[参考译文] TMS570LC4357：闪存组7损坏测试

尊敬的 Zonguldak's Rose：

Unknown 说：

我可以用什么方法来破坏此区域的位、页或扇区？

没有 故意破坏闪存的方法。

在以下情况下、闪存可能损坏：

1. 数据表列出了 VCC VCCIO/VCCP 的建议运行条件和绝对最大额定值。 在超出那些绝对最大额定值下列出的值的条件下工作可能会对器件造成永久损坏。

2.使用的时间超过建议的 写入/擦除周期。 但 数据表中指定的写入/擦除周期是最小周期、这意味着闪存肯定会正常工作、直到出现此次数、但有时闪存的工作周期可能超过这些周期。 我们无法准确预测周期数。

因此、不可能  故意破坏闪存。

您可以做一件事情、您可以使用诊断模式。

为此、首先、您只需将数据和相应的 ECC 写入闪存。 之后、您可以损坏 ECC 或数据、以产生 single-bit 错误或多位错误。 控制器中的 SECDED 模块将校正 single-bit 错误并可以检测 double 位错误、同时您将获得相应的待设置 ESM 标志位。

您可以在 SafeTI 诊断库中找到该代码：

SAFETI_DIAG_LIB 驱动程序或库| TI.com

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谢谢。此致、
Jagadish。

实际上、我想使用我自己的测试来控制 EEPROM 位、该测试写入一些数据、然后读取这些数据并与写入的数据进行比较。 根据我对您的理解、此测试不适合用于此目的。 因为如果闪存存储体7区域损坏、就会出现 ESM 错误、我不需要进行任何测试来控制此区域。 我的理解是否正确？
我想控制闪存库7的耐久性/寿命。 有什么方法可以做到这一点吗？ 是否只有用于了解我们的 EEPROM 是否已损坏的 ECC 方法？