[参考译文] TMS570LS1114：仿真 EEPROM/写覆盖、而不是擦除、以节省时间

尊敬的 Sebastian：

有关8Sec 擦除时间的更多详细信息、请参阅以下主题：

(+) TMS570LS1227：数据闪存擦除时间-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

]>第一个问题是是否可以这样做或者是否需要在重新编程/覆盖之前擦除某个扇区。  [/报价]

通常、NOR 闪存分为多个扇区、每个扇区都包含特定页数。 每个页都由特定数量的字节组成。 在将新数据写入扇区之前、必须擦除整个扇区。 这是因为 NOR 闪存只能通过将一个位设置为0来设定、但是如果将一个位设置为0至1、整个扇区必须首先被擦除。

[报价 userid="441238" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1303014/tms570ls1114-emulated-eeprom-overwriting-instead-of-erasing-in-order-to-save-time ]]>第二个问题是是否可以擦除一个扇区并写入 BANK7仿真 EEPROM 中的另一个扇区。 对于银行来说,这似乎是可能的,但我不确定银行内部的部门。[/报价]

是的、对扇区也是可能的。

我的意思是、在本例中您可以使用 TI FEE 驱动器。 实际上、 在这种驱动下、物理扇区被转换为虚拟扇区、而且 FEE 操作将需要两个虚拟扇区中的最小值。 这里发生的情况是、数据写入第一个虚拟扇区、一旦第一个扇区被完整数据填充、此扇区将在后台擦除、新数据将写入第二个虚拟扇区、如果第二个虚拟扇区被填充 然后、数据将再次写入第一个虚拟 扇区、并且这一过程将继续进行。

我想这对于您的要求会非常有用。

要了解有关 FEE 驱动器的更多信息、请参阅以下指南和主题：

e2e.ti.com/.../1411.TI-FEE-User-Guide.pdf

(+) TMS570LS3137：关于 FEE_EEPROM 中的 FEE_BLOCK_CONFIGURATION -基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

(+) TMS570LS1224：有关 FEE 概念的问题-基于 Arm 的微控制器论坛-基于 Arm 的微控制器- TI E2E 支持论坛

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谢谢。此致、
Jagadish。