工具/软件：
你(们)好
设计了符合以下规格的原理图。
您能回顾一下原理图吗？
Fsw = 768kHz
e2e.ti.com/.../TAS5805M_5F00_schematics_5F00_20250428.pdf
谢谢
您好：
感谢您的联系。
总的来说、所有元件的布线看起来都很好、但我建议更改一些元件值。
-自举电容应为0.22 μ F
-在输出 LC 滤波器上使用0.68uF 电容器
-为了在电源(PVDD)上进行适当的高频去耦,我会使用1 μ F 和/或.1 μ F 而不是104 pF 或226 pF
-在 AVDD 和 VR_VDD 上、我会使用1uF 电容器
- ADR 应根据下表具有上拉电阻 
- PDN 应该有一个上拉电阻器
此致、
Sydney Northcutt
你(们)好
感谢您的支持。
我还有一个问题。
为了在电源(PVDD)上进行适当的高频去耦 、我应使用1uF 和/或.1 uF、而不是104 pF 或226 pF
=>即使查看数据表、也建议使用22uF。 请再次检查。
谢谢
您好：
请参阅数据表中的以下摘录：
如果您可以使用推荐的0.1 μ F、22 μ F 和390 μ F 电容、这非常理想。
此致、
Sydney Northcutt
你(们)好
感谢您的答复。
我还有一个问题。
哪一个在音频质量方面更有利、即输出滤波器使用4.7uH + 0.68uF 或10uH + 0.68uH？
谢谢
