[参考译文] TMS570LC4357：写入2级 SRAM 的 ECC SRAM 时出现 ESM 1.26错误？

您好！

(Q1)是否可以通过写入 ERR_WR_EN = 1的 ECC SRAM 来强制 ESM 组1错误通道26 (1.26)？

>>请参阅 TMS570LC4357安全 TI 诊断库中包含的1位错误强制测试的实现。

(Q2) ESM 1.26是否真的像 ESM 3.3那样包含读取-修改-写入访问？

>>对从 SRAM 读取内容进行 ECC 检查。 这种读取可能是由 CPU 显式从 SRAM 位置读取、或由 CPU 向 SRAM 写入数据大小小于64位的 R-M-W 操作引起的隐式读取引起的。

您好、Sunil、

感谢您回答我的问题。

实际上、我做了一个拼写错误、这可能是误导性的。

让我精确地确定我的问题的重点：

测试2级 SRAM 包装程序(L2RAMW)有两个过程；这些过程都是 RAM12的" SRAM 包装程序地址解码和 ECC 的软件测试"的一部分：

(过程1)：激励 DIAG_DATA_VECAD_H、DIAG_DATA_VECAD_L、DIAG_ECC 和 RAMADDRDEC_VECT 和
执行 TRM spnu536a 第8.2.6节中绘制的程序。

(过程2)：在通过设置 RAMCTRL.ECC_WR_EN = 1[非 ERR_WR_EN]启用这些写入访问后写入 ECC SRAM 空间。

我的问题是关于程序2：

(Q1) RAMERRSTATUS 位。｛22、21、20、19、12、11、10、4｝位未被程序2触及、对吧？

(Q2) RAMERRSTATUS。｛RMWDE、CPUWDE｝是否连接到 ESM 组3通道3 (3.3)错误？

(Q3) RAMERRSTATUS.CPUWE 是否连接到 ESM 组1通道26 (1.26)错误？

(Q4)是否没有读取-修改-写入单个位错误(来自 CPU 或来自非 CPU 总线主控)？ RAMERRSTATUS 中没有信号、也没有信号(ESM)？
如果是、这是否意味着可以安静地纠正 RMW 单个位错误？

感谢您的支持！ 享受一周！

Stephan

您好 Stephan、

在第392页的第8.6.2节中、参考手册 SPNU563a 介绍了在 L2RAMW 中测试诊断 SECDED 机制的过程。 您可以使用本节中描述的方法来生成此 SECDED 逻辑检测到的所有1位和2位错误。

尊敬的 Sunil：

目前、我假设不会发出 ESM 1.26错误、而是在寄存器[RAMERRSTATUS]中 DRSE 位之后发出 ESM 2.7。

我们针对 L2RAM 的写入/读取-修改-写入访问制定了 RTL 原理图。
您是否愿意查看以下图纸并告诉我们其功能是否正确：

e2e.ti.com/.../4617.SAF_2D00_MCU_2D00_xxxx_5F00_RAM12_5F00_Diagnostics.vsdx.pdf

提前感谢您

Stephan

您好、Stephan、

遗憾 的是、我无法确认 RTL 实现是否与工程图匹配。

此致、Sunil

只是为了去澄清。

我目前的理解是、必须以数据路径上缺少多路复用器的方式扩展建议的 RTL 原理图；
MUX 必须由[RMMTEST].TEST_MODE 控制、因为 ECC 路径中的 MUX 已经是。

Stephan