[参考译文] TM4C1233H6PZ：TM4C1233H6PZ EEPROM 的数据丢失

您好、Charles、

感谢您的回复。

这是代码。

void main (void)

｛

    /********* /

    /********* 變數宣告******** /

    int lcm_counter= 0x00；

    unsigned char function_selection = 0；

    /********* /

    /********* 初始化******* /

    Initializing ()；  /* System Initialize */

    LCM_Reset ()； // LCM 初始化*/

    /********* /

    /********* EEPROM **** /

    //EEPROM_Reset ()；//重置 EEPROM */

    EERPOM 初始化()；

…………………μ A

｝

空 EERPOM 初始化(空)

｛

    /******** 请查找 EEPROM_ADDRESS、如果您想了解更多详细信息*/

    无符号长整型系数缓冲器= 0x00；

    unsigned char EEPROM_FIRST = 0；

    unsigned char char_buffer = 0；

    unsigned int int_buffer = 0；

    //从 EEPROM 读取数据

    EEPROM_READ_ON_Byte (&EEPROM_FIRST、0、1)；

    EEPROM_READ_two_Byte (∫缓冲区、1、1)；

    if (int_buffer > (volte_COE _MAX * 1000000))

    ｛

        EEPROM_FIRST = 0x00；

    ｝

    其他

    ｛

        INT_buffer = 0；

    ｝

    if (EEPROM_FIRST！= 1)

    ｛

        EEPROM_FIRST = 1；

        //擦除整个 EEPROM。 这并不是绝对必要的、因为与闪存不同、EEPROM 在编程之前无需被擦除。

        //但这将使我们能够在实验中更轻松地查看编程结果。

        EEPROMMassEras()；

        /********* 使用指令更新後，全部內容皆為0xFF 图标 /

        EEPROM_IC_CHIP_ERASE ()；   /***** 擦除内存 ic ***** /

        /********* 第一次使用******** /

        char_buffer = EEPROM_FIRST；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、1)；//设置1 *

        /********* 第一次使用******** /

        /********* 語言********* /

        char_buffer = Language_default；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、2)；//语言：英语*/

        /********* 語言********* /

        /********* 電瓶種類********* /

        char_buffer =电池类型；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、3)；

        /********* 電瓶種類********* /

        /********* 溫度範圍********* /

        char_buffer =温度；

        EEPROM_Save_One_Byte (&char_buffer、0、4)；

        /********* 溫度範圍********* /

        /********* 電壓校正 Voltage_Adjustment_ch0 ******** /

        INT_BUFFER = Voltage_Coefficients_ch0；

        EEPROM_Save_Two_Byte (∫缓冲区、1、1)；//设置4003 *

        /********* 電壓校正 Voltage_Adjustment_ch0 ******** /

        /********* 電壓校正 Voltage_Coefficients_CH1 ******** /

        INT_BUFFER = Voltage_Coefficients_CH1；

        EEPROM_Save_Two_Byte (∫缓冲区、1、2)；//设置4003 *

        /********* 電壓校正 Voltage_Coefficients_CH1 ******** /

……………………μ A 。

｝

在首次使用 MCU 之前、EEPROM 的值为0xFF。

首次使用时、第一个字节设置为0x01、第五个字节和第六个字节设置为0x11 (例如)。

正如您在代码中看到 的、如果第1、第5和第6个值不是上述值、程序将重置该值。

我知道我不应该这样做，我应该保留他们的价值，但是…… 我做到了。

问题是、生产产品上发生了什么情况、客户手中使用2年后 M4 MCU 中的 EEPROM 需要依靠大约2/5000个。

所以我想知道为什么…

我的同事在示例代码中发现了此文本....

//如果电源电压为

//！ 当观察到该返回代码时不稳定、重试一次操作

//！ 电压稳定可能会清除该误差。

它可能是由电压不稳定引起的。

我将首先尝试、并告诉您是否是原因。

谢谢你

陈

您好！

如果在5000个中有2个问题、通常需要检查两年中执行的写入周期数、而不是代码。 可以超过该数字、芯片故障是正常的。 我们在这种存储器上遇到了类似的问题、2...6年后芯片出现故障、但写入周期数已超出、因此我们减少了写入次数。 如果您每次在另一个位置上写时检查并过度写入某个位置、则可以确定这是原因。

这些记忆对于正常使用而言非常可靠、您每次检查和过度写入的做法在我看来是不寻常的、不必要的。

对于2件、只需用新的替换即可。

尽管您回答正确、但我不排除低电压/电源故障问题。

在主电源发生故障后、我使用电容充电来擦除/写入 EEPROM 的器件、这让我感到非常不安。 EEPROM 或闪存擦除/写入可能需要数百万个时钟周期、并会增加功耗。 FRAM/MRAM 将是更安全的替代方案。

您好！

O/p 使用25LC512芯片、此处不应用 Tiva API。。。

您好！

25LC512是64Kx8、因此内部 EEPROM 太低、无法满足用户的需求。

至于 FRAM、我不确定价格、在生产线上、即使是2c 差异也很重要。

看情况而定。 TM4C 本身并不是最小和最便宜的选择、因此 FRAM 可能是一个选项。

幸运的不是我们的决定 ;-)

[引用 user="Thiago Borba Onofrae"]我没有经验，但5000块板中的2个问题可以视为问题？

这取决于客户。 如果发现有问题、有些人会发回数千个批次。

[引用 user="Thiago Borba Onofrae">您存取存储器的频率如何？ 您的代码是否在存储器中写入了超过100k 次、如果是、它可能不再起作用... [/报价]

IMHO 的磨损似乎不太可能。 除非在最高温度下发生 Mostl 擦除/写入访问、否则100k 代表保证的下限。 温度下降10度时的测量值。 您可以将平均值乘以2。

我曾在一家公司处理过很多损坏的闪存/EEPROM 设置、所有这些都与不良的硬件设计或无知("过于乐观")的软件设计有关。 擦除/写入操作每节电池需要毫秒、功耗也会增加。 如果您在中间拉电流，则会得到观察到的结果...

我认为 OP 可以通过在擦除/写入期间强制断电来测试这一点。 如果这会损坏大量器件、则可以进行硬件重新设计/修复。

您好、F.M.、感谢您的回答！

当您说"糟糕的硬件设计或无知("太乐观")的软件设计"时、您如何克服这些问题？ 您在哪里了解如何实现更好的硬件和软件设计？ 是否有人教过您或更像时间和经验？  

此致！

[引用 user="Thiago Borba Onofrae"]当您说"硬件设计不良或无知("过于乐观")软件设计"时、您如何克服这些问题？

您可能不喜欢我的回答-离开此公司。

[引用 user="Thiago Borba Onofrae"]您在哪里了解了如何实现更好的硬件和软件设计？

当时我有一些经验，但在公司比较新(不到3年，而10年... 15年的"蜘蛛")、并从国外迁入。 更重要的是、它与大规模产品进行了交易、其中硬件成本压倒了(不需要任何不必要的)一切。 大约三分之一的整个代码涉及硬件错误修复和权变措施。 作为一种“外部”，批评项目并在最后证明正确并不是一种更加突出的做法...；-)而且由于公司或其开发部门不想改变，我确实这样做了。 我搬到了一家更加注重软件设计、更注重最大限度降低硬件成本的公司。

[引用用户="Thiago Borba Onofrae">是否有人教过您、或者更像时间和体验？  [/报价]

基本上、我自己学到了很多。 在大学里、我只是用一种编程语言(当时我已经知道)接受了培训、我做了很多项目、包括业余和商业项目、即我工作的公司。 从自己的错误中学习绝对是有益的。

[引述用户="Bruno Saraiva">Chen Hiao、  

您存取存储器的频率如何？ 您的代码是否在存储器中写入了超过100k 次、如果是、它可能不再起作用...  

您可以检查微控制器勘误表... 也许那里有一些东西...

您能否更换这些主板、直至确定主要问题是什么？  

我没有经验、但5000块板中的2个问题可以被视为问题？

[引述用户="Chen Hiao"] EEPROM 读：49次写：每次使用11次。

读取访问没有问题、"写入"就是。

[引述用户="Chen Hsiao"]写：每次使用11次。

什么是"每次使用"？

您能否将其分解为每小时(或每天)写入(可能是每节电池)？

最常写入的单元/块将首先分解。

如果这些故障器件的此数字远低于10000、您可能会在一开始排除磨损问题。

如前所述、擦除/写入需要毫秒。 对于具有80MHz 内核时钟的 MCU 而言、这是一段很长的时间。

问题是，当写访问被断电中断时，MCU 和 EEPROM 会发生什么情况？ 您的电路板上可能有一些电解电容、将 Vcc 保持几毫秒。 我想它不会使您的系统保持足够长的时间来完成写入访问。

我参与了一个处理类似问题的项目。 断电后、它必须将多个值保存到闪存/EEPROM 中。 该器件由市电供电(240V)、并具有一个电解电容、设计用于为此写入过程供电的时间足够长、包括一些安全裕量。 当然、它有一个传感器输入来检测电源故障。

我的建议是这条线路上的内容。 您可能需要检测断电情况、以避免过多的写入访问。 您可能需要电源(CAP 存储)才能在完全中断前完成至少一个擦除/写入访问。 当然、这需要重新设计硬件。

第二个选项是以连续顺序存储多个版本的数据、包括一些校验和、如果检测到损坏、则返回到最后一个"正确"集。 不涉及硬件更改、但涉及非常重要的软件更改。

或者、您可以接受与此当前问题保持一致。