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[参考译文] TMS570LS1227：HET 程序

admin
Guru**** 1796780 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357, HALCOGEN
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/567368/tms570ls1227-het-program

器件型号：TMS570LS1227
主题中讨论的其他器件：TMS570LC4357、 HALCOGEN

您好！  

我正在使用 TMS 570 LS1227、并希望以 交替方式生成2个占空比、但它不起作用  

我已经 针对 基本 HET 程序通过"C"代码更新了新占空比。 

；在比较匹配事件
L00 CNT 时具有同步占空比更新的 PWM ｛REG=A、IRQ=OFF、max= 100｝
L01 ECMP｛NEX=L02、en_pin_action=on、PIN=2、action=PULSELO、REG=A、data=10、hr_data=0｝；
L02 BR｛NEX=L00、COND_addr=L03、EVENT_ZERO｝；在完成1后、REG=32、
远程数据=0、L0=0、L0、L0=0、L0=0、L0=0、L0=0、L0=0、L0=NOW= 1、NOW= 1、NOW= 1、L0=NOW= 1、NOW= 1、NOW= 1 
-------------------------------------------------------------------- 
int main (void)
｛
/*用户代码 begin (3)*/


int i、j；

hetInit（)；
while (1)
｛
i=20；
hetRAM1->Instruction [L03].Data = i << 7；//将占空比更改为20%
(j=0；j<10000；j++)；//RAM1<i 循环<
I 03+7；直到写入新
指令为止<hetr\n 数据<i 循环<i+40%；/i 循环<hetrechnle<<i = 1；I 循环< I 写入1 < I +。 //将占空比更改为60%
}//

用户代码结束*/

返回0;
｝

--------------------------------------------------------------------

 示波器上的 O/P -  

是否是导致错误的延迟？  

此致、

Suyog

  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    是的、延迟是更新占空比的简单但粗略的方法。

    您需要有两个延迟、每次更新后一个延迟。

    第15行执行和第11行再次执行之间的时间非常短。 可能小于1 HET 环路、并且很有可能很容易错过第15行上的占空比更新(大部分时间)。 有时您可能会很幸运、但这种情况不常见。
  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我尝试了相同的方法、但它没有使用- 

    int main (void)
｛
/*用户代码 begin (3)*/


int i、j；

hetInit（)；
while (1)
｛
i=20；
hetRAM1->Instruction [L03].Data = i << 7；//将占空比更改为20%
(j=0；j<10000；j++)；//RAM1<i 循环<
I 03+7；直到写入新
指令为止<hetr\n 数据<i 循环<i+40%；/i 循环<hetrechnle<<i = 1；I 循环< I 写入1 < I +。 //将占空比更改为60%
(j=0；j<10000；j++)；
}//

用户代码结束*/

返回0;
｝

     您是否有用于重写和更新操作的示例程序？

    您能告诉我如何处理延迟问题吗？

    是否有任何方法读取当前 HET 寄存器值？

    我们是否可以为 HET 寄存器添加观察/断点？

    此致、

    Suyog

  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您可能需要更长的延迟才能实现更长的占空比。

    这里的问题是您异步写入 hetRAM1->Instruction [L03].Data 的比较'缓冲器'寄存器。
    如果您在 ECMP 发生之前过度写入此值、以将"缓冲区"复制到操作比较寄存器中、则在过渡期间的值
    永远不会导致您在引脚上看到任何内容。

    HET 具有中断功能、因此您可以在 ISR 内进行更新。 您始终可以"轮询"中断状态、而不是
    如果只需要延迟循环代码等简单代码、则获取实际中断。
    我建议尝试(启用 ECMP 指令上的中断并在写入 hetRAM1->Instruction [L03].Data 地址之前轮询中断的状态。 然后、还要确保清除中断标志、以便您可以重复该过程。
  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
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    我对 MC 编程不是很新鲜。 我会在清楚之后再返回给您。  直到我理解...

    while (1)

    ｛

      if (Interrupt_flag = set)  // set = 0x2？

         ｛

            向数据字段写入新的占空比  

            INTERRUPT_FLAG =复位     

         ｝

    ｝

  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    基本来说、这是正确的。

    不过、请务必阅读 TRM 章节以了解任何硬件寄存器、尤其是当您了解硬件时。

    硬件寄存器和"普通存储器"之间的区别在于、硬件寄存器可以在后台由 CPU 以外的其他内容更改、有时硬件的设计与存储器不同。

    例如，您可能会找到一个寄存器说明，显示“要清除一个位，请将'1'写入该位”... 听起来与您的期望相反、但这有很好的理由。 您可能还会找到寄存器、在这里读取寄存器会将置位的任何位清零。

    现在、对于 HETFLG 寄存器、如果您查看寄存器说明、您将看到：

    0读取：标志被清除后、没有到达带有中断的 N2HET 指令。
    写入：无效。

    1读取：标志被清除后、一个带有中断的 N2HET 指令已经到达。
    写入：清除该位。

    这是一个写入1来清除类型寄存器。

    现在、如果有任何中断标志被置位、读取另一种方法是读取 HETOFF1等偏移寄存器中的一个。
    但请注意此处的精细打印：
    注意：在任何读取操作模式下、相应的标志(在 HETFLG 模式下)也会被清除。 仿真中
    模式相应的标志不会被清除。

    因此、如果您从 HETOFF1读取"等效"信息、则需要注意读取-清除副作用。

    只是尝试给出一些示例、说明您在 MCU 新手上说了什么... 但您走的是正确的道路。

    此致、
    Anthony
  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
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    您好、Anthony、

    我在 TMS570LC4357中的 HETFLG 感到非常艰难。

    它始终置位或从不置位。

    我假设在读取 hetREG1->OFF1时它会在 void het1HighLevelInterrupt (void)中自动复位。

    我认为在使用 XDS100v2时、该线程在读取时不会复位？

    如果我断开评估板的 USB 电缆、读取时也不会重置。

    如果我在 ISR 中复位它(如上所述写入1) 、我在设置 hetREG1->GCR 的 LSB 时获得第一个中断、但再也不会。

    如果我没有在 ISR 中复位、它永远不会复位、并且每~300ns 进入一次 ISR。

    如何检测 HETram 中的代码是否有效？ 在 HET IDE 中、它看起来工作正常。

    提前感谢您的任何建议

    BR Olaf

  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
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    您好 Olaf、

    您应该首先意识到、可以配置器件、以便 HET 在 CPU 暂停时继续运行(在暂停时继续)。

    在这种情况下、您将继续具有 HET 请求中断、您可能看起来永远不能清除中断标志；因为在 CCS 读取存储器并再次更新显示所需的时间内、您的 HET 程序可能已经请求了另一个中断。

    读取 hetREG1->OFF1只清除1中断标志。 最高优先级。 因此、如果有多个 HET 指令正在中断、则需要多次读取 hetREG1->OFF1、直到它返回0、才能实际清除 CPU 的中断请求。

    您可以观看 HETADDR 寄存器并将 CCS 设置为自动更新它的值... 如果您看到它发生了变化、那么您知道 HET 正在运行。 或者、您可以检查 HETGCR；如果位0被置位、那么 HET 正在运行某些东西。 它可能不是你认为它应该是... 但是、只要到位被置位、它就会执行 HET RAM 中的任何内容。
  • 0
    TI__Guru**** 1796780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Anthony、
    在 Halcogen 中禁用"忽略挂起"。  
    Nhet1_GlbCtrl 将读取
    0x00010001   未置位、主器件置位 、至置位。

    但 Nhet1_Addr 始终为00000005

    在 HET IDE 中删除断点后、地址始终为

    地址   指针   0x000000D7   0xFFF7B808    
    但是 HET 程序只有6个步长(0..5)

    Nhet1_IntEnaSet
    00000018
    Nhet1_IntEnaClr
    00000018

    只有一个中断正暂挂：

    偏移1   指针   0x00000005   0xFFF7B80C    
    IntFlg   指针   0x00000010   0xFFF7B828    

    HET 代码似乎被停止、但是到仍然被设定？
    此致
    OLAF

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    TI__Guru**** 1796780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    已解决！

    我在调试 HET 代码的奇怪和意外行为时浪费了很多时间。  
    为了绝望、我决定在剩余的 HET RAM 中填充第一条指令的"保护性"分支指令：

    PROTECT1  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    PROTECT2  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    PROTECT3  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    PROTECT4  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    PROTECT5  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    PROTECT6  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    PROTECT7  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
    …

    现在工作了、我获得 HET 中断、IntFlgs 按预期清零、示波器中测量的时序按预期。

    问题：
    为了避免 HET RAM 中的奇怪行为和奇偶校验错误、针对未使用的 HET RAM 建议的初始化值是多少？

    建议：
    在自动生成的代码中插入一个初始化以用中的"安全"初始化值填充 HET RAM 的未使用部分
       void hetInit (void)。
    当前初始化
       (void) memcpy ((void*) hetRAM1、(void*) HET_INIT0_PST、sizeof (HET_INIT0_PST)；
    限制为 sizeof (use-HETRAM)。 我在执行自己的初始化之前在未使用的区域中找到了随机数。 。

    此致

    OLAF