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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1206222/mspm0g3505-vdd-vss-decoupling-capacitor-value
大家好、
MSPM0 G μF MCU 硬件开发指南(slaae76a)指出："TI 建议将10 μ F 和0.1nF 低 ESR 陶瓷去耦电容器组合连接到 VDD 和 VSS 引脚、可以使用值更大的电容器、但可能会影响电源轨斜升时间。" 第二页的"注释"下方。
不过、在图1-1和图2-3中连接了10uF 和0.1uF。
以下哪项陈述是正确的？
此致、
久留米
您好、Kurumi、
感谢您指出这一点。 请使用10uF 和0.1uF (100nF)的旁路电容器。
此致、 Brandon Fisher
尊敬的 Brandon：
希望您能够修改一下数据表。
