[参考译文] 编译器/TMS570LS1114：如何启动基于 TMS570LS1114的引导加载程序

您好、邱奇、

我认为决定使用闪存还是闪存仿真 EEPROM 取决于您的系统实现。 在器件上对闪存进行编程时存在一些可能影响此决策的限制。 值得注意的是、要求您不能编程到正在执行的同一个库。 第二个是编程的粒度。 即、您可以将闪存编程到哪个级别(即字节、字、扇区、组？)。 我认为应该可以将 CAN 校准协议整合到基于 CAN 的引导加载程序中、并在闪存或闪存仿真 EEPROM (组7)中找到该部分。

关于如何确保引导加载程序能够正常工作、这也是由您决定的。 一个很好的起点是将"校准块"编程到已经在其中执行代码的器件中。 如果校准块是可执行二进制文件的一部分、请务必通过将其定义为所有 F 的常量块来保留该区域、因为0xF 是闪存的正常未编程状态、这将保留空间供工具使用。

如果您选择使用 Bank7、则可以再次使用引导加载程序将数据编程到器件的此区域。 如果您还将组7用于其他应用数据、则应注意不要覆盖该组中与您的校准相关的数据。

如果您需要有关引导加载程序实现的帮助、有一个应用手册和示例代码可帮助您开始项目、但需要更新以更新要编程的有限数据块并向其中添加校准协议。 可通过以下链接找到应用手册： 适用于 TMS570LS12X MCU 的 CAN 总线引导加载程序