[参考译文] TM4C1233H6PZ：TM4C1233H6PZ EEPROM 的数据丢失

您好、Charles、

感谢您的回复。

这是代码。

void main (void)

｛

    /********* /

    /********* 變數宣告******** /

    int lcm_counter= 0x00；

    unsigned char function_selection = 0；

    /********* /

    /********* 初始化******* /

    Initializing ()；  /* System Initialize */

    LCM_Reset ()； // LCM 初始化*/

    /********* /

    /********* EEPROM **** /

    //EEPROM_Reset ()；//重置 EEPROM */

    EERPOM 初始化()；

…………………μ A

｝

空 EERPOM 初始化(空)

｛

    /******** 请查找 EEPROM_ADDRESS、如果您想了解更多详细信息*/

    无符号长整型系数缓冲器= 0x00；

    unsigned char EEPROM_FIRST = 0；

    unsigned char char_buffer = 0；

    unsigned int int_buffer = 0；

    //从 EEPROM 读取数据

    EEPROM_READ_ON_Byte (&EEPROM_FIRST、0、1)；

    EEPROM_READ_two_Byte (∫缓冲区、1、1)；

    if (int_buffer > (volte_COE _MAX * 1000000))

    ｛

        EEPROM_FIRST = 0x00；

    ｝

    其他

    ｛

        INT_buffer = 0；

    ｝

    if (EEPROM_FIRST！= 1)

    ｛

        EEPROM_FIRST = 1；

        //擦除整个 EEPROM。 这并不是绝对必要的、因为与闪存不同、EEPROM 在编程之前无需被擦除。

        //但这将使我们能够在实验中更轻松地查看编程结果。

        EEPROMMassEras()；

        /********* 使用指令更新後，全部內容皆為0xFF 图标 /

        EEPROM_IC_CHIP_ERASE ()；   /***** 擦除内存 ic ***** /

        /********* 第一次使用******** /

        char_buffer = EEPROM_FIRST；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、1)；//设置1 *

        /********* 第一次使用******** /

        /********* 語言********* /

        char_buffer = Language_default；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、2)；//语言：英语*/

        /********* 語言********* /

        /********* 電瓶種類********* /

        char_buffer =电池类型；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、3)；

        /********* 電瓶種類********* /

        /********* 溫度範圍********* /

        char_buffer =温度；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、4)；

        /********* 溫度範圍********* /

        /********* 電壓校正 Voltage_Adjustment_ch0 ******** /

        INT_BUFFER = Voltage_Coefficients_ch0；

        EEPROM_Save_Two_Byte (∫缓冲区、1、1)；//设置4003 *

        /********* 電壓校正 Voltage_Adjustment_ch0 ******** /

        /********* 電壓校正 Voltage_Coefficients_CH1 ******** /

        INT_BUFFER = Voltage_Coefficients_CH1；

        EEPROM_Save_Two_Byte (∫缓冲区、1、2)；//设置4003 *

        /********* 電壓校正 Voltage_Coefficients_CH1 ******** /

……………………μ A 。

｝

在首次使用 MCU 之前、EEPROM 的值为0xFF。

首次使用时、第一个字节设置为0x01、第五个字节和第六个字节设置为0x11 (例如)。

正如您在代码中看到 的、如果第1、第5和第6个值不是上述值、程序将重置该值。

我知道我不应该这样做，我应该保留他们的价值，但是…… 我做到了。

问题是、生产产品上发生了什么情况、客户手中使用2年后 M4 MCU 中的 EEPROM 需要依靠大约2/5000个。

所以我想知道为什么…

我的同事在示例代码中发现了此文本....

//如果电源电压为

//！ 当观察到该返回代码时不稳定、重试一次操作

//！ 电压稳定可能会清除该误差。

它可能是由电压不稳定引起的。

我将首先尝试、并告诉您是否是原因。

谢谢你

陈

您好！

如果在5000个中有2个问题、通常需要检查两年中执行的写入周期数、而不是代码。 可以超过该数字、芯片故障是正常的。 我们在这种存储器上遇到了类似的问题、2...6年后芯片出现故障、但写入周期数已超出、因此我们减少了写入次数。 如果您每次在另一个位置上写时检查并过度写入某个位置、则可以确定这是原因。

这些记忆对于正常使用而言非常可靠、您每次检查和过度写入的做法在我看来是不寻常的、不必要的。

对于2件、只需用新的替换即可。

尽管您回答正确、但我不排除低电压/电源故障问题。

在主电源发生故障后、我使用电容充电来擦除/写入 EEPROM 的器件、这让我感到非常不安。 EEPROM 或闪存擦除/写入可能需要数百万个时钟周期、并会增加功耗。 FRAM/MRAM 将是更安全的替代方案。

您好！

O/p 使用25LC512芯片、此处不应用 Tiva API。。。

您好！

25LC512是64Kx8、因此内部 EEPROM 太低、无法满足用户的需求。

至于 FRAM、我不确定价格、在生产线上、即使是2c 差异也很重要。

看情况而定。 TM4C 本身并不是最小和最便宜的选择、因此 FRAM 可能是一个选项。

幸运的不是我们的决定 ;-)

[引用用户="Bruno Saraiva">顺便说一句、问题 IC 甚至不是这个论坛的 MCU、我想我们太好奇了！ 我有这个 TM4C MCU、它接收来自汽车上4个不同轮胎的胎压数据-最近、Firestone 右前轮胎开始变得太平坦了。 您的男士能帮我找出问题吗？[/引述]

曾为我的前公司的一位客户从事过一个与此类轮胎压力测量系统相关的项目。 当时、他们使用了(ughh) MCP PIC16控制器以及其中一个 ISM 频段(433/866/915MHz)。 发送器部件(测量和传输)是一个一人汇编器代码项目... 我的这家公司后来也有其他汽车客户、我也学到了很多其他东西。

从那时起、我只购买电子产品数量最少的汽车。

但对于您的问题-我确信它与该测量系统无关、而是与阀门或轮胎无关。 问题是-该传感器通常包含在该(Schrader)阀中。 更换可能会有点贵。

[引用 user="Thiago Borba Onofrae"]我没有经验，但5000块板中的2个问题可以视为问题？

这取决于客户。 如果发现有问题、有些人会发回数千个批次。

[引用 user="Thiago Borba Onofrae">您存取存储器的频率如何？ 您的代码是否在存储器中写入了超过100k 次、如果是、它可能不再起作用... [/报价]

IMHO 的磨损似乎不太可能。 除非在最高温度下发生 Mostl 擦除/写入访问、否则100k 代表保证的下限。 温度下降10度时的测量值。 您可以将平均值乘以2。

我曾在一家公司处理过很多损坏的闪存/EEPROM 设置、所有这些都与不良的硬件设计或无知("过于乐观")的软件设计有关。 擦除/写入操作每节电池需要毫秒、功耗也会增加。 如果您在中间拉电流，则会得到观察到的结果...

我认为 OP 可以通过在擦除/写入期间强制断电来测试这一点。 如果这会损坏大量器件、则可以进行硬件重新设计/修复。

您好、F.M.、感谢您的回答！

当您说"糟糕的硬件设计或无知("太乐观")的软件设计"时、您如何克服这些问题？ 您在哪里了解如何实现更好的硬件和软件设计？ 是否有人教过您或更像时间和经验？  

此致！

[引用 user="Thiago Borba Onofrae"]当您说"硬件设计不良或无知("过于乐观")软件设计"时、您如何克服这些问题？

您可能不喜欢我的回答-离开此公司。

[引用 user="Thiago Borba Onofrae"]您在哪里了解了如何实现更好的硬件和软件设计？

当时我有一些经验，但在公司比较新(不到3年，而10年... 15年的"蜘蛛")、并从国外迁入。 更重要的是、它与大规模产品进行了交易、其中硬件成本压倒了(不需要任何不必要的)一切。 大约三分之一的整个代码涉及硬件错误修复和权变措施。 作为一种“外部”，批评项目并在最后证明正确并不是一种更加突出的做法...；-)而且由于公司或其开发部门不想改变，我确实这样做了。 我搬到了一家更加注重软件设计、更注重最大限度降低硬件成本的公司。

[引用用户="Thiago Borba Onofrae">是否有人教过您、或者更像时间和体验？  [/报价]

基本上、我自己学到了很多。 在大学里、我只是用一种编程语言(当时我已经知道)接受了培训、我做了很多项目、包括业余和商业项目、即我工作的公司。 从自己的错误中学习绝对是有益的。

[引述用户="Bruno Saraiva">Chen Hiao、  

您存取存储器的频率如何？ 您的代码是否在存储器中写入了超过100k 次、如果是、它可能不再起作用...  

您可以检查微控制器勘误表... 也许那里有一些东西...

您能否更换这些主板、直至确定主要问题是什么？  

我没有经验、但5000块板中的2个问题可以被视为问题？

[引述用户="Chen Hiao"] EEPROM 读：49次写：每次使用11次。

读取访问没有问题、"写入"就是。

[引述用户="Chen Hsiao"]写：每次使用11次。

什么是"每次使用"？

您能否将其分解为每小时(或每天)写入(可能是每节电池)？

最常写入的单元/块将首先分解。

如果这些故障器件的此数字远低于10000、您可能会在一开始排除磨损问题。

如前所述、擦除/写入需要毫秒。 对于具有80MHz 内核时钟的 MCU 而言、这是一段很长的时间。

问题是，当写访问被断电中断时，MCU 和 EEPROM 会发生什么情况？ 您的电路板上可能有一些电解电容、将 Vcc 保持几毫秒。 我想它不会使您的系统保持足够长的时间来完成写入访问。

我参与了一个处理类似问题的项目。 断电后、它必须将多个值保存到闪存/EEPROM 中。 该器件由市电供电(240V)、并具有一个电解电容、设计用于为此写入过程供电的时间足够长、包括一些安全裕量。 当然、它有一个传感器输入来检测电源故障。

我的建议是这条线路上的内容。 您可能需要检测断电情况、以避免过多的写入访问。 您可能需要电源(CAP 存储)才能在完全中断前完成至少一个擦除/写入访问。 当然、这需要重新设计硬件。

第二个选项是以连续顺序存储多个版本的数据、包括一些校验和、如果检测到损坏、则返回到最后一个"正确"集。 不涉及硬件更改、但涉及非常重要的软件更改。

或者、您可以接受与此当前问题保持一致。