱更改期间更可靠地运行100VDC 总线电压。 请注意、I3运行相同的外部外设170Vdc、运行启动一致、而不会使相同的看门狗代码崩溃。

想知道在重新加载计数之前是否谨慎地禁用全局狗中断、因为狗控制寄存器位保持启用状态？  奇怪的设置或清除狗控制寄存器中断位对 I3没有任何影响、仍然令人困惑。 EMI 崩溃部件在较长的运行时间代码期间保持随机状态、并且仍然保持 T3状态、具有相同的代码更新的 I3。 奇怪的是、T3 MCU 消耗的 VDD 电流比 I3的 DO 大一点、从而将3V3 LDO 下拉为2.972v。

您好、Charles、

昨天、我们从 LaunchPad (第二次尝试)中移除了 i3 MCU (385°C 热空气)。 仅在使用工作台1500瓦 Lasco 空间加热器预热背面 PCB 后，我也是如此。 LaunchPad 上的焊锡膏必须为360°C 或更高。

无论如何、VDD 电源轨应怀疑在建议的最小 VDD 下为+2.971v。 轻微的 EMI 会使 ADC 序列发生器反弹进入闩锁状态。 另一个 i3 PCB 具有3v307 - 3v308 VDD 轨。 有趣的是、SS1第1步通常会在锁存时布置奇数电压(+439v 或0.3V)。  

您好、Charles、

T3的 VDD 以表27-4最小值运行、看门狗设置为 BOR 复位、表27-6 P8 VDD_BOR0复位2.95v 最大值、VDDA_BOR0 P6 2.89v。 最大 MCU 温度达到40°C、ADC0开始产生故障。 VDDA 似乎会退至 VDD 3V3轨电压、该电压似乎有点低。

BTW：经过数小时的测试、I3替代 MCU ADC0更稳定(VDD、VDDA=2v97)。 请注意、T3的看门狗 BOR 阈值(P6/P8)似乎比 I3 (85°C)高一点、并且在105°C 的更高温度范围内似乎存在折衷。 尤其是当 VDD、VDDA 不在表27-6的标称区域中、并且随着 I3和 T3的执行而降至最低。  

您好、Charles、

是的、这也是一个问题 T3疑似故障、导致随机 PWM 模块出现60Vdc 测试故障。