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器件型号：TM4C1294NCPDT 您好！
TM4C1294NCPDT 具有256KB 的 SRAM、这是0x4.0000字节的地址区域中的预期值。 CCS 中提供的.gel 文件也是这种情况、其中 SRAM 区域声明如下、从0x2000.0000开始、大小为256KB：
GEL_MapAddStr (0x20000000、0、0x00040000、"R|W"、0)； /* SRAM */
但是、相应的手册在表2-4中显示了不同的较大非2功率范围："0x2000.0000 0x2006.FFFF 片上 SRAM 位段"。 存储器映射和表2-5。 存储器访问行为。
这里也或多或少地提到了相同 的情况。
这只是文档中的一个错误、还是这些地址的其他信息？ 我是否可以要求对这方面的文件作一些修改？ 谢谢。
