工具与软件：
大家好、出于测试目的、我想故意损坏闪存组7中的几个扇区。 因此、我执行了一个写操作、持续填充一个扇区大约5天。 在每次写入操作之后、我移动到一个新扇区、允许我持续填充和擦除这些扇区。 尽管持续时间很长、但闪存组7中未发生损坏。 大约300,000个写入/擦除周期已经完成。 我目前可以观察到的唯一问题是、经过100,000个周期后、写入/擦除操作的时间比平时长得多。 我可以使用什么方法来破坏此区域中的位、页或扇区？
尊敬的 Zonguldak's Rose：
Unknown 说：我可以用什么方法来破坏此区域的位、页或扇区？
没有 故意破坏闪存的方法。
在以下情况下、闪存可能损坏：
1. 数据表列出了 VCC VCCIO/VCCP 的建议运行条件和绝对最大额定值。 在超出那些绝对最大额定值下列出的值的条件下工作可能会对器件造成永久损坏。
2.使用的时间超过建议的 写入/擦除周期。 但 数据表中指定的写入/擦除周期是最小周期、这意味着闪存肯定会正常工作、直到出现此次数、但有时闪存的工作周期可能超过这些周期。 我们无法准确预测周期数。
因此、不可能 故意破坏闪存。
您可以做一件事情、您可以使用诊断模式。
为此、首先、您只需将数据和相应的 ECC 写入闪存。 之后、您可以损坏 ECC 或数据、以产生 single-bit 错误或多位错误。 控制器中的 SECDED 模块将校正 single-bit 错误并可以检测 double 位错误、同时您将获得相应的待设置 ESM 标志位。
您可以在 SafeTI 诊断库中找到该代码：
SAFETI_DIAG_LIB 驱动程序或库| TI.com
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谢谢。此致、
Jagadish。
