Thread 中讨论的其他器件：LP-AM243
工具与软件：
嗨、团队：
我们使用 AM243x_LP 集成 Macronix 的 OSPI-Flash 来构建定制闪存 IC 电路板。 使用的闪存是 MX25L25645GM2I-08G。我正在使用的 SDK 版本是 mcu_plus_sdk_am243x_09_00_00_35。
我将 LP-AM243的外部闪存替换为 MX25L25645GM2I-08G.I 查看了 SDK 说明、并找到了一篇有关如何对 LP 应用自定义闪存的文章。
基于此、我尝试使用所选的闪存数据表和 SDK 随附的.json 文件更新闪存参数。
我已经连接了。 适用于 MX25L25645GM2I-08G 闪存 IC 的 JSON 文件。 在其中正确设置 MX25L25645G 设置。 JSON 文件？
{
"flashSize": 33554432,
"flashPageSize": 256,
"flashManfId": "0xC2",
"flashDeviceId": "0x2018",
"flashBlockSize": 262144,
"flashSectorSize": 4096,
"cmdBlockErase3B": "0xD8",
"cmdBlockErase4B": "0xDC",
"cmdSectorErase3B": "0x20",
"cmdSectorErase4B": "0x21",
"protos": {
"p111": {
"isDtr": false,
"cmdRd": "0x03",
"cmdWr": "0x02",
"modeClksCmd": 0,
"modeClksRd": 0,
"dummyClksCmd": 0,
"dummyClksRd": 15,
"enableType": "0",
"enableSeq": "0x00",
"dummyCfg": null,
"protoCfg": null,
"strDtrCfg": null
},
"p112": null,
"p114": {
"isDtr": false,
"cmdRd": "0x15",
"cmdWr": "0x02",
"modeClksCmd": 0,
"modeClksRd": 0,
"dummyClksCmd": 0,
"dummyClksRd": 8,
"enableType": "5",
"enableSeq": "0x00",
"dummyCfg": null,
"protoCfg": null,
"strDtrCfg": null
},
"p118": null,
"p444s": null,
"p444d": {
"isDtr": true,
"cmdRd": "0xED",
"cmdWr": "0x02",
"modeClksCmd": 0,
"modeClksRd": 1,
"dummyClksCmd": 0,
"dummyClksRd": 15,
"enableType": "0",
"enableSeq": "0x08",
"dummyCfg": {
"isAddrReg": true,
"cmdRegRd": "0x65",
"cmdRegWr": "0x71",
"cfgReg": "0x00800003",
"shift": 0,
"mask": "0x0F",
"bitP": 15
},
"protoCfg": null,
"strDtrCfg": null
},
"p888s": null,
"p888d": null,
"pCustom": null
},
"addrByteSupport": "1",
"fourByteAddrEnSeq": "0xA1",
"cmdExtType" : "NONE",
"resetType": "0x10",
"deviceBusyType": "1",
"cmdWren": "0x06",
"cmdRdsr": "0x05",
"srWip": 0,
"srWel": 1,
"cmdChipErase" : "0xC7",
"rdIdSettings": {
"cmd": "0x9F",
"numBytes": 3,
"dummy4": 0,
"dummy8": 0
},
"xspiWipRdCmd": "0x00",
"xspiWipReg": "0x00000000",
"xspiWipBit": 0,
"flashDeviceBusyTimeout": 6000000,
"flashPageProgTimeout": 4000
}
1.调试时出现加载失败错误。
MAIN_Cortex_R5_0_0：在长度为0x40的第0页上的0x0写入存储器块时出现故障：(错误-1065 @ 0x40)无法访问器件存储器。 验证存储器地址是否在有效存储器中。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板执行下电上电、和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如、较低的 TCLK)。 (仿真包12.6.0.00029)
MAIN_Cortex_R5_0_0：文件加载程序：验证失败：目标写入0x00000000失败
MAIN_Cortex_R5_0_0：GEL：文件：C：\Users\Abinaya.e\Downloads\Macronix_flash_diag_am243x-lp_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang\Macronix_flash_diag_am243x-lp_r5fss0-0_nortos
2. 2. 此外,当我尝试根据闪存指南 链接在 UART 闪存模式刷写代码时 ,它在第二条指令中停止。 (--operation=flash-phy-tuning-data)
您能告诉我问题的原因和解决方法吗？
此致、
Abinaya
