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[参考译文] AM263P4-Q1：PCB 堆叠设计

admin
Guru**** 2526070 points
Other Parts Discussed in Thread: LP-AM263P, AM263P4

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1422753/am263p4-q1-pcb-stack-up-design

器件型号：AM263P4-Q1
Thread 中讨论的其他器件：AM263P4、LP-AM263P

工具与软件：

团队成员、您好！
在我们即将到来的项目中、我们将使用  采用闪存封装的 AM263P4 Sitara 微控制器 、并将参考  PROC159E2 EVM 板来 进行堆叠设计。

PROC159E2 EVM PCB 堆叠设计有10层 、但我们希望 为我们的项目将其减少到8L。  您是否有任何限制 或指导原则 来确认这一点？  
谢谢、此致、
Amit Teke
  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit、您好！

    您以前是否查看过我们的硬件设计指南文档？ 这是我们拥有的最好的资源： https://www.ti.com/lit/pdf/sprabj8

    任何限制都将在其中突出显示。

    如果您有具体问题、请我们的硬件专家之一发表评论。

    此致、

    Ralph Jacobi

  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit、您好！

    补充 Ralph 的上述内容、请查看 Ralph 在上文指出的硬件设计指南。

    我们的大多数 EVM (如  PROC159E2)都旨在在同一电路板上演示多个外设、以便于评估。 为此、使用了很多板载多路复用器和多路信号分离器。 首先是开始规划使用 SysConfig 的外设、 然后根据用例删除这些未使用的多路复用外设。 这将大大降低电路板的复杂性、尤其是扇出。 关于 PROC159E2、我可以想到以下几点

    1. 由于您将 AM263P4与封装内闪存型号一起使用、因此您不需要 OSPI 和 QSPI 外设及其多路复用器。 这对扇出非常有帮助。
    2. 如果您的应用不使用  PROC159E2的 HSEC 连接器、则会大大降低布线复杂性。
    3. 根据用例、可能不需要为 I2C、UART、JTAG、ICSS 使用多个多路复用器。 然后、大部分用于 HSEC 边缘连接器。
    4. 并非在所有用例中都需要 GPIO 扩展器、因为上述更改会释放一些 GPIO
    5. 可能不会使用所有 ADC 及其多路复用器。

    以上几项或所有项应该可以帮助您减少电路板的层数。

    谢谢！
    Tejas Kulakarni

  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    尊敬的 Ralph 和 Tejas：

    感谢您的以上建议。

    我查看了硬件设计指南文档、但它更侧重于 AM263Px Launchpad 的 EVM 和 AM263Px 控制卡。 这是一个6层电路板、具有 PTH 和 PTH 过孔焊盘技术。

    在本例中、我们所指的是 PROC159E2  测量。 这是一个采用 PTH 技术的10层电路板。 我认为它有一个单独的硬件设计指南文档、因为它有不同的堆叠去耦电容器等

    是不是可以共享 AM263Px Launchpad 的 EVM 和 AM263Px 控制卡 PCB 供参考的设计文件？

    谢谢、此致、
    Amit Teke

  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit、您好！

    当然、这些托管在我们的器件工具页面上。

    可以从以下位置下载 LP-AM263P 设计文件： https://www.ti.com/lit/zip/sprr503

    可从以下位置下载 AM263P controlCARD (PROC159A)文件： https://www.ti.com/lit/zip/sprr492

    请注意、PROC159E2是预量产版本、而 PROC159A 是量产版本、这就是 E2与 A 的命名规则存在差异的原因。

    此致、

    Ralph Jacobi

  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    您好、Ralph、

    感谢您分享更新的设计文件。

    是否必须 按照下图使用 PTH 过孔垫技术？ 也可以 在 BGA 下使用0402去耦电容器？

  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit  

      使用 AM26x 器件设计 PCB 系统时、上述两项都不必是强制性的。 不过、事实是这样的  强烈建议  以遵循硬件设计指南文档中概述的内容。 本文档反映了在 TI 评估板上已实施并经实践证明能够正常运行的功能。 根据 TI 的建议、您将承担 AM26x 器件在 PCB 系统上运行不当的风险。

    此致、

    Brennan

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    尊敬的 Brennan：

    感谢您的确认...！
    中)  AM263Px LaunchPad -PROC171E2A  然而  AM263x 和 AM263Px controlCARD - 即 PROC159A  建议在焊盘中使用 PTH 和 PTH 过孔。 我们只是希望同样得到确认。

    另请确认是否可以 在 BGA 下使用0402去耦电容器？

    谢谢、此致、
    Amit Teke

  • 0
    TI__Guru**** 2526070 points
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    嗨、Amit、

    根据不同的应用和布线需求、不同的电路板中使用不同的焊盘中的 PTH 和 PTH 过孔型号。  可以根据应用需求使用焊盘中的 PTH 或 PTH 过孔。 密度较高的应用可以 在焊盘中使用 PTH 过孔、密度较低的应用可以使用普通 PTH。    有关我们的 EVM、www.ti.com/.../sprabj8b.pdf 的第11节 VIAS 中也进行了相同的解释。

    [报价 userid="620816" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1422753/am263p4-q1-pcb-stack-up-design/5458821 #5458821"]可 在 BGA 下使用0402去耦电容器[/QUOT]

    根据我们 EVM 中使用的过孔尺寸、将0402去耦电容器放置在 BGA 下方(顶层为 BGA、底层为 decap)是不可行的。 我们依赖于在 BGA 下使用0201去耦电容器。

    谢谢！
    Tejas Kulakarni

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    尊敬的 Tejas：

    感谢您的确认...！
    我指的是 AM263x 和 AM263Px controlCARD -  PROC159A EVM 设计的器件、我有以下几个问题
    1) 1) 此电路板中使用的过孔类型？  类型 VII？
    2) 2)该 VIP 是否仅用于去耦电容器、因为大多数 BGA 焊盘都是扇出的？

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit、您好！

    [quote userid="620816" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1422753/am263p4-q1-pcb-stack-up-design/5461353 #5461353(2001) 1) 此主板中使用哪种类型的通路？  类型 VII？

    使用了多种类型的过孔。 但是、如果您对树脂填充和电容镀通孔感兴趣、这里使用的是 IPC 4761、属于 VII 型过孔。 更多详细信息、请参阅  TMDSCNCD263P 设计文件中 PROC159A_FAB.pdf 中的制造注释17。

    我们将通过用于扇出的过孔返回给您。

    谢谢！
    Tejas Kulakarni

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    尊敬的 Tejas：

    感谢您的确认...！
    在对 中的 VIA 进行更新后、请告知我  AM263x 和 AM263Px controlCARD -  PROC159A EVM

    谢谢、此致、
    Amit Teke

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit、您好！

    焊盘中的过孔结构用于 AM263Px 控制卡 EVM 上带有散热焊盘(例如 U84、U85等)的某些 IC。

    对于 AM263/Px BGA 扇出本身、不使用焊盘中的过孔。

    此致、

    Brennan

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    尊敬的 Brennan：

    Unknown 说：
    对于 AM263/Px BGA 扇出本身、未使用焊盘中的过孔。

    与  https://www.ti.com/lit/an/sprabj8b/sprabj8b.pdf 的第11节 VIAS 中提供的 有关 EVM 的建议相比、您的上述注释不一致。  
    "AM263x controlCARD 使用焊盘中的过孔和 PTH 过孔结构。 焊盘中的过孔结构用于提供与 BGA 之间的最小去耦电容器安装距离。 这产生了更优化的配电网络、但代价是每个 PCB 需要额外的制造周期时间。"

    关于 U84和 U85、这些 IC 下使用的过孔看起来很像正常的散热过 孔、而不是焊盘中的过孔结构。

    请检查并确认  在焊盘中使用过孔  AM263x 和 AM263Px controlCARD -  PROC159A EVM。

    谢谢、此致、
    Amit Teke

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit

    正确、硬件设计指南文档不正确、将针对下一修订版进行更新。

    散热焊盘上的过孔在技术上属于焊盘内过孔结构、但不属于树脂填充和电容器镀层结构。

    此致、

    Brennan

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    尊敬的 Brennan：

    感谢您的确认...！

    这意味着在的焊盘结构中不需要过孔 AM263Px  BGATM

    谢谢、此致、
    Amit Teke

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    Amit

    正确、AM263Px BGA 下无需焊盘中的过孔。 如果您愿意、当然可以这样做、但这不是设计要求。

    此致、

    Brennan

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    尊敬的 Brennan：

    感谢您的确认...！

    谢谢、此致、
    Amit Teke

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    团队成员、您好！

    我再次打开该主题、因为我有其他几个问题、

     中附加2个 GND 层(L4和 L7)的确切用途是什么  AM263x 和 AM263Px controlCARD -  PROC159A EVM ？
    这是为了 EMI/EMC 目的还是在两个 GND 平面之间布线高速迹线？

    谢谢、此致、
    Amit Teke

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    Amit

    由于这是一个新问题、请创建一个新问题。

    此致、

    Brennan

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    尊敬的 Brennan：

    以上问题仅与 PCB 堆叠相关(线程标题)并与我们之前的问答相关、因此我在同一主题中提出了此问题。
    如果您仍认为需要启动新主题、请告诉我、我将启动新主题。

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    Amit

    原始海报解决了某个主题后、最好开始一个新主题以实现组织目的。

    为了方便起见、我在此作答、但仅供将来参考  

    L4和 L7 GND 层用于提升电源完整性和 EMI、因为电源在 L5和 L6上布线。 高速布线布置在 L3和 L8上、位于相应的 GND 平面 L2和 L9之间。

    此致、

    Brennan

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    尊敬的 Brennan：

    从今以后、我会记住您的建议、然后再关闭该主题。 请耐心等待我回答此主题。

    是否使用 L4和 L7 GND 层实现电源完整性和 EMI  AM263Px controlCARD 以及中的管理方式  AM263Px LaunchPad TI GaN 器件？

    谢谢、此致、
    Amit Teke

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    TI__Guru**** 2526070 points
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    Amit

    AM26x LaunchPad 是适用于 AM26x 器件的低成本评估平台。 它们比控制卡更优化、可降低成本、并为设计人员提供了一种价格低廉的 AM26x PCB 解决方案、以用于其系统基础。 与控制卡相比、LaunchPad 的硬件/外部接口较少、这会影响需要布线的信号数量、从而影响 PCB 层数。

    在 LaunchPad 上、高速信号在第3层上布线。 大部分电力路由到第4层。 第5层是 L4电源的 GND、而第2层是 L3信号布线的 GND。

    此致、

    Brennan

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    尊敬的 Brennan：

    感谢您的澄清。。。。

    谢谢、此致、
    Amit Teke