[参考译文] TM4C1299NCZAD：EEPROM 寿命说明

您好、Pedro、
希望此帖子能回答您的问题。
e2e.ti.com/.../1671100

查尔斯

让我证实：

• EEPROM 被描述为96块16字或96页。
• 2页是32个连续字或2个相邻的块、即扇区大小
• 500K 写入寿命(以循环方式在每个备用页面中以固定偏移进行写入时)。 这将写入所有偶数块(block0-Block2-block4的字 X 等)或所有偶数块(block1-Block3-block5的字 X 等)的同一地址。
• 每个2页块可耐受15M 次操作(在两页之间循环时)。 这一次在 block0的 wordc0-worth31上写入32个字，然后 在 block0的 wordc0-worth31上反复写入。 同样、循环浏览 block1的 wordc0-word31、或 Block2、Block3等、

是这样吗？

此致、

 佩德罗

您好、Pedro、

  一个块包含32个连续字的2页、即扇区大小。 500K 的写入寿命意味着您可以写入任何一个页500K 次的固定偏移量。 假设您写入 page1的 wordsX、然后写入 page2的 wordy、并重复此操作50万次。 请注意、一个块中有两个页、相当于一个扇区。 一个扇区是扇区擦除操作的单元。  

 要获得最大15M 的写入次数，这意味着您需要在两页之间循环，首先写入 wordc0，然后再写入 wordc1…… 继续编写 wordc31、重复此过程即可获得15M 个操作。  

查尔斯

感谢您提供信息。 一旦一个块磨损、32位字磨损如何响应访问？ 相邻电池是否受到影响？

如果我们偶尔写入存储单元、但写入次数超过500K 或15M、会发生什么情况？

此致、
佩德罗

您好、Pedro、CB1、
很抱歉、我不是一名有关闪存/EEPROM 实际测试和认证给定技术的专家、因此从固态物理的角度来看、可能无法给出正确的答案。 每个写入/擦除周期都会使位单元降级、并且每个位只能在变得不可靠之前保持一定数量的降级、这意味着它可能仍然起作用、但与裕量不一致。 如果某个位变得不可靠、那么它所属的逻辑字对访问不可靠。 它不会从用户的角度改变行为、即使其他31位的磨损程度达到90%或0%也是如此。 我只能说、如果您超过了指定的写入次数、您就会因为您超过了 TI 的发布限制而自行承担。

对于我之前使用过的其他 MCU、写入/擦除周期的数量是根据 PVT (过程、电压、温度)角上的真实测试数据指定的、具有足够的裕度。 我可以尝试了解如何获得15M 个周期。

谢谢、Charles。 除了"PVT"、我们可能还会考虑老化的影响-尤其是当器件温度下降速度相当快/极端时。 (当然、(在附近)汽车使用-但对于较小的环境而言也是如此-当 MCU 从"冷"(断电)转换为全速/电流(加电)运行时...)

您好 CB1、
当然、老化的影响也会被考虑在内、不仅对于闪存/EEPROM、而且对于整个器件。 HTOL 是一种应力测试、用于模拟晶体管老化。 半导体供应商可能会采用设计裕度来考虑晶体管老化(NBTI/CHC)的影响以及其他可能对器件性能产生负面影响的因素(晶圆制造厂到晶圆制造厂的转换、芯片内晶体管变化、I/R 下降、PLL 抖动等)。