嘿 Hopper、
当 PVDD=5V 时、TAS2563没有问题。 PVDD 范围为 VBAT 至最低13V、具体取决于使用的是 YBG 还是 QFN 封装。 从 DS 中查看此说明：
DS 不提供任何显式的热数据性能特性图 、并且 IC 在 PVDD=5V 时不会出现任何问题。 请记住、若 PVDD 为5V、VBAT 必须为5V 或更低。 上图显示了 VBAT 范围以及 PVDD 如何取决于 VBAT 的范围。
TAS2563整体热性能良好。 第25页到第26页的 I-V 检测图显示、TAS2563在读取该数据时保持约1%线性度。 无需担心 PVDD=5V 时的热性能。
此致、
Ore.
嘿 Hopper、
我能够生成功率效率图来展示 PVDD=5V 时的性能。
VBAT = 3.8V、PVDD = 5V、IOVDD = 1.8V、VDD = 1.8V、RL = 8 Ω。
我想提一下、8 Ω 负载上的 PVDD=5V 会生成 Vrmv=3.535V 和 Pout=1.562W。 这些是理想条件下的测量值。
如前所述、DS 没有5V 时的 PVDD 图、但可以认为性能介于2.5V 和8.4V 之间。 如果您注意到性能趋势、效率会随着 PVDD 电压的降低而提高。 对于4 Ω 负载图、假设相同。
这是使用 PVDD=5V 得到的 THDN 与 Pout 扫描结果。 根据 DS 中呈现的趋势、该性能也在2.5V 至8.4V 之间的曲线预期范围内。
这些测试均不由 DS 指定、但如果您遵循从低 PVDD 到高 PVDD 的趋势、我提供的这些图遵循趋势。
这应该能够澄清外部网站没有任何问题 PVDD 为5V。 不过、在非旁路模式下仍可实现 PVDD=5V、在此模式下、会启用升压以提供输出所需的电压。
请随时分享您的终端设备。 我会认为该主题已解决。
此致、
Ore.
