请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TM4C1294NCPDT 您好！
我正在寻找与 TI 用于计算 MOSC 晶体最坏情况驱动水平(WC DI)的公式相关的信息
数据表 (第1840页) 指出：
该表还包括三列建议的组件值。 这些值适用于系统板组件。 C1和 C2是负载电容的皮法值、应放置在晶振引脚的每个桥臂上、以确保以正确的频率振荡。 Rs 是在 OSC1引脚和晶振引脚之间与晶振串联的电阻器的值、以 kΩ μ F 为单位。 RS 会耗散部分功率、因此不会超过 Max DL 晶振参数。 只能将建议的 C1、C2和 Rs 值与相关的晶振部件一起使用。 在仿真中使用了表中的值、以确保晶体启动并确定最坏情况下的驱动水平(WC DL)。 WC DL 列中的值不应大于 Max DL Crystal 参数。 WC DL 值可用于确定具有类似参数值但 Max DL 值较低的晶体是否可接受。
根据 TM4C 数据表(第1839页)、我正在查看最大 DI 为100µW μ A 的晶体；
| 参数 | 参数名称 | 最小 | 标称值 | 最大 | 和功能 |
| DL | 振荡器输出驱动电平 f | - | OSCPWR | - | 兆瓦 |
f. OSCPWR =(2 * PI * FP * CL * 2.5) 2 * ESR / 2。 根据电路中晶体的 CL、FP 和 ESR 参数估算提供给晶体的典型功率、这些参数由 OSCPWR 公式计算得出。 确保为 OSCPWR 计算的值不超过晶振的驱动电平最大值。
当我使用公式(f)时、插入以下值：
fp = 25000000 Hz
CL = 8.0e-12法拉
ESR =Ω Ω
我得到 OSCPWR = 246.74µW μ A、这高于制造商列出的最大 DI 为100µW μ A。
因此、我想知道 TI 使用什么公式来确定 WC DI (最坏情况下的驱动水平)或 RS (串联耗散电阻器)
