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器件型号:TMS570LS3137 您好!
Vcc 内核电压的压摆率是否有任何下降? 在数据表中,我可以找到5.4 (第42页)以下的内容,我只能找到 VCCIO、VCCAD 和 VCCP 的最大值,即1V/us。
VCC 是否具有相同的压摆率下降或者该压摆率在器件中有任何影响?
谢谢、 致以诚挚的问候
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您好!
Vcc 内核电压的压摆率是否有任何下降? 在数据表中,我可以找到5.4 (第42页)以下的内容,我只能找到 VCCIO、VCCAD 和 VCCP 的最大值,即1V/us。
VCC 是否具有相同的压摆率下降或者该压摆率在器件中有任何影响?
谢谢、 致以诚挚的问候
您好、oz、
我们对 VCC 压摆率没有特定要求。 Hercules 有一个被称为 VMON (电压监控器模块)的内置模块。 电压监控器在器件上生成电源正常 MCU 信号(PGMCU)以及 I/O 电源正常 IO 信号(PGIO)。 在上电或断电期间、当内核或 I/O 电源低于指定的最小监控阈值时、PGMCU 和 PGIO 被驱动为低电平。 PGIO 和 PGMCU 为低电平、可在电源加电或断电期间隔离内核逻辑以及 I/O 控制。 这允许内核和 I/O 电源以任何顺序加电或断电。