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[参考译文] TM4C1294KCPDT:USB0端点断开连接

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3S8971, EK-TM4C1294XL, INA240, TM4C1294NCPDT

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/713373/tm4c1294kcpdt-usb0-endpoint-disconnects

器件型号:TM4C1294KCPDT
主题中讨论的其他器件:LM3S8971EK-TM4C1294XLINA240TM4C1294NCPDT

无论 PLL 时钟速率30-60MHz 是多少 、当 PWM0以高于24V 的电压驱动逆变器时、似乎 USB0都会随机断开 USB0大容量驱动器端点。  与 PLLdiv=8 (30Mhz)相比、它看起来甚至是24V 直流且 PLLdiv=4 (60MHz) USB 时钟更稳定。 然而 、端点以任一种方式快速断开 从线性 电源降压/+3V3 LDO 到 MCU 和 PWM 逆变器的电势。

这似乎更多地是 VDDC 噪声的硬件问题。 PCB 迹线 VDDC 引脚是短 型、根据 TM4C129x 设计规则、电容器放置在引脚旁边的电容器为3.3uF/100N、使用数字接地迹线而不 是围绕 AGND。  

MCU 内部+2v2 LDO 是 USB0电源吗?   3.3uf  是否有可能是过高的选择 、PWM0应该 在 VDDC 上产生瞬态?   在典型 MCU 条件下、PWM0驱动高压逆变器时建议使用什么 VDDC 电容值?  是否已经根据 PWM0实际驱动 HV 逆变器的 VDDC 实验室测试确定了这一点?  这 是可疑的数据表披露 MIA、还是 我们对今天的期望太高?  

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    您好 BP101、

    [引用 user ="BP101"] MCU 内部+2v2 LDO 是 USB0电源的来源吗?

    我对内部硬件没有足够的深度来评论、抱歉。

    [引用 user="BP101]]是否不是根据 PWM0实际驱动高压逆变器的 VDDC 实验室测试确定的? 这 是可疑的数据表披露 MIA、还是 我们对今天的期望太高?[/引述]

    我认为您在制定规格时高估了器件测试的广度。 特别是对于像您这样的应用、由于 C2000处理器处理电机驱动应用的重要性超过了我们自己的产品、因此该器件更加关注外围应用。

    我们从未进行过这样的试验。 您当然对这方面的期望太高。

    [引用 user="BP101"]     PWM0是否应该 在 VDDC 上产生瞬态?   在典型 MCU 条件下、建议使用哪些 VDDC 电容值 PWM0驱动高压逆变器?[/QUERT]

    这是您需要在系统上确定的问题、这是可能的、但我们如何能够评论瞬态电平以及3.3uF 电容器会产生什么影响? 这是您需要进一步评估的特定于系统的问题。 尤其是如果您认为问题来自 VDDC 噪声。

    如果 VDDC 上有噪声、结果对我来说并不完全令人惊讶。 毕竟、通常需要为器件提供合理干净的电压。 毕竟、如果它在电压时间上没有噪声和瞬态问题、那么为什么还要使用滤波电容器呢?

    遗憾的是、这里的数据太少、无法提供更多的点反馈、但如果您可以跟踪瞬态引起的电压摆幅、那么我们可能会提供进一步的评论。

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    您好、Ralph、

    USB0外设从何处获取内部电源轨似乎并不是一个过于复杂的问题。 如果 TI 不知道这个问题是由谁解决的、为什么数据表中没有正确地说明这个问题?

    任何人在不事先通过 MCU 引脚了解 USB0电源轨的情况下如何解决此问题? 在 TI 总部器件上、似乎有一些 COP 不提供外设的详细电源轨图示、即使是为支持人员也是如此。

    供参考:
    Stellaris MCU 通过 TI 预先更新了 Piccolo 控制器设计、并使用具有以太网 GUI 控制功能的 LM3S8971收购了 Luminary Micro 的电机 RDK。 放置在翘曲4层 PCB 上的 EK-TM4C1294XL MCU 不是最佳做法。 因此、当任何人在2层 PCB 上遇到问题时、TI 论坛会感到困惑、因为使用低翘曲2层 FR4基板的定制 PCB 设计的等式中移除了高电容 X11/BPXn 接头跳线。
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    [引用 user="BP101"]但 通过 将电势从线性 电源 BUCK/+3V3 LDO 分配到 MCU 和 PWM 逆变器的方式,快速断开端点。

    说 什么?    

    Crack 员工 (从不是 Moi)问:   (是的、我们"在店内"、今天就工作了-"在店内"。)

    • 校对员是否 "来电"?
    • 或者他/她是"盲人"吗?
    • 还是说/读/写英语-作为"第三或第四"(附加)语言?

    过去曾在类似的"巨大的 EMI "工作过-我可以  (完全)第二次/确认-供应商 Ralph 的评论!  

    您 明显的"信念"- 您 的"高度特定 "应用要求的"每个/每个"都是:

    • 很棒 , 而且很准确的期待
    • 然后进行详尽测试 (在供应商的实验室中) -在 您 (完全独特) 的性能、 外设混合、 功率级别上/周围  
    • 和(几乎)匹配"您的"(再次)-独特的电路板布局-组件选择-软件

    可能会证明(有些)  'REACH' ...  难道不是这样吗?

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    如果 MCU 的 PWM 模块不是用于 HV、则数据表应更清楚地说明这一点! 分离式隔离式直流电源为各种嵌入式 MCU 子系统供电。 TM4C 外设的运行方式不应与通过 LDO 将5V 电压降至3V3的 MCU 电源电势所提供的子系统有所不同。 在这种情况下、MCU 未与同一电路中的其他 TI 芯片正确屏蔽、因此会向非屏蔽 MCU 引脚路径注入大量孔。

    EKXL Launch Pad 似乎掩盖了芯片异常(VDDC 总线)、屏蔽了连接到铜线迹路径的 MCU 外设引脚下的大型接地层的引脚阻抗。 也许一个多层基板能够为大于48V 的电势提供屏蔽、这可能需要供应商的器件性能不佳?

    该规范更经常地注意到、TI 尽可能地尝试摆脱一切、在不良器件周围跳舞或伪造数据表事实、而这些事实并未阻碍测试。 如果在大规模生产之前进行了适当的实验室测试、而目前客户希望围绕屏蔽不良的 MCU 外设引脚路径进行设计、则很容易避免这种情况。
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    [引用 USER="Ralph Jacobi"]如果您可以跟踪瞬态引起的电压摆幅,则我们可以提供进一步的评论。

    您错过  了通过  具有分离电势的干净线性电源为 MCU 直流轨供电的点、当 PWM0激活时、会立即断开 USB0。 当通过 一个直流电位为 MCU 和 PWM 子系统供电时、高达80Vdc、GPTM 计时器或 USB0没有问题。 否定 以添加到后 CCP 边沿计数中、类似的也是接合器。

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    您好 BP101、

    MCU 可用于 HV 应用、但也应确保 HV 系统经过适当设计、不会使 MCU 发生瞬变、过压、过流和其他超出规格的侵入。 在不了解这些瞬变是什么的情况下、我如何确信 MCU 不会受到数据表规格之外的应力?

    顺便说一下、我们的 LaunchPad 从未被设计用于48V 电机。 并不是说它不能与它们一起使用、但设计中没有考虑这类应用。 LaunchPad 旨在快速评估所有可用外设、主要侧重于 USB、CAN 和以太网、其他侧重于 UART、I2C、SPI 等 但总的来说、使 TM4C 成为 TI 和其他供应商的其他 MCU 产品独有的差异化外设是 LaunchPad 的重点。 因此、LaunchPad 的设计电压为3-5V。 任何超出该范围的电压都需要像 PCB 设计一样加以解决、并适当处理、以免因过大的电压/电流而使 MCU 发生故障。

    关于您的最后一项索赔... 故意伪造数据表将是一种明显的法律犯罪。 我看不出您怎么能认为任何半导体公司都会这样做。

    此外、如果这个问题是您声称的硅问题、我想相关问题的数量将超过您的系统的单个案例。 但是、与往常一样、如果您能够以我们可以重新创建的方式在 TI 硬件上证明它、以便分析情况、那么我们可以进一步评估。 并不是器件在勘误表中没有明显的项目列表... 甚至在最近、Charles 也发现了另一个勘误项、该项将通过 E2E 用户提供的足够详细信息正式发布、以便他可以对其进行分析并确定器件与 DS 规格不匹配。

    如果您在过去几年中已经花费了大量时间来帮助您处理申请、请避免提出此类不公平的索赔、我将不胜感激。
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    [引用 USER="Ralph Jacobi"]通过我们的 LaunchPad 从未被设计用于48V 电机的方式

    o 相反、这会是您的错误假设、而不会在您提出此类索赔时记录在案。 事实上、我们有一个运行165V 三相逆变 器的 LaunchPad、USB0没有那么快地断开连接、就像移除所有 X11跳线一样。 多层 PCB 足以解决 TI 似乎甚至不知道的几个 MCU 问题。

    [引用 user="Ralph Jacobi"]如果您不提出此类不公平的诉求、我将不胜感激[/引用]

    该索赔主要是对其他几 个 TI 数据表索赔/规格的索赔、 与实际工作中的硅器件相比、它并不有趣。  花数百 小时的时间尝试证明 TI 论坛无法回答的印张规格是没有乐趣的。 很抱歉、您认为它直接针对此论坛。

    [引用用户="Ralph Jacobi"]故意伪造数据表将是一种明显的法律犯罪

    TM4C1294模拟比较器的电气规格就是一个很好的例子、VOS 测试仅 为@VREF=100mV 阈值。   在我看来、没有显示其他实际阈值电压、比较器阈值 VREF 远不敏感、并且要求 VREF 远不止设置1/2 Vs 这一事实。

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     我们可以在 PWM0运行后拔下 USB0并重新建立端点连接、它可能会保持连接一段时间、然后随机或立即断开连接。

     从该观察结果可以看出、USB0外设具有 直流 噪声规格、数据表中未列出。   USB0外设 为 直流电源是  工程师 需要 了解的一个重要事实、 以便 判断 故障排除问题。  如果没有 关于主题的信息、  MCU 上就会出现一个疯狂的想法、即 TI 标识。

    请注意、在这个想法     中、AINx Rs 阻抗相对于更大值的电容接地减少。 39n 可能会将交流 RMS 阻抗设置为880欧姆、 1n 电容为18k - 36k。 TI Tina AC 分析证实了 TM4C1294数据表中的这一发现似乎遗漏了。 点为39n 会使 信号严重衰减、并为瞬变产生更长的挂起时间、从而对 MCU 产生不利影响。 因此、保持低阻抗可能是双刃剑。

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    我们似乎对地球上最伟大的硅制造公司有着很大的期望、希望了解 USB0如何获得运行所需的果汁。 也许这是我们需要提出如此困难的问题的冰淇淋人,在那个冷冰盒里,我们不太可能公平地审查所选择的绿冰柱。
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    数据表的各项内容深埋、这是我们寻求的线索。   但是、   在 MCU 的 USB0侧附近向 VDD 添加 TVS 二极管并不 会停止客户端断开连接。  必须想知道、PCB 帧接地到 USB 迷你插孔屏蔽层的单独交流 接地是否会导致模拟 干扰。  让 PCB 框架接地 悬空对停止 USB 断开没有任何影响。 向所有 INA240瞬态脉冲吐出输出添加了3V3 TVS 二极管、同样对  USB 端点断开连接几乎没有影响。

     但至少我们知道 USB0 从哪里获得果汁,因为冰淇淋人给了我们一个绿色的圆柱。

      

    LDO 功率校准寄存器 LDOSPCAL LDODPCAL 为不同模式下的 LDO 提供建议值。 如果软件请求的 LDO 值太低或太高、则不接受该值、并在 SDPMST 寄存器中报告错误。

    注:使用 USB、以太网、EPI 和 QSSI 接口时、LDO 必须配置为1.2V

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    E2E 用户、

    请注意、这些论坛旨在获取德州仪器产品的技术支持、我们在 TI 非常重视这些产品。 这不是发生讽刺或以其他方式伤害他人的地方。 这些论坛不容忍这种行为。 请将讨论限制在手头的技术问题上。

    如果您对您在这里获得的支持有正当的投诉,请点击‘Email TI’Here: http://www.ti.com/support 向我们的客户支持中心提交申请

    谢谢、

    Jim Carrillo

    在线支持经理

    应用工程师

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    您好、Jim、

    除了发现对特定主题缺乏能力之外、我看不到任何违法行为被张贴在该主题中。 TI 人员应能够访问与特定器件相关的所有事实、而不应以不披露为由进行辩解或隐瞒。 对于 TI 员工来说、我们不知道这些信息是完全荒谬的。

    在多个 TI 论坛中、TI 确认问题的方法似乎与数十年来形成的成熟方法有所不同。 是否可以说我们支持了您、但实际上并未提供太多事实内容、这种情况似乎更常见。 任何人都不会仅仅为了指出低于现实世界的测试方法而羞辱他人、这在这里似乎是正常的、并试图将质量标准提高到现在的水平!

    在该论坛中、我们看到数百个线程自定义 PCB 故障、更常见的情况是它们不是多层堆栈、原因很好、成本是一个高翘曲。 然而、TI 本身为多个 Piccolo MCU 提供双面 TIDA、但 TM4C1294完全不接受任何类似的 TI 实物测试、这是为什么?
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    您好 BP101、

    根据您在本主题开始时提供的信息、我曾解释过问题、即在 IC 设计级别询问器件的内部工作情况、但我现在意识到这是不正确的。 也就是说、数据表中未披露信息、因为这是 a)只有 IC 设计人员非常熟悉的信息、或 B) TI 器件专有的设计数据。 我完全不清楚当时唯一的问题是"USB 电源使用哪个输入到器件的电压轨"。 具体而言,我的答案是对"MCU 内部+2v2 LDO 是否是 USB0电源的来源?"的评论,并通过说 internal, 对于 TI 应用工程师而言、这通常意味着 IC 设计级别的内容超出数据表、需要 IC 设计专业知识来进行评估、如果允许、还需要回答。 这就是为什么我说我自己不知道电源路径的内部工作。 我希望这能更好地说明我为什么以我的方式作出回应。

    现在、为了继续讨论技术问题、您提出了您从电源角度尝试过的测试、您是否还根据系统设计指南交叉检查了您的设计、包括双电源? www.ti.com/.../spma056.pdf

    最后、我不明白您的意思:"但是 TI 自己为多个 Piccolo MCU 制作双面 TIDA、但 TM4C1294完全不接受任何类似的 TI 实物测试、这是为什么?" 您能进一步阐述吗?
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    您好、Ralph、

    嗨、您好、非常感谢您在本主题中所做的努力、并为奇怪的幽默感而感到抱歉。 设计指南中关于 USB 布局的内容不多、而早在考虑这种定制 PCB 设计时就考虑了这一点。 USB0似乎以某种方式依赖于 VDD 和 LDO、但两者之间的依赖程度如何、这是一个更困难的问题。

    1.2V LDO 引脚118的 VDC 引脚附近具有3.3uf + 100N、接近电气规格中显示的4uf。 在 MCU 引脚的 USB 侧的 VDD 附近添加100N 的3V3 TVS 二极管顶部没有太大帮助、也许有点帮助。 在1.2V LDO 上添加 TVS 将在3.6V 之前钳制瞬态、即使尝试也是徒劳的。 EK-XL VDDC 在 VDDC 引脚附近具有2.2uF + 100ns 的电压、并且不太容易发生 GTO 端口断开连接。 即使在最大的电流经过之后、也不需要太多的功率拐点来使 USB0端点反弹、它仍然是易失的。

    奇怪的 GTO USB0 (EK-TM4C1294XL)会随机断开端点、由板载3V3 LDO 供电。 通过本论坛报告的问题始终存在。 在后视中、通常会固化、在 Launch Pad 上添加32uf 电解+3V3 LDO。 定制 PCB 具有+3V3 (TPS73533 3.3uf 陶瓷电容)、由通过1.5Mhz Rohm 开关的+24V 电压降至+5V (22uF 陶瓷电容)供电。 很难想象降压转换器或 LDO、但可能与电容相关。

    可以想象、TM4C1294NCPDT MCU 没有与 TIDI 两层 PCB 相关的光绘项目。 这是否不是为什么 MCU 从未在2层 PCB 上进行过测试? 因此、报告的问题与结构有关、因为数据表中不存在建议。 有些行为与 EK-XL 类似、有些更好、但 USB0要糟糕得多。
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    您好 BP101、

    我将首先承认、我专注于软件而不是硬件、因此我对该部分有一点不了解、但随着我一直在努力、我很难掌握您所做的所有测试尝试。 您似乎正在对1.2V LDO (顺便说一下、它是引脚115、而不是118)和3.3V VDD 线路进行大量测试、对吧? 尝试降低潜在噪声?

    您是否能够测量正在进行调整的电压线路、以查看在打开 PWM 时是否发生任何异常行为? 能够看到某种瞬态会对我们有所帮助、因为我们对您的电路板没有深入的系统级知识。 我无法根据我当前的知识来评价您所运行的测试是否有意义。

    此外、就像另一个思考的轨道一样、从软件的角度来看、您能想到 PWM 启动期间发生的任何可能会阻止内核处理 USB 关键事件的事情吗?

    关于多层电路板、我不是在测试开始或首次运行时、但我无法想象他们没有检查过。 在任何情况下、我可以自信地说、数百个客户在2层甚至4层电路板上使用该器件、并且没有任何问题、尤其是在遵循系统设计指南时、因此您应该确保多层 PCB 不存在器件级问题。