• 状态
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 8 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 168 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TM4C1299NCZAD：EEPROM 寿命说明

admin
Guru**** 1709640 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/579541/tm4c1299nczad-eeprom-endurance-description

器件型号：TM4C1299NCZAD

我们对 Tiva 的 EEPROM 耐久性有疑问。 数据表包含以下描述：
•每个2页块可进行500K 写入(以循环方式在每个备用页中以固定偏移写入时)到15M 操作(在两页之间循环时)。

页面和2页页面在此上下文中意味着什么。 EEPROM 被描述为16字的96个块。 页面是否是块？ 这是否与相邻的块相关：block0-block1、block1-Block2？ 是否访问偶数或奇数对奇数这样的非相邻块：block0-Block2或 block1-Block3？

  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Pedro、
    希望此帖子能回答您的问题。
    e2e.ti.com/.../1671100
  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    查尔斯

    让我证实：

    • EEPROM 被描述为96块16字或96页。
    • 2页是32个连续字或2个相邻的块、即扇区大小
    • 500K 写入寿命(以循环方式在每个备用页面中以固定偏移进行写入时)。 这将写入所有偶数块(block0-Block2-block4的字 X 等)或所有偶数块(block1-Block3-block5的字 X 等)的同一地址。
    • 每个2页块可耐受15M 次操作(在两页之间循环时)。 这一次在 block0的 wordc0-worth31上写入32个字，然后 在 block0的 wordc0-worth31上反复写入。 同样、循环浏览 block1的 wordc0-word31、或 Block2、Block3等、

    是这样吗？

    此致、

     佩德罗

  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Pedro、

      一个块包含32个连续字的2页、即扇区大小。 500K 的写入寿命意味着您可以写入任何一个页500K 次的固定偏移量。 假设您写入 page1的 wordsX、然后写入 page2的 wordy、并重复此操作50万次。 请注意、一个块中有两个页、相当于一个扇区。 一个扇区是扇区擦除操作的单元。  

     要获得最大15M 的写入次数，这意味着您需要在两页之间循环，首先写入 wordc0，然后再写入 wordc1…… 继续编写 wordc31、重复此过程即可获得15M 个操作。  

  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    查尔斯

    感谢您提供信息。 一旦一个块磨损、32位字磨损如何响应访问？ 相邻电池是否受到影响？

    如果我们偶尔写入存储单元、但写入次数超过500K 或15M、会发生什么情况？

    此致、
    佩德罗
  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    很棒的洞察力佩德罗-非常好的思考和展示

    Charles -您是否可以建议(500K 和15M 的"操作")是由"理论/计算"还是通过"现实世界"生命测试确定的？ 如果是前一个(理论)-是否尝试验证实际结果？

    此外-系统时钟、MCU 温度、EEPROM 访问频率和 MCU 的"使用年限"(单独和/或总计)对结果产生影响的事实(或可能)是不正确的？

  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Pedro、CB1、
    很抱歉、我不是一名有关闪存/EEPROM 实际测试和认证给定技术的专家、因此从固态物理的角度来看、可能无法给出正确的答案。 每个写入/擦除周期都会使位单元降级、并且每个位只能在变得不可靠之前保持一定数量的降级、这意味着它可能仍然起作用、但与裕量不一致。 如果某个位变得不可靠、那么它所属的逻辑字对访问不可靠。 它不会从用户的角度改变行为、即使其他31位的磨损程度达到90%或0%也是如此。 我只能说、如果您超过了指定的写入次数、您就会因为您超过了 TI 的发布限制而自行承担。

    对于我之前使用过的其他 MCU、写入/擦除周期的数量是根据 PVT (过程、电压、温度)角上的真实测试数据指定的、具有足够的裕度。 我可以尝试了解如何获得15M 个周期。
  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢、Charles。 除了"PVT"、我们可能还会考虑老化的影响-尤其是当器件温度下降速度相当快/极端时。 (当然、(在附近)汽车使用-但对于较小的环境而言也是如此-当 MCU 从"冷"(断电)转换为全速/电流(加电)运行时...)
  • 0
    TI__Guru**** 1709640 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 CB1、
    当然、老化的影响也会被考虑在内、不仅对于闪存/EEPROM、而且对于整个器件。 HTOL 是一种应力测试、用于模拟晶体管老化。 半导体供应商可能会采用设计裕度来考虑晶体管老化(NBTI/CHC)的影响以及其他可能对器件性能产生负面影响的因素(晶圆制造厂到晶圆制造厂的转换、芯片内晶体管变化、I/R 下降、PLL 抖动等)。