[参考译文] TMS570LS3137-EP：在复位后跟踪错误计数

您好、Charles、感谢您的建议。

我正在尝试 VIM RAM 选项。 VIM RAM 地址范围为0xFFF82000至 0xFFF82FFF。 96个中断通道占用高达 0xFFF8217D 的地址。

其余地址是我尝试使用的地址、但它们不可写。 是否可以 使用高于0xFFF8217D 的地址、或者它们是否受到保护/用于其他用途？

您好 Sagar、

 我刚刚尝试在0xFFF823FC 的 VIM RAM 中写入最后一个条目(第96个条目)、在 CCS 中将这个位置清零没有问题。  

 另外、请注意、我将不在办公室、明年才能回答任何涉及调试的问题。  

你(们)好  

   以下线程不建议在复位后使用 SRAM 数据：

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/912602/tms570ls3137-non-volatile-ram-for-software-reset

请建议在复位后使用 SRAM 存储和使用数据是否是可靠的方法？

 复位后对 SRAM 数据执行 CRC 是否会解决可靠性 问题？

您好！

 另一篇文章中的 QJ 在复位周期后谨慎使用 SRAM 中的数据、原因是在对 SRAM 执行写操作的过程中发生"不受控制"的复位事件会损坏存储器内容。 您将要执行的热复位是启动诊断的一部分、是由软件控制的事件。 因此、我相信您不会遇到内存损坏。 不受控制的复位的一个示例可能是 SRAM 写入操作过程中的外部逻辑产生 nRST 声明。 这可能会损坏内存。   

您好、Charles、

是的、 可以写入0xFFF823FC。

但其思路是不使用为96个中断通道保留的 VIM RAM 区域、而是在该区域之后使用该区域(在 0xFFF8217D 至 0xFFF82400之间)。

我观察到我们无法在区域 0xFFF8217D 中写入 0xFFF82400。 该区域 是否为其他区域保留？

此外、请告知、 使用外设 RAM (VIM RAM)比使用 SRAM 有什么优势？

感谢您的澄清。

您好 Sagar、

 我尝试在 CCS 中修改 VIM RAM 中的最后一些位置、但没有发现问题。  

我建议 VIM RAM 的原因是、如果你在启动时为 SRAM 运行 PBIST、SRAM 可被擦除、尽管对于 VIM RAM 也是如此、如果你启用 PBIST 来在 VIM RAM 上运行内存测试。

我还应该说、我正在另一个器件 TMS570LS1224上进行测试、因为我目前没有 TMS570LS3137。 TMS570LS1224具有可支持128个通道的 VIM RAM、而 TMS570LS3137只有 VIM RAM 可支持96个通道。 这就是96个通道之外没有物理内存的原因。 但是、您仍然应该能够写入 VIM RAM 的最后几个位置、因为它们未被使用。