对于 25MHz 晶体、是否有任何电流消耗信息、如数据表第30.23节中列出的信息? 我使用 的是一个项目的参考设计、并注意 到使用了25MHz 晶体、但最接近的电流消耗信息是针对16MHz 晶体。
谢谢、
Alex
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对于 25MHz 晶体、是否有任何电流消耗信息、如数据表第30.23节中列出的信息? 我使用 的是一个项目的参考设计、并注意 到使用了25MHz 晶体、但最接近的电流消耗信息是针对16MHz 晶体。
谢谢、
Alex
我在这个主题上还有另一个"接受"-可能是或可能不是证明兴趣/价值。
很久以前(大约2010年 irc)、我们体验了多个"LM3S" MCU (在这里介绍的第一个)、我们发现、"使用最高的"合法"外部晶体频率-产生的功耗最低!" 在所有此类测试用例中、我们采用了 MCU 的 PLL、并以最高法定 MCU 系统时钟运行。 始终且仅限-仅限晶体-已更改-然后测试...
在尝试"科学合理"(至少在表面上)时、我们选择了多个"已知/可信"晶体制造商提供的晶体、这些制造商提供了"低、中和最大"频率、所有这些频率均符合 MCU 的规格。 (并采用制造商规格、旁路电容器)
几乎始终-使用"最高法定频率、外部晶振"可产生最低的 MCU 工作电流。 (我们保证了(通常) MCU 外设的"合理"使用-我们的测试软件被"锁定"-并且我们的"温度和电压条件" 尽可能接近。)
最近(可能是2015年)、我们在另一个 Cortex M4 (运行180MHz)上重复了此类测试、结果相同。
经证实、电流消耗之间的差异约为4-8%、其中最大差异标注在(合法)"最小值和最大值"外部晶振频率之间。 此外-电流随"活动的 MCU 外设数量"(这是预期的)而增加、并且不同的外设改变了"定量"结果-从不改变这些"定性!" (即频率越高、功耗就越低!)
我们(未经证实)的解释是、MCU 的 PLL 需要更多的能量来"旋转"-当采用较低的晶体频率时...