This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS570LS3137:VCC 压摆率命令和影响

Guru**** 2478765 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/696282/tms570ls3137-vcc-slew-rate-recommandation-and-impact

器件型号:TMS570LS3137

您好!

Vcc 内核电压的压摆率是否有任何下降? 在数据表中,我可以找到5.4 (第42页)以下的内容,我只能找到 VCCIO、VCCAD 和 VCCP 的最大值,即1V/us。  

VCC 是否具有相同的压摆率下降或者该压摆率在器件中有任何影响?

谢谢、 致以诚挚的问候

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、oz、

    我们对 VCC 压摆率没有特定要求。 Hercules 有一个被称为 VMON (电压监控器模块)的内置模块。 电压监控器在器件上生成电源正常 MCU 信号(PGMCU)以及 I/O 电源正常 IO 信号(PGIO)。 在上电或断电期间、当内核或 I/O 电源低于指定的最小监控阈值时、PGMCU 和 PGIO 被驱动为低电平。 PGIO 和 PGMCU 为低电平、可在电源加电或断电期间隔离内核逻辑以及 I/O 控制。 这允许内核和 I/O 电源以任何顺序加电或断电

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 QJ、

    感谢您的回答。 因此,如果我理解正确, VCC 的压摆率也可以大于1V/s,对吧?  

    这基本上意味着 I/O 电源没有定序?  

    谢谢、此致、

    oz