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[参考译文] TMS470MF06607：TMS470MF06607 EEPROM 仿真闪存的写入周期。

admin
Guru**** 1821780 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/891046/tms470mf06607-write-cycles-for-tms470mf06607-eeprom-emulated-flash

器件型号：TMS470MF06607

您好！

该数据表中提到了"闪存 EEPROM 仿真"。 您是否会告知此 EEPROM 仿真将具有多少个写入周期？

此致

CHARAKU Suresh

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
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    针对用于 EEPROM 仿真的组的写入/擦除技术规格为25K 周期。 如果 EEPROM 应用程序对 EEPROM 变量使用多个位置、则有效数会增加。

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    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的澄清。