[参考译文] TMS570LS3137：TMS570LS3137：EMIF#39与异步 RAM 的连接上出现问题

很抱歉、更新此问题的进度已延迟一段时间。

1、严格排序是 R4-MPU-PMU 区5的默认配置；此外、我们更改了其他类型、 似乎没有影响。

执行20M/45M/90m 中的 VCLK3 、也没有效率。

此外、有关此调试的更多信息为：我们刚刚尝试 了单个16_bit 写入操作。CS[2]、OE、WE、UB、LB 和数据线看起来像按照时序波形工作(TMR 图17-11)、  

但 EMIF_A/EMIF_BA 工作异常。 EMIF_BA[1]、EMIF_A0~EMIF_A2始终保持0、EMIF_A6~EMIF_A8始终保持1、EMIF_A3~EMIF_A5可根据需要执行高/低电平。

附件图片是示波器的打印屏幕：CS[2]和其它控制信号。

我的问题是：在异步 R/W 中，此 EMIF 应用程序是否有任何其他配置？  为什么某些地址位在卡滞 情况下看起来像？

您好！

已检查您的 HALCoGen 配置：

1.您的存储器配置为8位而不是16位。 与16位 MR4A16B 不匹配。

嗯，在 EMIF_CE2CFG 中，调试代码中的 ASIZE 修改为1 (可以在 IDE 寄存器的屏幕截图中看到)。

好的、您手动修改了存储器宽度。 请检查 PCB 布局中的以下地址信号：

EMIF_BA[1]、EMIF_A0、EMIF_A1和 EMIF_A2短接至 GND

EMIF_A6、EMIF_A7和 EMIF_A8短接至3、3V

我可以确认这些地址位未短接至 PCB 接线上的 GND 或 VCC。 当电源关闭时、到 VCC 的地址线约为8.4M 欧姆、到 GND 的地址线为高阻抗。 此外、与 N2HET 复用的引脚、当被配置为 N2HET 时、也可根据需要执行电平反转。 因此、我想知道这是否是与芯片勘误表 D、EMIF # 4类似的另一个异常

您好、Ting、

它与 EMIF#4无关、因为您对0x60000000存储器区域使用器件模式。

您能否检查在器件初始化期间是否调用了 mpuInit()函数？ 这不是由 HALCoGen 生成的启动序列自动完成的、需要手动调用。

感谢您的回复、已在应用程序的初始化部分添加了_mpuInit_()和_mpuEnable_()。

在数据写入之前类似如下：

//……

_mpuInit_()；

 _mpuEnable_()；

EMIF_ASYNC1Init()；

…

while (1)

｛

//将数据写入0x6000000测试

(笑声)

｝

//……

此外、， 今天正在执行一个测试、目的是测试引脚是否在 NHET 应用中改变。 将 C4引脚配置为 NHET2 [11]功能(EMIF_ADDR [6]/ RTP_DATA_13 / HET2_11)。 仅当 PSL 被选为上拉电阻时、实际输出才可执行电平改变、并且在下拉电阻或未被选择时无法执行。 在我们的 EMIF 应用连接中、地址和数据线路中没有外部上拉/下拉。 这会影响吗？