[参考译文] MSPM0C1104：我可以##39；t 连接到开发板或为其闪存

尊敬的 Rafael：

您正在尝试在 MSPM0C1306 Launchpad 上刷写代码、对吗？  您是否对存储器的 NONMAIN 部分进行了任何更改？  您正在使用哪种低功耗模式(策略)？

您好、Dennnis、

是的、完全正确、我正在尝试对 LaunchPad 进行编程。
关于写入 NONMAIN、我无法确定是否写入、因为我已经在测试写入闪存的示例代码、并且我一直在测试闪存不同扇区的各种地址、但我不知道是否有关键写入区。
对于低电平模式策略、我使用了随 standby0示例配置的策略。

谢谢你。

尊敬的 Rafael：

不需要、要访问 NONMAIN、您必须通过 SysConfig 显式进行任何更改、因此无需担心写入闪存中的位置。

您使用了 SDK 中的一个示例代码项目。  您是否对代码进行了任何更改、如禁用 SWD 引脚或将 NSRT 引脚功能转换为 GPIO？  您是否能够对 Launchpad 进行至少一次编程(首次编程)？

尊敬的 Dennis：

我使用了 MSMP0C-SDK 示例代码来写入闪存。 正如我说过的、如果由于某种原因该值位于属于 NONMAIN 的该范围内、我将写入地址更改为一些随机值、这是否就是问题？

就对 SysConfig 进行的更改而言、我尚未对 GPIO 进行任何更改。

谢谢你。

尊敬的 Rafael：

我弄错了。  我复查了、显然可以从应用修改 NONMAIN。  遗憾的是、这样做会有效地将器件永久锁定。

因此、在您的应用中、您不确定您也写入了哪个地址、对吗？  如果您保持在闪存边界0x0000 - 0xFFFF 内、应该不会有任何问题。

我已经联系了我们的软件工具团队以获得更多意见/帮助。  

感谢 Dennis 的帮助、

我在该范围之外进行了计数检测、所以我可能在 NONMAIN 扇区中写入、在本例中、我锁定了 MCU、但是这个锁定会是不可逆的。

此致、