[参考译文] CCS/TM4C129ENCPDT：连接到目标时出错

感受您的痛苦-这种"连接失败"经常出现在这里。   BTW——非常详细，布置得很好——做得很好！

在我看来、您的旧设计和新设计都不包含"外部上拉电阻器"、这种设计总是很有用的。 (MCU 的内部引脚值太高、无法始终启用正确的 JTAG 操作-不受舍入信号边沿和反射的影响)

一个出色的多供应商(即实数) JTAG 探针(即 J-Link)也因产生"更可靠的连接"而闻名。 (您的"工作一次"并不能阻止(过去)工作(当时)"边际"(现在)不足！) 这就是现实-低成本"工具"无法与"专用工具"竞争-正如您/许多其他人所注意到的。

我也会检查和比较两个板的电流消耗。

JTAG 信号的示波器监控-首先是在"工作(旧)板"上、然后是"故障(新)板"-也会显示...  (提供最可靠的"纠正手段"。)

使用"实际/pro/专用设计的 JTAG 探头"并包含外部上拉电阻器、这突出了您 的"最佳路径"。

[引用 USER="CB1_MOBIT)]您的旧设计和新设计-我认为不包括"外部上拉电阻器"-这始终是有用的。 (MCU 的内部信号值太高、无法始终启用正确的 JTAG 操作-不受舍入信号边缘和反射的影响)[/QUERP]

此处同意 CB1。 此外、未显示 JTAG 连接器、但它应具有去尖峰电容。

[引用 USER="CB1_MOBIT]JTAG 探针(即 J-Link)也因实现"更可靠的连接"而闻名。 (您的"工作一次"并不能阻止(过去)工作(当时)"边际"(现在)不足！) 这就是现实-低成本的"工具"无法与"专用工具"竞争-正如您/许多其他人所注意到的。

完全同意。

我不喜欢您的复位电路、我更希望看到合适的监控器。  也就是说、很多人确实使用这种类型。

正如 CB1通常所要求的那样。 您是否尝试过多种电路板？

Robert

正如海报所报告的"第一板工作正常"-重置电路"持续"(即不变)是否(最有可能)、并且只有海报的"瞬时开关惯例"存在缺陷？   

这么多的" 连接失败"经常是这样的、在某个时候、这是否应该(真的)得到解决？

"时间、努力、能源"被投入到"屠杀"("象样")-然而(显然)解决 "众所周知、禁用和破坏"(未连接)问题的时间/精力/精力不足！

Bob、您好！

RST 引脚上的电平为高电平、此开关被连接至一个 GPIO 引脚而非复位引脚。

下面是 JTAG 连接器、这两者都是相似的

TM4C129E MCU 是否有任何配置引脚(上拉/下拉引脚会导致一些问题)？  

此致、

Muhsin Ali

您好、Robert、

是的、我尝试了两个新板、存在相同的问题。  

下面是 JTAG 的图像  

TM4C129E MCU 是否有任何配置引脚(上拉/下拉引脚会导致一些问题)？  

此致、

Muhsin Ali

问候语-您尝试了其他板后感觉良好-测试(仅限)单个板过于频繁地"消耗"时间/能量。

我的朋友-您的原理图显示没有外部上拉电阻器！   依赖 MCU 内部电阻器的"过高"值是"高风险"、虽然可能"有时"工作、但不能依赖它！  添加外部上拉电阻器(即使是临时)并重新启动测试也不会太困难。

要获得更"深入"的解决方案(但仍采用外部 Rs)-请访问"Segger "站点-并调查他们慷慨提供的"世界最畅销(Real) JTAG 探头-"J-Link"的"教育折扣"。   这里的这些器件的时间/精力/开发资金不可能与"J-Link"中的时间/精力/开发资金相匹配-而且它与供应商无关-您可以使用来自"所有供应商"的 ARM MCU -而不仅仅是希望"锁定您"的"单个供应商"。

进行电路板电流测量-以防万一。   您的示波器监视器和捕获(两者都是)良好板(接受 JTAG)和不良板(即太频繁-此处的内容)应该会证明很有用...

确实--正如英国石油公司所指出的那样，需要有这种限制性商业惯例。 (他从 Amit (他在这里指导了这么多人)学习到了这一点。

使用该供应商的 MCU 生产了超过7K 的电路板-我们从未使用过 BP 提到的系列(xtal 电路) R。   129系列中可能存在"额外灵敏度"-这是我们从未使用过的！  (与200MHz+ M4一样-具有 DAC -和图形加速器-更加紧密地- "dot the Cortex-M landscape！")

令人惊讶的是、您原来(旧)的电路板"工作"减去该电阻器。 与(大多数)一样，仍然缺乏供应商(适当的)对这种重要要求的高度了解。   (但他们"发现时间和意愿"却"禁止此类！")   令人愉快的资源滥用...

[引用 user="Muhsin Ali"]在新电路板中安装旧晶体[/quot]

更令人惊讶 的     是、MOSC 在 OSC1 MCU 引脚59上启动适当的振荡而没有串联谐振(R2k)。 数据表警告 ： 如果省略串联电阻器、则 MOSC/Y1或两者都会损坏。  也许可以切割 OSC1走线芯片小截面用   小 刀尖两侧刮去阻焊层、 在 R2k SMD 中焊接。  

[报价 USER="CB1_MOBIT]所有此类(工厂)"129"电路板都采用"xtal ckt、Series R"吗？ 这样会告诉您-不会吗？[/引述]

至少对于'123、串联 R 的存在和值取决于晶体。 此类电阻器的用途是限制对晶体的驱动。 我希望'129将使用具有类似限制的类似电路、如果不是相同电路。

"123用户手册列出了建议使用的串联电阻器的晶体。 请注意、在某些情况下、Rs 的建议值为0、而在其他情况下、建议值可以变为零。 如果'129具有相同的表、除非您有经验、否则我不建议使用其他晶体。 其他电路可以正常工作、但您必须了解射频电路才能正确地对其进行规格和裕度调节。

Robert

[引用 USER="Muhsin Ali"]但数据表提到不使用 PHY 时不需要电阻器。[/quot]

我相信有一个勘误表。 如果您尚未阅读最新勘误表、则应访问并阅读该表。

Robert

[引用 user="Muhsin Ali"]非常感谢您的 BP[/引用]

感谢 您的验证标志:-)

为了回答 CB1问题、EK-TM4129XL 附带 R2k 系列电阻 器、而 Robert 是 RBIAS 周围存在的正确勘误表。  Robert 同样正确 、TM4C1294NCPDT 数据表 表表中 列出  了不同供应商 XTALS 的各种 R 值。

如果使用 MOSC、最好坚持数据表建议的器件型号、因为一些未列出的 XTALS 可能具有更高的误差百分比 、并且可能会导致意外的软件或硬件时序问题。  仍然建议使用 25MHz XTAL 切断走线并添加 一个电阻器、以消除 Y1消耗过多电流并随时间损坏 MOSC 器件的可能性。

 MCU 温度通常 在55-57*C 范围内持续变化、 如果 温度接近59-60*C 、则可能会消耗大量电流。  

[引用 user="BP101]MCU 温度通常 在55-57*C 正常温度范围内变化， 如果 温度接近59-60*C ，则可能会消耗大量电流。  [/报价]

是否"有那么多"操作变量(可能)"发挥作用"、以至于"温度范围的规定"证明"没有声音/可疑？"    这样的 MCU 温度-而不是高度依赖于应用程序吗？   值得注意的是、您对环境温度"不考虑"、这可能会有很大的差异、从而降低了您的"希望/期望！"

"硬性规则"----又是"范围"----不能"确定"具有普遍性。   (有限的个人经验证明不足以在任何时候都应提升为"一般性！")

[报价 USER="CB1_MOBIT"]不是"如此多"的操作变量(可能)处于"运行中"[/QUERP]

不是在 Cortex CPU 几乎空闲且不处理繁重 的应用任务时。   您之前建议/怀疑、RBIAS 漏电流过大可能会导致电流过大。 过大的电流会使 CPU 温度明显高于57*C、@78*F (环境)温度 、但 超出指尖可触摸(持续很 长时间) 、MCU @62*C

 最近有一个 LaunchPad ， MCU 开始过热 至63*C 通常 @12%的 CPU 负载 MCU 几乎不会达到 58*C、@78-80*F (环境)以上。  奇怪的 是、当    使用手指 尖从芯片中拉出热量时、在负载下、CPU 使用率典型值为90%、这一天从100%下降到10%。 该 LaunchPad 在几天内连接到物联网服务器， 相对温度57*C 却 跳至63*C， 应用程序仍在运行， 但 CPU 使用率为@100% 63*C  

较新的 LaunchPad 报告 10-11%的 CPU 使用率57*C 的平均温度，具有高 EMAC0数据负载、 6个 GPTM 计数、3个 PWM 发生器、 9-10个 ADC 通道 ，所有 这些都需要对高级外设总线进行任务处理.....

该 MCU 已运行了6个月、接近 57*C 120MHz 、并报告 了 EMAC0处理数据时90%的 CPU 使用率。 TI-RTOS 内核负载监控 器生成了类似的调试 结果、使其看起来 负载通常为90%。  芯片中的某些东西一直不正确，这表明了这一点，特别是 当 MCU 开始过热 到68*C 时  

[引用 user="BP101"]不是在 Cortex CPU 几乎空闲且不处理繁重 的应用任务时。

因此、您已经描述了"2°C 扩展"-仅在一组非常有限的运行条件下实现。   (且环境温度仍为"无界")

您的"2°C 预测"值似乎(以某种方式)受到高度限制...   并且不太可能上升到"普遍状态"。

[引用 USER="CB1_MOBILE]"2°C 预测"的值似乎(以某种方式)非常有限...   [/报价]

参考10*c 差值58-68*C (将手指尖烫)。  ADC 数字温度监控 器读数可能 已关闭。  物联网全球社区(3500个 LaunchPad) 报告了全球 3*c 区域内的 MCU 温度范围。

奇怪的是@68*C MCU 仍然可以进行 POR 并运行应用、但 在100% CPU 使用率下、似乎 MCU 温度是发现硬件问题的一种方法。 事实上、我以前只是通过在  CPU 未处理时感受外壳温度灼伤手指尖来更换36引脚 CMOS 控制器芯片。  

 [引用 user="CB1_MOBIST"](且环境温度仍为"无界")[/quot]

它的环境温度范围为78-80*F ，但在70*F 环境下不能在相同的范围内运行， MCU 在低52*C 范围内挂起。

好的、有几点

首先、晶体电路中的串联电阻器用于防止晶体过驱、而不是防止损坏微控制器。

其次、BP 描述的损坏(和发热)强烈暗示 ESD 损坏

第三、这些温度甚至不接近微限值。 对于'123 (我不会指望'129会有很大的不同)、微控制器的额定环境温度为85°C (即、它在85°C 的环境温度下不会过热)。 此外、它的绝对最大 Tj 为150C、建议 Tjmax 为96C。 建议的最高管壳温度为93C。

引脚负载将影响运行电流消耗、并可能进一步限制工作温度、这是不直接驱动负载的另一个原因。

Robert

[引用 user="Robert Adsett"]首先、晶体电路中的串联电阻器用于防止晶体过驱[/quot]

TM4C1294NCPDT 数据表表27-23中规定 了25MHz 晶体的 ESR 50欧姆最大  值、而表27-24列出了25MHz NDK 70欧姆。 因此、如果 在没有正确的 RS 值的情况下使用了不正确的晶体、如果超过了表27-23 DL OSCpwr 的额定功率、它最终会损坏 MOSC 和晶体。

表27-24 注：

a：可使用低至0欧姆的 RS 值。 使用较低的 RS 值将导致 WC DL 增加到晶体的 Max DL。

答：这取决于特定的晶体频率 ，但没有供应商提供25MHz 晶体 列出 RS=0 ，而 RS 值为0.5k-2k 欧姆。

f. OSCPWR =(2 * PI * FP * CL * 2.5) 2 * ESR / 2。 提供给晶体的典型功率的估算基于 CL、
电路中晶体的 FP 和 ESR 参数、通过 OSCPWR 公式计算得出。 确保该值
为 OSCPWR 计算的值不超过晶振的驱动电平最大值。

[引用 user="Robert Adsett">第三、这些温度甚至不接近于微限值。 [/报价]

但 MCU 可以在 TA 85*c 下运行， 可能 接近 TJ 125*c @904Mw MAX (工业类型)，  环境 78*F 中的63*c TJ 将指示  结束的开始

也许  是前一天晚上快速过闪电的 EMP。  EK129LP 由独立的 USB 集线器供电 。 集线器由  电子适配器供电、连接到壁式浪涌保护器。

[引用用户="BP101"]TM4C1294NCPDT 数据表表27-23中说明 25MHz 晶体的 ESR 最大值为50欧姆[/引用]

[引用 USER="BP101"]表27-24 列出 了25MHz NDK 70欧姆[/引用]

是的、请随时向 TI 提问这种不一致之处。

[引用 user="BP101"]因此，如果 在没有正确的 RS 值的情况下使用了不正确的晶体，如果超出表27-23 DL OSCpwr 的额定功率，它最终会损坏 MOSC 和晶体。

请注意、DL 未注明最大功率限制。 它只需注意标称功率输出。 在手册的基础上、它添加了标称功率的注释

[引用用户="手册"]

f. OSCPWR =(2 * PI * FP * CL * 2.5) 2 * ESR / 2。 提供给晶体的典型功率的估算基于电路中晶体的 CL、FP 和 ESR 参数、这些参数由 OSCPWR 公式计算得出。 确保为 OSCPWR 计算的值不超过晶振的驱动电平最大值。

[/报价]

请再次注意、DL 的问题是晶体限制。

[引用 user="BP101"] 但没有供应商25MHz 晶体 列表 RS=0 [/引用]

不可以、但有几个被标记为能够变为0、限制是您接近晶体的最大 DL。  不清楚为什么您认为 所有列出的25MHz 晶体的建议 Rs 值都高于0、这一点很重要。 这是晶体制造的函数、与频率一样、甚至更多。

请注意、我并不是说振荡器不能存在功率限制。 只有没有说明任何此类限制、并且振荡器电路中的 Rs 的主要用途是限制晶体必须耗散的功率。 实际上、在数据表中明确放置此类限制的位置明显为空白(除了确保不超过晶体参数的注释)。  

Robert