[参考译文] TMS470MF06607：TMS470打盹

Daniel、您好！

 很遗憾、zip 文件不再可用。 请按照 TRM 中显示的说明进入打盹模式。

2.2.2.1打盹模式打盹模式的定义如下：

•主振荡器使能。

•RTI 时钟可被启用或者禁用(取决于用户设置)。

•低频时钟(32KHz 振荡器或者低频低功耗振荡器(LF LPO))源可以由用户启用或禁用。

•稳压器(VREG)如果存在、必须置于 LPM1状态。

由于主振荡器在打盹模式中仍然启用、器件将更加快速地唤醒、并且开始在任何低功耗模式最少的周期内执行指令。 打盹模式也将具有任何低功耗模式中最高的电流。 要进入打盹模式、用户软件需要执行以下步骤。

1.软件写入闪存控制寄存器以使所有闪存泵进入睡眠状态。 在所有闪存组已被置于睡眠状态前、闪存泵将不会被禁用。

注意：需要写入哪些寄存器取决于所使用的特定 TMS470M 系列器件。 请查阅器件专用数据表以确定合适的 TMS470M 系列闪存模块技术规格。

2.软件写入电压稳压器控制寄存器(VRCTL)、将电压稳压器置于 LPM1。 在所有时钟域使其时钟停止确认信号生效之前、不会将稳压器置于 LPM1。

请注意：这只适用于具有内部稳压器的器件。 请参阅特定于器件的 TMS470M 系列器件数据表。

3.软件写入时钟源禁用寄存器(CSDIS)来禁用 PLL 时钟源。 其他源也可以断电、但高频振荡器必须仍然使能才能被视为处于打盹模式。

注意：在使用它们的时钟域被禁用前、源不会被实际禁用(请参阅 TMS470M 系列架构规范的第1.5.2节的时钟定义部分)。

4.软件写入时钟域禁用寄存器(CDDIS)来禁用 GCLK (CPU 时钟)、HCLK (系统时钟)、VCLKP (外设 VBUS 时钟)、VCLK2 (外设 VBUS 时钟2)、VCLKA1 (异步外设 VBUS 时钟1)、和 VCLKA2 (异步外设 VBUS 时钟2)。 在打盹模式中、所有这些域必须被禁用。 在使用该域的所有模块使其时钟停止确认信号生效(请参阅 TMS470M 系列架构规范的第1.5.2节的时钟定义部分)之后、特定域才真正被禁用。 RTI1CLK 和 RTI2CLK 域可能被禁用、也可能不被禁用。 打盹模式通常与一个 RTI 结合使用、以便从内部定期唤醒器件。

注意：打盹模式下、可能存在一些必须禁用域的例外情况、具体器件的 TMS470M 系列产品说明书中进行了定义。

5.软件"空闲" ARM 内核、然后停止内核时钟。 从部分1.5.4中提到的任一来源唤醒中断后、器件将返回正常运行。 用户可对唤醒后哪个时钟域使用哪个时钟源进行编程。 通常情况下、对于唤醒时的 GCLK、HCLK 和 VCLK 域、使用高频振荡器是有意义的、这样可以尽量减少从打盹模式唤醒后、开始执行指令的时间。 如果在恢复正常运行后使用 PLL、由于 PLL 需要重新锁定、可能会出现更长的延迟。 在执行其它操作的同时、PLL 可以在从打盹模式中唤醒后重新锁定。 一旦 PLL 锁定、软件可以选择 PLL 作为时钟域的源。 如果需要一个中断、它可在打盹模式的 M3VIM 内被编程。