[参考译文] TMS570LC4357：如何使用 EEPROM 和闪存删除算法

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TMS570LC4357

您好！

(THİNK THİS LOGİC 为 EEPROM 和闪存的常规。非 DEVİCE SPESİFİC μ A)

如何处理擦除 EEPROM 和闪存门删除算法的逻辑？

在 EEPROM 中写入任何内容之前、我是否必须进行擦除？ (假设我向地址写入8个字节、希望在不删除当前数据的情况下再次写入(写覆盖))、我可以这么做吗、或者我必须先删除？

闪存中的问题相同

EEPROM 使用或非门、闪存使用与非门。如何删除此系统中的单元格。假设我使用或非门、且里面有"1"。因此、无论我给出0还是1、答案都将始终为0。假设我使用的是 NAND 门闪存、并且我的单元中有"0"。无论我使用0还是1、答案始终是1。我如何在或非门中变为1到1、以及如何在与门中变为0到0。

0 admin 2 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Emre：

TMS570LC4357中采用的闪存技术属于 NOR、适用于闪存和 EEPROM 仿真。所以、我的意思是整个非易失性闪存存储器(组0、组1和组7 (EEPROM 仿真))使用或非门。

由于这些存储器使用 NOR、擦除后的默认存储器值为全1。所以、写入操作可以使该位从1变为0、而写入操作不能使该位从0变为1。这意味着、如果您需要将任何特定位置从0更改为1、那么您必须擦除相应扇区并需要写入数据。

Unknown 说：
1-在 EEPROM 中写入任何内容之前、是否必须擦除？ (假设我向地址写入8个字节、希望在不删除当前数据的情况下再次写入(写覆盖))。我可以这样做吗？或者必须先删除？

是的、要将任何数据写入 EEPROM 仿真、您必须在将数据写入存储器之前擦除、就像闪存一样。

但还有另一个选项、即您可以使用 TI-FEE 库。如果您使用此库、那么您无需执行任何擦除操作。擦除操作由 FEE 库在后台处理。

例如、这里的数据是按块来处理的。我只能提供块编号和数据进行写操作、我只需要提供数据 n 次而不进行任何擦除、之后我只需要为读操作提供块编号就可以获取最新数据。

有关更多详细信息、请参阅 FEE 用户指南和以下主题：

Unknown 说：
2-闪存中的同一问题

正如我说过的、整个非易失性存储器构建在 NOR 闪存上、此处同样适用。

擦除后、NOR 将刷写默认的存储器值为全1。所以、写入操作可以使该位从1变为0、而写入操作不能使该位从0变为1。这意味着、如果您需要将任何特定位置从0更改为1、那么您必须擦除相应扇区并需要写入数据。

Unknown 说：
3- EEPROM 使用 NOR 门，闪存使用 NAND 门。

不、这是不正确的。在该器件中、这两个存储器均由或非门制成。

谢谢。此致、
Jagadish。

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)