[参考译文] TMS570LS1227：HET 程序

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Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357, HALCOGEN

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/567368/tms570ls1227-het-program

器件型号：TMS570LS1227
主题中讨论的其他器件：TMS570LC4357、 HALCOGEN

您好！

我正在使用 TMS 570 LS1227、并希望以交替方式生成2个占空比、但它不起作用

我已经针对基本 HET 程序通过"C"代码更新了新占空比。

；在比较匹配事件
L00 CNT 时具有同步占空比更新的 PWM ｛REG=A、IRQ=OFF、max= 100｝
L01 ECMP｛NEX=L02、en_pin_action=on、PIN=2、action=PULSELO、REG=A、data=10、hr_data=0｝；
L02 BR｛NEX=L00、COND_addr=L03、EVENT_ZERO｝；在完成1后、REG=32、
远程数据=0、L0=0、L0、L0=0、L0=0、L0=0、L0=0、L0=0、L0=NOW= 1、NOW= 1、NOW= 1、L0=NOW= 1、NOW= 1、NOW= 1

-------------------------------------------------------------------- 
int main (void)
｛
/*用户代码 begin (3)*/


int i、j；

hetInit（)；
while (1)
｛
i=20；
hetRAM1->Instruction [L03].Data = i << 7；//将占空比更改为20%
(j=0；j<10000；j++)；//RAM1<i 循环<
I 03+7；直到写入新
指令为止<hetr\n 数据<i 循环<i+40%；/i 循环<hetrechnle<<i = 1；I 循环< I 写入1 < I +。 //将占空比更改为60%
}//

用户代码结束*/

返回0;
｝

--------------------------------------------------------------------

示波器上的 O/P -

是否是导致错误的延迟？

此致、

Suyog

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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是的、延迟是更新占空比的简单但粗略的方法。

您需要有两个延迟、每次更新后一个延迟。

第15行执行和第11行再次执行之间的时间非常短。可能小于1 HET 环路、并且很有可能很容易错过第15行上的占空比更新(大部分时间)。有时您可能会很幸运、但这种情况不常见。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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您好！

我尝试了相同的方法、但它没有使用-

int main (void)
｛
/*用户代码 begin (3)*/


int i、j；

hetInit（)；
while (1)
｛
i=20；
hetRAM1->Instruction [L03].Data = i << 7；//将占空比更改为20%
(j=0；j<10000；j++)；//RAM1<i 循环<
I 03+7；直到写入新
指令为止<hetr\n 数据<i 循环<i+40%；/i 循环<hetrechnle<<i = 1；I 循环< I 写入1 < I +。 //将占空比更改为60%
(j=0；j<10000；j++)；
}//

用户代码结束*/

返回0;
｝

您是否有用于重写和更新操作的示例程序？

您能告诉我如何处理延迟问题吗？

是否有任何方法读取当前 HET 寄存器值？

我们是否可以为 HET 寄存器添加观察/断点？

此致、

Suyog

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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您可能需要更长的延迟才能实现更长的占空比。

这里的问题是您异步写入 hetRAM1->Instruction [L03].Data 的比较'缓冲器'寄存器。
如果您在 ECMP 发生之前过度写入此值、以将"缓冲区"复制到操作比较寄存器中、则在过渡期间的值
永远不会导致您在引脚上看到任何内容。

HET 具有中断功能、因此您可以在 ISR 内进行更新。您始终可以"轮询"中断状态、而不是
如果只需要延迟循环代码等简单代码、则获取实际中断。
我建议尝试(启用 ECMP 指令上的中断并在写入 hetRAM1->Instruction [L03].Data 地址之前轮询中断的状态。然后、还要确保清除中断标志、以便您可以重复该过程。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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我对 MC 编程不是很新鲜。我会在清楚之后再返回给您。直到我理解...

while (1)

｛

if (Interrupt_flag = set) // set = 0x2？

｛

向数据字段写入新的占空比

INTERRUPT_FLAG =复位

｝

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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基本来说、这是正确的。

不过、请务必阅读 TRM 章节以了解任何硬件寄存器、尤其是当您了解硬件时。

硬件寄存器和"普通存储器"之间的区别在于、硬件寄存器可以在后台由 CPU 以外的其他内容更改、有时硬件的设计与存储器不同。

例如，您可能会找到一个寄存器说明，显示“要清除一个位，请将'1'写入该位”... 听起来与您的期望相反、但这有很好的理由。您可能还会找到寄存器、在这里读取寄存器会将置位的任何位清零。

现在、对于 HETFLG 寄存器、如果您查看寄存器说明、您将看到：

0读取：标志被清除后、没有到达带有中断的 N2HET 指令。
写入：无效。

1读取：标志被清除后、一个带有中断的 N2HET 指令已经到达。
写入：清除该位。

这是一个写入1来清除类型寄存器。

现在、如果有任何中断标志被置位、读取另一种方法是读取 HETOFF1等偏移寄存器中的一个。
但请注意此处的精细打印：
注意：在任何读取操作模式下、相应的标志(在 HETFLG 模式下)也会被清除。仿真中
模式相应的标志不会被清除。

因此、如果您从 HETOFF1读取"等效"信息、则需要注意读取-清除副作用。

只是尝试给出一些示例、说明您在 MCU 新手上说了什么... 但您走的是正确的道路。

此致、
Anthony

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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您好、Anthony、

我在 TMS570LC4357中的 HETFLG 感到非常艰难。

它始终置位或从不置位。

我假设在读取 hetREG1->OFF1时它会在 void het1HighLevelInterrupt (void)中自动复位。

我认为在使用 XDS100v2时、该线程在读取时不会复位？

如果我断开评估板的 USB 电缆、读取时也不会重置。

如果我在 ISR 中复位它(如上所述写入1) 、我在设置 hetREG1->GCR 的 LSB 时获得第一个中断、但再也不会。

如果我没有在 ISR 中复位、它永远不会复位、并且每~300ns 进入一次 ISR。

如何检测 HETram 中的代码是否有效？在 HET IDE 中、它看起来工作正常。

提前感谢您的任何建议

BR Olaf

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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您好 Olaf、

您应该首先意识到、可以配置器件、以便 HET 在 CPU 暂停时继续运行(在暂停时继续)。

在这种情况下、您将继续具有 HET 请求中断、您可能看起来永远不能清除中断标志；因为在 CCS 读取存储器并再次更新显示所需的时间内、您的 HET 程序可能已经请求了另一个中断。

读取 hetREG1->OFF1只清除1中断标志。最高优先级。因此、如果有多个 HET 指令正在中断、则需要多次读取 hetREG1->OFF1、直到它返回0、才能实际清除 CPU 的中断请求。

您可以观看 HETADDR 寄存器并将 CCS 设置为自动更新它的值... 如果您看到它发生了变化、那么您知道 HET 正在运行。或者、您可以检查 HETGCR；如果位0被置位、那么 HET 正在运行某些东西。它可能不是你认为它应该是... 但是、只要到位被置位、它就会执行 HET RAM 中的任何内容。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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谢谢 Anthony、
在 Halcogen 中禁用"忽略挂起"。
Nhet1_GlbCtrl 将读取
0x00010001 未置位、主器件置位、至置位。

但 Nhet1_Addr 始终为00000005

在 HET IDE 中删除断点后、地址始终为

地址指针 0x000000D7 0xFFF7B808
但是 HET 程序只有6个步长(0..5)

Nhet1_IntEnaSet
00000018
Nhet1_IntEnaClr
00000018

只有一个中断正暂挂：

偏移1 指针 0x00000005 0xFFF7B80C
IntFlg 指针 0x00000010 0xFFF7B828

HET 代码似乎被停止、但是到仍然被设定？
此致
OLAF

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 1796640 points

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已解决！

我在调试 HET 代码的奇怪和意外行为时浪费了很多时间。
为了绝望、我决定在剩余的 HET RAM 中填充第一条指令的"保护性"分支指令：

PROTECT1  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
PROTECT2  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
PROTECT3  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
PROTECT4  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
PROTECT5  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
PROTECT6  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
PROTECT7  BR｛NEX=STARTEN、COND_addr=STARTEN、EVENT=NOCOND｝；
…

现在工作了、我获得 HET 中断、IntFlgs 按预期清零、示波器中测量的时序按预期。

问题：
为了避免 HET RAM 中的奇怪行为和奇偶校验错误、针对未使用的 HET RAM 建议的初始化值是多少？

建议：
在自动生成的代码中插入一个初始化以用中的"安全"初始化值填充 HET RAM 的未使用部分
void hetInit (void)。
当前初始化
(void) memcpy ((void*) hetRAM1、(void*) HET_INIT0_PST、sizeof (HET_INIT0_PST)；
限制为 sizeof (use-HETRAM)。我在执行自己的初始化之前在未使用的区域中找到了随机数。。

此致

OLAF

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)

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