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[参考译文] TM4C1294NCPDT:PWM0死区发生器结构图看起来是不一致的。。。

Guru**** 2318830 points
Other Parts Discussed in Thread: INA240, LM3S8971, DRV8305, INA282
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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/583519/tm4c1294ncpdt-diagrams-of-pwm0-dead-band-generator-structure-seem-at-odds

器件型号:TM4C1294NCPDT
主题中讨论的其他器件:INA240LM3S8971DRV8305INA282

 TI 能 不能更 好地说明死区发生器和 延迟计数器的结构门控和时序逻辑、以便能够通过嵌入式软件正确控制它们?

根据  数据表、死区发生器 PWMA 输入不会在上升沿触发23.3.5图23-6、因为如果在将这些位设置为高电平后启用 PWMnDBCTRL、即使在 PWMENABLE 位的输出中也不会发生延迟。 PMWA 延迟的设置应在 MCU 的输出引脚出现二进制代码更改时完成、 但这在物理上是不可能的、因此死区库在 PWM 转换之前提供 。   

 信号 输出 PWM0-A 的死区延迟  实际上 出现在 PWMA 的下一个下降沿、此时 特定的 PWMENABLE 输出被 PWM0发生器局部同步更新。

更具体      地说、如果在循环调用中使用 PWMnDBCTRL 来控制 PWMA 的信号延迟、则在 PWMENABLE 中将 PWMA 位的上升沿设置为高电平后启用 DBCTRL 位、不会延迟信号。

 只有在这些输出位首先被切换为低电平之后、PWMA 信号才会有一个脉宽被 PWMnDBRISE/FALL 寄存器中设置的延迟周期增加。 这种行为似乎表明死区延迟 计数器仅在 PWMA 边沿 从 高电平变为低电平(下降边沿)、而不是如所述从低电平变为高电平(上升边沿)时触发  23.3.5. 图23.2显示了 PWMENABLE 寄存器之前存在 PWM0发生器死区结构、该寄存器将信号连接到 MCU 引脚、并且在 PWMENABLE 寄存器中二进制代码变化的上升沿没有延迟计数器对引脚状态变化的反应、以设置 延迟 通过嵌入式软件的 PWMA 下降沿事件。

我们 必须在  FET 栅极的高电平到低电平转换上插入延迟(扩展脉冲宽度)、以确保所有 FET  在 下一个导通时实际关闭、从而避免单 个发生器发生逆变器击穿。

因此、为了 更好地控制输出引脚状态延迟    、结构似乎也是错误的设计、并且当两个 PWMA/B 延迟应该是单独的使能位时、嵌入式 SW 工程师被强制在一起控制。

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    如何配置 PWMnCTL 寄存器的 DBCTLUPD 域?
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    尊敬的 Bob:

    DBCTRLUPD 配置为 gen 模式同步本地、以便与 PWMnENABLE 输出更新保持一致。 发生器立即与死区同步会导致 LaunchPad 的随机 POR 出现电气问题。

    在快速衰减模式下、截断的脉冲会在接近于接地的位置产生、具体取决于设置的最小脉冲宽度的低值、但永远不会产生完整的脉冲宽度。 糟糕的是、在慢速衰减中、极小的残余+/- PWM 尖峰会在同一区域产生、其中 PWMB 设置为静态、接近85%占空比但远高于死区(140ns)、以避免低侧 MOSFET 结过热。 这些余留脉冲的捕获后。
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    PWM 捕捉:

    请注意、快速衰减模式1us 脉冲(绿框)远高于120ns 死区延迟设置。 脉冲低侧(yell Box)快速衰减模式实际上是 pwmB 死区发生器、即使在2us 的最小脉冲宽度(MPW)下也是如此。 仍然没有 PWM0 pwmB (直通)脉冲进入 PWMENABLE 寄存器。

    当占空比远低于85%或快速衰减模式时、单个脉冲(红色波形)实际上是缩放的(黄色框)中所示的死区脉冲。  第一次捕获(红框)随机脉冲发生1us MPW、最后一次捕获2us MPW、但脉冲 CH2大约为800ns 或更低。  因此、当高侧 pwmA 死区时、低侧将在下一个代码更改为 PWMENABLE 输出时随其一同运行。 这不是低侧 PWM 的快速衰减模式、因为 PWM0 -pwmBn 的直通似乎永远不会发生。 CCS 调试  PWM 寄存器显示 PWMnDBCTRL 使能位的设置和清零成功、正如预期的那样。

    捕获似乎表明 pwmB 反相没有足够快地去耦死区延迟计数器、无法使用控制位上的嵌入式(|=)指令或 PWMnDBCTRL 使能位在两种衰减模式下清除时直接锁存。

    上一期内容: https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/tiva_arm/f/908/p/582954/2142605#2142605

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    请注意、您的帖子以"绿框"开头、然后以"黄框"开头-但它们的示波器轨迹显示在示波器捕获的(非常)底部。  (离描述最远-强制额外滚动-以及可能失去意义-对帮助者。)

    另请注意、CH1出现@ 2V/div 设置-这表明它是 MCU 的 PWM 输出。   (可能被馈送到栅极驱动器 IC)   

    尽管如此-没有说明-然后 CH2出现在5V/div (顶部电容器)和更高10V/div (底部电容器)-表明这是输出(不是来自 MCU)、而是来自栅极驱动器。   如果事实证明这是正确的(我相信这将是正确的) 然后、栅极驱动器引入的任何/所有延迟及其增强所连接的功率 FET 栅极的努力会产生一个"小于"的结果、以比较"死区"对 PWM 发生器的两个"仅 MCU "输出所施加的影响。   (此外-(可能)确实、(其他) grep 可能会在 CH2的拾取和显示时引入-这是由于其与功率 FET 的连接和接近。

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    [引用 USER="CB1_MOBILE "]然后 CH2出现在5V/div (顶部电容器)和更高10V/div (底部电容器)-建议这是输出(不是来自 MCU),而是来自栅极驱动器。

    黄色脉冲很明显是逆变器梯形信号输出、放大后的电压标度显示接近接地的低电平脉冲。 眼镜疲劳的人还能看到如此低的细节。

    [报价 USER="CB1_MOBILE "](此外-(可能)确实、(其他) gremlins 可能会在 CH2的拾取和显示时引入-这是由于其与功率 FET 的连接和接近。[/报价]

    示波器探头位于 任何 FET 的1.5英寸位置。    底部捕获处红色魔鬼脉冲在接地端抛出的垃圾也会导致 INA240输出信号 失真。

    [引用 USER="CB1_MOBILE "]"小于"来比较"死区"对 PWM 发生器的两个"仅 MCU "输出所施加的影响。

    不得不说、不要这样认为、因为 pwmB 脉冲宽度远小于2us MPW 设置 输出 pwmA 和逆变器、但未布置。  1us 脉冲捕捉旨在显示 MPW 设置不会导致 runt 脉冲、尤其是导致大量 dv/dt 被抛到地面的脉冲。 因此 、高侧 FET 再循环电流 (慢速衰减)主要由 相位线圈消除、而快速衰减由设计通过地面注入而消除。 这似乎不太可能发生、并且 DB 时序问题 会导致快速衰减模式下的大量开关节点尖峰(dv/dt)。

    BTW 已为    该 低侧240 波成形术制作了一个有趣的 Tina 电路测试仪、并认为 282/240 差分输入偏置可能 缺失或数据表等中识别出错误的引脚。

    https://e2e.ti.com/support/amplifiers/current-shunt-monitors/f/931/p/583896/2144513#2144513   

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    如果您批评供应商的 MCU"死区"实施-您的密钥/关键信号测量扩展- MCU 外部-将阻止(任何)供应商代理(或感兴趣的外部人员)"重新产生"您的问题。  并明确排除、使您的关键"范围上限"演示文稿复杂化并引起疑问。   这可能最符合您的兴趣吗?...

    是否每张海报都有义务以最明确、最直接和最有效的方式提出他们的"请求帮助"?   但是-您的开场白(详细)范围跟踪描述-出现在您的帖子的最顶部-不能(更多)与相关范围捕获分开!  (显示帖子的绝对底部(令人震惊)。)   这是否揭示了伟大的组织、深思熟虑或关怀?

    这里的每个人都受到了匆忙/压力-但我们(每个人)都有责任让这些专业的供应商论坛专家(以及我们自己)尽可能清楚和邀请地展示我们的"数据、发现和问题"...

    你已经为这个问题挣扎了一年多了。   您寻求"专家分析和见解"、以发现关键运营发现及其影响。   虽然您(声称)您(未定义)的范围上限是"明显的"(之前说过它们"建议")-但他们没有向我这样注册-并且(可能也是)供应商专家。   您是否可以使用"建议"(而不是清晰/正确的"信号标签和详细信息")、为您所需要的"专家分析和见解"添加时间/精力(从而阻止)?

    "符合技术公约"(即(部分)范围通道数据的标签)和"减轻他人的努力"(即 通过密切放置叙述来澄清范围上限、而不是最大限度地分离范围上限)可能值得考虑...

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    [引用 USER="CB1_MOBI"]]"符合技术约定"(即(部分)范围通道数据的标签)和"简化他人的工作"(即 通过密切放置叙述来阐明范围上限-而不是最大程度地将其分离)可能值得考虑...[/QUOQ]

    示波 器捕获与 请求 更好的图无关、只是为了显示 PWM 外设的行为不是数据表中设计或阐述的那样。 这一问题不仅让人无法想象、还使主要行业 专家 LMI 和 TI 实验室 工程师感到震惊。  他们显然误解了同一个文本、或从未费心通知主管死  区控制寄存器中的情况不那么好。

    死区计数器的正确时序图可能表示 当快速 R/W 转换 PWMENABLE 在 靠近 PWMnDBCTRL 位设置/清除的位置发生时、触发/计时限制是可能的。

    捕获的另一个要点 是 向 Bob 显示   当 pmwB 从 循环调用中清除的 PWMnDBCTRL 使能位恢复时、它不会产生初级1-2us 上升沿输出脉冲宽度。  当    PWMnDBCTRL 被清零时、低侧反相 pwmB DB 脉冲再次如此明显(黄色框)、不属于该脉冲。 然而、在这两个眼睛之间、您只需获取我的字 、使能位 被 SW 清零、但 PWM0 pwmB 直通永远不会像它应有的那样发生。

    一 个 WA 不会启用快速衰减 、这仍然不会清除  PWMnDBCTRL 位 设置/清除后留在接地端(第二个红色矩形)的残余物 、而 pwmB DB 计数器会将毛刺脉冲切换至接地。  

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    许多人希望看到您取得成功-这种成功也可能会使他人受益。 我的兴趣是帮助这一进程。

    虽然成本高昂、但 FET 供应商建议、"差分示波器探头"可以产生更清晰的图片。

    您是否熟悉"拆下示波器3-4"接地导线"的技术-并使 PCB 接地与示波器探头接地(金属)套管之间(通过电线回路或 Y)的接地连接更短/更直接? (当拉动接地导线时、该引脚变为可见/可用。)  通常、该方法可以改善单端测量。   我可以提供图表或照片-尽管该技术的图示(绑定)在网络上存在。   

    我觉得这种改进的测量将使您的示波器电容器"更加真实"。    我的小组怀疑、您所呈现的"魔鬼脉冲"来自 MCU 的 PWM_B 输出。  显示(仅)栅极驱动器输出(Devil 脉冲)是可疑的-不足以将 MCU 的故障行为"定罪"。    (即缺席定罪)

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    [引用 user="CB1_MOBILE "]您是否熟悉"移除范围3-4"接地导线"-的技术

    是的探头 具有用于直接 PCB 接触的接地弹簧、但必须保持探头并同时采集。  然而  、在我看来、在更高的电压下、12.5kHz 缓慢 PWM 80us 周期的增益不大。  

    [引用 USER="CB1_MOBILE "]我觉得这样改进的测量将使您的示波器电容器"更真实"。    [/报价]

     当 dv/dt 面向 逆变器 B+/GND 显示并且  缓冲器的双电容 将  尖峰电平减半时、无法获得更真实的10kps 深度。

    也许   、将 PWMENABLE 寄存器 步骤1中的值更改得如此接近  PWMENABLE 寄存器步骤2的实际代码更改的方法 可能会导致上述干扰 DB 尖峰步骤3。 这是第1步-第3步、在本地 GEN 更新期间在同一调用中完成的所有操作 似乎会在 PWMEBABLE 寄存器门锁存器中引起很大的噪声。

    例如、如果您仔细查看上面的 CH1 (红框) pwmB 栅极驱动器信号、您会发现    波浪顶部会出现类似的干扰。   也许在   与死区发生器或 PWMnDBCTRL 快速切换 步骤1和 PWMCLK 时序的交互中、线索 PWMENABLE 寄存  器局部更新不是那么安静、而是非常接近步骤3中 PWMENABLE 寄存器的下一个换向周期。

    过去、我曾被 类似的栅极控制边沿计时狗咬过。

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    [引用 user="BP101"]例如,如果仔细查看上面的 CH1 (红框) pwmB 栅极驱动器信号[/quot]

    请注意、您的(最近的3月26日、07:33)过账中存在"无红框"。  (通常提供"打开/当前"过帐中未包括的图表/文档的链接。)

    话虽如此-通过超越(发布于3月24日08:28)、我发现(两个红框!) 还有一个绿色和一个黄色。  我是否找到了正确的"红框?"

    现在-如果我找到了正确的盒子(对)-两个都不显示 MCU 的直接输出-相反、高信号电平显示-很可能-栅极驱动器输出。  

    在尝试建立和记录 MCU 短缺时-不应将"证据中的事实"局限于可疑的 MCU I/O -不应从某些"下游" IC 进行探测?   示波器电容器(2个通道、同时捕获-不是"剪切/粘贴操作")使用"可疑 MCU I/O 引脚和您的"下游 IC 引脚-同时捕获和呈现、是否会使您的案例更加引人注目?   这是记录 MCU 缺陷的正常/习惯方式-您对"仅下游干扰"的表述并非惯例-因此证明不具有说服力。

    理解-我试图在您的请求和供应商员工之间强加自己-除了 Amit (和我自己)之外、他们对您的"试验/试验"的参与要少得多。   如果我对您的索赔和写作有困难-可以合理地假设"也是"(最近才到)供应商员工。   (供应商的 Bob 和 Charles -都很有天赋-但又不了解您的"历史")

    就"实际"示波器上限而言-您是否移除示波器的接地引线仍不清楚。   作为 CEO、您当然可以请求您的一名员工"根据您的命令触发范围"。

    我非常确信、如果"可以为 MCU 问题提出适当的理由"、您的解决方案几率会大幅增加。   MCU 的测量(FAR)-(外部非供应商 IC 的证明)-不太可能说服供应商员工、他们的"大容量"器件会因您(不可肯定)的诉求而受到影响...

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    [引用 USER="CB1_MOBILE "]

    话虽如此-通过超越(发布于3月24日08:28)、我发现(两个红框!) 还有一个绿色和一个黄色。  我是否找到了正确的"红框?"

    现在-如果我找到了正确的盒子(对)-两个都不显示 MCU 的直接输出-相反、高信号电平显示-很可能-栅极驱动器输出。  

    [/报价]

     读取      器在调用上下文时采用了一些常识、以回顾与线程相关的内容、而其他红色框中与该线程相关的内容则表明存在问题。   如果 栅极驱动器输出看起来像 CH1、那么您忘记的栅极电荷通常具有10V 至15V 电平、而不 是 如 CH1所示的2.9V 至3.0V TOPS。  CH1也是 CH2的触发源、但这很明显。  栅极驱动器 FET 输出 信号具有比 CH1更有趣的特性、但 Fairchild 栅极驱动 器不是该线程的问题。 不能说不可能、但如果 是这样、TI 为什么    会使用同一驱动   程序来生产1000个 RDK、如果已知 Stellaris PWM 外设存在此类问题、并鼓励快速投产、这种情况极不可能发生。

    [引用 USER="CB1_MOBILE "]就"实际"范围上限而言-您是否删除了范围的潜在客户[/QUERT]仍不清楚

    为什么有人会移除探头接地导线、而这确实会给对方带来鬼魂和其他鬼魂。

    [引用 user="CB1_mobile "] MCU 的测量(FAR)-(来自外部非供应商 IC 的证明)-不太可能说服供应商员工、因为您(不可肯定)声称他们的"大容量"器件会受到影响...

    线  程中的外壳 MCU 产生 CH1 提到过几次 pwmB 延迟怀疑 梯形 波形成开关节点尖峰、 从 MCU 内部到远距离的触角。

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    [引用 user="BP101"]当任何人确实会向当事人发出重影和其他 gremlins 时,为什么会移除探头接地引线。

    在我昨天的帖子中-就在今天的顺序之前-我"详细说明"移除了接地引线、并将其替换为电线环和/或"Y"桩、以实现更短的接地连接(从而抑制噪声)。  回路或 Y 形接地环-当拆除3-4"示波器接地引线时可见。   昨天、您的书面报告表明(认可/理解)了这种方法。   今天、您(不幸的是)要么"忘记"、要么只是试图抵抗/攻击...   (我的问题也不是)

    作为"首席执行官"-您不应该"邀请"此类建议?   渴望"正确"并始终责怪 MCU (从不采用操作员技术)可能(可预测的)导致您 的(长期和持续)困境。

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    [引用 USER="CB1_MOBILE "]如果要始终将 MCU 归咎于 MCU (从不使用操作技术)、可能(可预测的)导致您 (长期和持续)的困境。

    似乎我不同意在上述帖子中使用上述 GND 技术、因为 缓冲 电容加倍下降到+/-5V、导致+24V 直流电压和+/-10V 峰值失效。

    那么 、您说 PWM 时序问题的步骤1-3不可能 与 pwmB 如何无法从死区释放有关、请在下一次二进制代码变化中把握这一点? 仍然发现奇怪 的是  、两个 GEN 对实际上需要两个延迟来保护1/2桥、从而 在这个过程中松开 pwmB。 然而 、PWMnDBCTRL 使能位设置 PWMnRISE/ 下降延迟计数器卡纸值、这些值 看起来与每个单独的 GEN 输出 pwmA/B 相关

    我在下面的分析和上面的示波器捕获 似乎表明、当   设置了低于800ns 的脉冲宽度时、PWM 死区时序问题会导致开关节点尖峰、重复电流浪涌周期和快速衰减(低侧 PWM)故障。

    也就是说 、在    不中断    同一1/2电桥中的非开关 FET 两侧的情况下、任何同相1/2电桥上一次关闭两个 FET 的下降沿都不可能增加延迟。  快速衰减的 runt 脉冲似乎源自该问题、当下一个二进制代码变化发生时、pwmB 仍在从被清除状态恢复。 因此、在   将脉冲输出到逆变 器之前、非开关式 FET 对会在该代码更改周期中延迟、从而在该过程中截断 pwmB 的脉冲宽度。       

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    您拒绝我的每一项建议、即使他们试图让您的问题变得更清晰、更具吸引力、但他们仍会为熟练的供应商员工提供帮助、他们(独自)可以更好地访问和了解 MCU 行为。

    [引用 user="BP101"]因此 、您认为 PWM 计时问题不可能执行步骤1-3 ...

    作为"CEO"、您是否习惯强迫熟练的员工搜索/扫描20多篇著作(在此处张贴)-确定"步骤1-3 "的含义/包含哪些内容? 时间是指我们参与"追求利润"企业的人。  我在前面明确指出、您习惯"通过未能"找到"(或至少是"链接到")这类数据、向论坛援助人员(受控人员和外部人员)"强迫额外的时间/精力"(邀请分心/错误)。   (即、您引用的范围上限(3月24日之后、3:28)尽可能远离其叙述说明放置!)    

    您是否应该在新帖子中搜索、查找并粘贴"-步骤1-3 -以及"粘贴"?   可能有多人阅读您的帖子-您强迫每个人(通过单独/串行方式)进行搜索来投入(更多)时间/精力-您不会这样做吗?   这是否显示出对您的论坛帮助的公平/恰当(注意/考虑)?   (即使在之后、尤其是在之后、您也收到了这种不受欢迎的倾向的通知。  (不必要的、多余的时间/精力-强迫帮助者)  

    到目前为止、我独自识别这些"张贴障碍"。  在每种情况下-正如我所教授的-我都介绍了"其他论坛方法"、旨在"快速、轻松和增强"阅读者的舒适度、理解和节省时间。   你认为这是不公正的吗?   (即、是否只有您的时间/精力才能得到保护?)   

     "当您的时间/精力/轻松性超过所有其他人的努力时、"您(经常)寻求的"认真的技术分析和见解(在这里)不太可能达到您所需的量和力量!"

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    [报价 USER="CB1_MOBILE "]您应该不是"您"努力搜索、查找并然后"粘贴"-步骤1-3 -在您的新帖子中?[/QUEREST]

     1-3步 长的线程链路 位于 示波器捕获的顶部、人们提到 了该线程  、PWMENABLE 调用中的某个步骤会产生这些低侧毛刺脉冲和运行脉冲。

    与 其他 TI PWM 外设死区布局数据表相比、TM4C 似乎会破坏功能事实、从而 声称在实际操作模式下是不正确的。 下降沿似乎 是将 pwmA 死区延迟 到 pwmB、 而不是数据表所声称的上升沿。 无法从 pwmB 延迟获得与 pwmA 上升沿延迟匹配的完整宽度周期、因此即使 CMPAA/B 寄存器加载了相同的匹配计数、脉冲宽度也不相等。

    首先 提到绿框、因为它证明了在发生跳动/尖峰时、即使是最小1us 的逆变器输出脉冲也会产生。 实际的 MPW 周期不 是从 PWM 发生器的角度来看、而是从逆变器的角度来看。  要指示 pwmA/B 实际上在逆变器中产生1us 的关断时间、必须使它们更宽 100 纳秒。  否则 、如果我们尝试使 pwmA/B 恰好为1us 周期、则逆变器的关断时间大约为650-700ns、远低于 MPW。    

    [引用 user="CB1_mobile "] 您(经常)寻求的"认真的技术分析和见解"(此处)不太可能达到所需的数量和力度、"当您的时间/精力/轻松程度超过所有其他人的时间/努力时[/引述]

    也许您 正在使事情变得更加复杂 、并试图将 调查结果视为任何人都难以掌握。  这些捕捉表明   、在从死区发生器接收适当的 pwmB 延迟脉冲宽度时、PWMENABLE 输出控制寄存器中不会出现噪声或不良接地、而是出现错误时序。    为什么或什么原因引起了这种情况,迄今尚未得到答复。  

    我报告了故障、并要求提供更好的技术 信息、以确定硬件的嵌入式 C 代码控制为何或是否无法正常工作、如数据表所述。 TI 调试工具并未给出答案、为什么这必须是一个计时问题、甚至可能是由于 PWM 外设超出架构 能力范围的性质而造成的。 我开始比较了解后者、但我的 SLEEVE 上有一些其他技巧、由于该 MCU 为150 DMIPS   、因此它肯定可以处理死区中的60MHz 快速全局同步更新计数 PWMCLK、并通过恢复、这与之前的 LM3S8971 MCU 不同。

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    [引用 user="CB1_MOBILE "]理解-我试图在您的请求和供应商员工之间强加自己-除了 Amit (和我自己)之外,他们对您的"试验/试验"的参与要少得多。   如果我对您的索赔和写作有困难-可以合理地假设"也是"(最近才到)供应商员工。   (供应商的 Bob 和 Charles -都很有天赋-但不了解您的"历史")[/QUERPLET]

    嗯、没有人特别要求你做任何这样的事情、你在发布的主题中离话题很远、就好像在 试图 针对  更好的澄清请求使用帖子时、几乎是以某种方式进行了个人攻击一样。

    [报价 USER="CB1_MOBILE "]不太可能会说服供应商员工、他们的"大批量"设备会因您(不可肯定)的索赔而受到影响...[/QUERPLET]

    这表明、您不 清楚或者已经忘记 了逆变器如何从 组合在一起的 PWM 发生器产生脉冲 、从而形成 这样的脉冲、 除非连接了逆变器、否则这些脉冲不能在 MCU 输出端直接捕获。 除非 您将某种 PWM 发生器信号分析器连接到 MCU 引脚、否则无法通过示波器捕捉检测到捕获中显示的此问题。 您的观点与主题帖中请求的观点相差甚远。

    为什么不尝试为 这个问题提供真正的解决方案-否则、请保持中立 、 首席执行官的判断名称呼叫是不合理的。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我们注意到、"CEO"位于您的论坛档案顶部。

    建议方法让您的论坛请求更易于理解、并且减少了(所有)帮助者的时间/精力、这是否符合"非主题"标准?  为"陈述您的案例"提供替代方法不会"接近"个人攻击。   

    坐下来要容易得多-少做(什么)-但我已(重复)努力提出其他观点-每一个观点显然都是为了加强你的任命。   您(尝试)将这些建议标记为"个人攻击"(而不是(某种程度上)接受(然后测试其可能的有效性)、这是一种(非常)封闭的想法。   您是否应该表现出(部分)对改进您的帖子的兴趣?

    您可能会注意到供应商的(单个)回应、这似乎是为了确认我在您的帖子中对"关注、组织、读者易用性和清晰度"的需求进行了评估。

    我继续祝愿你取得成功、并将这场战斗的目标割让给他人...

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    [引述 USER="CB1_MOBILE "]我们注意到"CEO"位于您的论坛个人资料的顶部。[/QUERT]

    不、  如果您再次检查、则表明总裁和工程师已工作6个月 使用 是贬低性的、似乎是试图在 使用的上下文中贬低我。 您不需要向 论坛道歉、但坚持捕获是不可理解的、Robert 曾在另一个主题中宣称、 但他在示波器混叠方面犯错、导致   MCU VDD 接近 GND 时出现巨大的 PWM 空隙。 这种行为 令我震惊、因为他对现实 世界的硅故障非常不在意、而且 他当时在堪萨斯的 EF4 Tornado  刚刚结束时、他认为一切都很好。

    我甚至使用   UART 记录器将此应用移植到 TI-RTOS 内核测试 MCU 负载 、并且 CCS 调试 RTOS - HA 未 显示 PWM 导致 来自任何发生器的不同中断。  这是基板级别的某种硅故障或更糟糕的情况、我最后 决定在5个月后检查 VDD 到 GND 的电阻、 该 Launch Pad 是历史记录。  下一次、当 PWM 发生这种情况时、告诉用户针对另一个 LP 测试结果。  当电机相位 停止将 Morris 代码 ping 太平洋上的 U2船只时、您可能会听到声音差异。    

    [报价 USER="CB1_MOBILE "]您可能会注意到供应商的(单个)响应-这似乎是为了确认我在您的帖子中对"关注、组织、阅读器易用性和清晰度"等需求的评估。[/报价]  

        当论坛 FE 在  过去的问题上展示了相当丰富的知识基础时,您的角色似乎很容易描述 naïve。  

    因此、您似乎不再进一步推理、即确信 布置 的 PWM 捕获 尖峰/短脉冲表示 会产生 PWM 的接地噪声。

     这个论坛或 其他 TI 论坛 FE 是否有任何  有效 的建议可以抑制这些尖峰?

      是否存在此类尖峰以及重复的电流浪涌周期 DRV8305的正常电机噪声似乎不太可能。  在  所有更新 模式下、TM4C1294死区时序被强制超出 PWM 外设控制 PWMENABLE 二进制代码锁存的能力。 即使在80us 周期 内、PWM 外设的该区域似乎也存在时序限制、 在 pwmB 上具有160ns 的最小脉冲宽度和120ns BD 延迟 pwmA。   

    这些 是问题死区发生     器延迟计数器的正确时序图可能会快速揭示或找出 SW 指令 R/W PWMENABLE 在 PWM 外设的该区域中具有限制。  必须存在 PWMENABLE 寄存器 R/W 访问时序的时序信息、以及  PWM 时钟与 该访问关系中的全局死区更新之间的关系。     PWM 时钟为60MHz 时、访问时序是100kHz、1MHz 还是16.6ns 的单个 PWMCLK 周期?

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    也许 TI 实验室可以确定为什么 在   CMPB 值远 低于 CMPA 之后 pwmB 似乎会闩锁并拒绝相互传递。 在   用于更改 PWMENABLE 寄存 器的二进制代码并在每个周期设置活动引脚状态 false 的同一循环调用中、快速启用/清除 PWMnDBCTRL 位。 如果 CMPB 死区发生器 重新进入直通模式 、  为什么占空比在发生器的全局同步更新中不会产生相同大小的脉冲 pwmA/B?  

    似乎 我已经以 一种或多种形式重新讨论了这个 PWM 问题、并且还没有揭示 什么嵌入式 SW 例程 可能会导致 PWM0 CMPB 中的锁存或产生过多的开关节点尖峰、如捕捉中所示。  这些逆变器尖峰似乎对400kHz  差动放大器的 INA240分流监控器 PWM 抑制输入滤波器造成严重破坏。

    之前的问题与当时的尖峰/短脉冲无关:

    https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/tiva_arm/f/908/t/533844

    下面是 使用 更少的指令在没有对 Tivaware 进行堆栈调用的情况下从之前的输出周期关闭所有有效 PWM 引脚的更快方法。 请怀疑 二进制代码更改的下一个 PWMENABLE 输出 可能会违反 PWMENABLE 寄存器中未记录的立即 B2B R/W。   

    /*获取 PWM 控制块有效引脚状态*/
    ulPWMEnable = HWREG (PWM0_BASE + PWM_O_ENABLE);
    
    //ROM_PWMOutputState (PWM0_BASE、
    //ulPWMOutBits ^(PWM_OUT_2_BIT | PWM_OUT_3_BIT | PWM_OUT_4_BIT | PWM_OUT_4_BIT |
    //PWM_OUT_5_BIT | PWM_OUT_6_BIT | PWM_OUT_7_BIT)、
    //false;
    
    //改进的方法:屏蔽禁用 GEN0并
    将*关闭所有活动引脚 Gen1、Gen2、Gen3 */
    HWREG (PWM0_BASE + PWM_O_ENABLE)&&~(ulPWMEnable);0xFC 

    /*启用 PWM 选择(启用)引脚多路复用器输出门控 PWM *////ROM/PWMOutputState
    (PWM0_BASE、ulPWMOutBits、TRUE);
    HWREG (PWM0_BASE + PWM_O_ENABLE)||(ulPWMOutBits &0xFC); 

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    好消息是、当80Vdc B+线性电源在线时、逆变器输出的低侧较大10V 尖峰现在消失了。 高侧 FET 导通事件中仍有振铃、在 GND 电平下显示 pwmA/B。 放置在直列式 PWM 引脚上、导致栅极驱动器输入的100 Ω 串联电阻可能会阻止反电动势进入 MCU、反之亦然。 这对于 LM3S8971 GPIO 引脚可耐受+5V 电压或 LMI 至少从未在栅极驱动器中包含串联电阻器而言不是一个问题。 尽管10ksps 示波器探针会拾取所有不良信号 germlins、但工程师可能需要调查并清理。

    INA240输出信号比接地高+1.65V、570mv 的底限进入 ADC 通道和模拟比较器输入。 当 REF1/2接地时、INA282和 INA240输出违反了数据表模式分析、有时是接地。

    INA282输出交叉 GND 的交流图别名捕捉是由 PI 控制器速度调节器引起的。 INA 比率度量输出斜坡中的负向 PWM 脉冲在 ADC 采样变量中对稳定速度的调节没有太大影响。 INA240分流输入在两个方向(交流)上测量双极 CMM、但比负电流更有效。

    当 ADC 采样阵列变量必须以不同的方式计数时、PI 控制器需要双向控制器来有效地调节电机速度。 示波器在 INA282/240监控器中检测到两个方向、但是 ADC 采样没有获得比分流 GND 更有效调节扭矩所需的一半必要信息、这是因为电流比直流更像交流。 电机速度保持在1 RPM 以内、而不是8 RPM 以内、当 PI 控制器调节电机速度时、示波器小部件中的电流会发生变化。
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    复习可能使用连接到 PWM 模块 TM4C1294的逆变器的学员。 请注意、DUT 在靠近 B+的高侧 FET 附近进行测试、dv/dt 可能很容易产生单电压离线开关电源。 具有更快 FET 开关占空比 的线性80Vdc 电源似乎可以在逆变器的接地附近捕获10V di/dt 尖峰、但不能在 B+上捕获 dv/dt。

    由于某种原因、B+ dv/dt 似乎进入 PWM 发生器、导致+/-4V 尖峰在关断时间之间在 pwmA/B 靠近接地端上升、但时序错误。  用于产生+5V 电压的+24V 与80V 变压器绕组隔离、并联环扼流圈+24V 馈入+5V 降压并馈入+3V3 LDO、没有任何差异来阻止它们。

    Fairchild 栅极驱动    器向产生 PWM 脉冲的 MCU 中产生 PWM 脉冲的可能性似乎不太可能。