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器件型号:TMDS243EVM 主题中讨论的其他器件:UNIFLASH
我们一直在探索 AM64x 和 AM243x EVM、我们不断遇到同样的问题:在为 R5和 M4内核进行开发时、我们会在引导模式之间不断切换。
对于普通的、较小的微控制器、程序流程如下:
- 使用 JTAG/SWO 将应用写入闪存
- 调试器将 RESET 引脚置为有效
- 微控制器开始从复位矢量执行代码、随后将启动您的应用程序。
由于应用程序是写入闪存、因此在器件进行下电上电后仍然存在。
但是、对于 AM64x/AM243x、我们有3种二进制文件刷写方法:
- UART uniflash: AM243x MCU+ SDK:刷写工具(TI.com)
- 需要在 UART 和 OSPI 引导模式之间切换
- USB DFU Uniflash: AM243x MCU+ SDK:闪存工具(TI.com)
- 需要在 DFU 和 OSPI 引导模式之间切换
- JTAG Uniflash: AM243x MCU+ SDK:闪存工具(TI.com)
- 需要在控制台中手动键入的基本框架示例
这些方法都不适合快速原型设计和调试、并且更适合在应用程序在工厂中闪存一次时使用。
开发时、建议使用 SBL_NULL 引导加载程序、或者可能使用开发引导模式。 但是、它们不会在断电时保存应用。
是否有一种方法可以让我们采用与常规微控制器类似的方式刷写 R5/M4内核并与之交互?