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尊敬的 Hideaki:
我们有一个应用手册、其中包含了器件的基准测试信息: Sitara AM64x/AM243x 基准测试 sCortex-R5存储器访问延迟(修订版 B)(TI.com)
不过、我们仅对读取延迟进行基准测试、我不确定在此类文档中、吞吐量是否正常是 PEC:
我会联系更多专家对此发表评论、
此致!
丹尼尔
您好!
我不是 TI、但我们研究了类似的东西。
它在很大程度上取决于非易失性存储器的技术。
QSPI/OSPI 接口本身可以轻松实现这一点(~100ms 内1 MB <=>10Mb/s 仅需要@ 10 MHz ~8位或@ 20 MHz 4位)、但 NOR 闪存(如 TMDS64EVM 上所示)的速度太慢、无法满足此要求:
来自 EVM 的 S28HS512T 通常需要570个-680 µs (取决于扇区大小)来写入512字节页。 1 MB 为2048 x 512字节的页、因此为1.15s - 1.4s。 最坏情况下的值是该值的3倍。 这是命令、寻址和数据传输的开销、但由于接口比写入速度快得多、因此通常可以忽略不计。
他们必须使用其他存储器技术、如 FRAM 或 MRAM。 通常、它们能够以 -200 MHz x 4-8x 位的完整 QSPI/OSPI 接口速度进行写入。 当然、这会以更高的成本和更小的容量来实现。
我们已经成功完成了运行 Linux 和 FRAM 的 AM64x 的类似操作。 该驱动器需要一些增强功能、因为它可以定制为读取速度快、而不是写入速度快、但这不是什么大问题。 不确定 MCU+ SDK 驱动程序的当前状态。
AM24x 硬件以及合适的存储器器件可以实现这种吞吐量。
此致、
多米尼克
尊敬的 Dominic:
来自 EVM 的 S28HS512T 通常需要570个-680 µs (取决于扇区大小)才能写入512字节的页。 1 MB 为2048 x 512字节的页、因此为1.15s - 1.4s。 最坏情况下的值是该值的3倍。 这是命令、寻址和数据传输的额外开销、但通常可以忽略不计、因为接口比写入速度快得多。
TMDS64EVM 或 AM243x 背景下的该数据。
在其系统中,必须在中断触发后的100ms 内完成对内存的1MB 写入操作。
您是否希望我们基于 AM243x 或 TMDS64EVM 检查这种可能性?
此致、
瓦伊布哈夫
您好 Vaibhav、
很抱歉耽误你的时间。 这不是我的要求、我只是想帮助我们分享基于 AM64x 的体验。
Hideaki 询问在 AM2431上的写入吞吐量基准测试数据。
此致、
多米尼克
尊敬的 Hideaki:
我相信您已经浏览过: 基准
如果上述链路不够,我是否应该根据 AM243x 中的写操作来测量吞吐量?
或者我应该使用 AM64x 进行计算。
此致、
瓦伊布哈夫