[参考译文] RTOS/TM4C1294NCPDT：TM4C1294KCPDT

您好、Nikhil、

表27.13中的 EEPROM 特性详细说明了最小值。 我们没有指定的最大值、就像存储器寿命周期等规格一样、您希望确保不会超过最小值。 最大值对于 EEPROM 生命周期不是一个有用的值、因为一旦超过最小值、它在任何时候都可能失败。

您好、Nikhil、

最后一个要点是最重要的一个要点：

"可以写入不同的字、这样任何或所有字的写入次数都可以超过50万次
当每个字的写入计数保持大致相同时。 例如、偏移0可以写入3次、
然后、偏移1可被写入2次、偏移2被写入4次、然后偏移1被写入
两次、然后再次写入偏移0。 因此、所有3个偏移在末尾都将有4个写入
序列。 这种7次写入内的平衡可以最大限度地提高不同字的耐久性
相同的元块中。"

偏移量是针对每个元块的、因此您的想法是、您可以将偏移量用于特定元块内的目标写入字(理想情况下、每个字、而不仅仅是一个字)、从而最大程度地延长 EEPROM 的寿命周期。

因此、要计算生命周期、您需要评估代码写入 EEPROM 的方式、写入的偏移量、以及是否存在由多个进程写入特定偏移量 X 的情况。 写入 MOST 的偏移-偏移 X -将是您生命周期的限制因素。

此分析还可以帮助您更好地编写代码、以便确保 EEPROM 写入尽可能多地分布在元块中。

最终、该计算是特定于应用的、但其关键在于了解要写入哪些元块以及这些写入的频率、以便您可以识别最坏情况下的使用情况、并从此处估算该位置的生命周期。