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TAS2563数据表中有效性与输出功率间的关系和 THD + N 与输出功率间的关系的两条曲线如下所示:
请提供 PVDD=5V 的曲线图。 如果没有、您能否以2W 的功率提供 PVDD=5V 的效率和 THD + N?
2. 我们想确认 TAS2563的热升压是否有任何问题。 我们的参考是否有6.1W 或5W 的实际热测试数据?
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嘿 Hopper、
当 PVDD=5V 时、DS 不提供上述两种规格。 DS 中还没有效率与 THDN 的关系图。 您可能感兴趣的是 THDN 与频率的关系图?
您似乎希望在 PVDD=5V 时看到这两个绘图类别。
TAS2563具有升压功能。 此功能提高了输出端子的音量、与热量无关。 对于一般而言的升压或 TAS2563、您关心的热性能是多少? 这是不清楚的... 您是否关心热性能?
此致、
Ore.
TAS2563具有升压功能。 此功能提高了输出端子的音量、与热量无关。 对于一般而言的升压或 TAS2563、您关心的热性能是多少? 这是不清楚的... 您是否关心热性能?
是的,我们需要确认,如果 PVDD=5V 不是任何问题.
TAS2563具有升压功能。 此功能提高了输出端子的音量、与热量无关。 对于一般而言的升压或 TAS2563、您关心的热性能是多少? 这是不清楚的... 您是否关心热性能?
HOPER->是的、我们担心散热问题、这就是为什么我们作为您是否有 6.1W 或5W 的实际散热测试数据。
嘿 Hopper、
当 PVDD=5V 时、TAS2563没有问题。 PVDD 范围为 VBAT 至最低13V、具体取决于使用的是 YBG 还是 QFN 封装。 从 DS 中查看此说明:
DS 不提供任何显式的热数据性能特性图 、并且 IC 在 PVDD=5V 时不会出现任何问题。 请记住、若 PVDD 为5V、VBAT 必须为5V 或更低。 上图显示了 VBAT 范围以及 PVDD 如何取决于 VBAT 的范围。
TAS2563整体热性能良好。 第25页到第26页的 I-V 检测图显示、TAS2563在读取该数据时保持约1%线性度。 无需担心 PVDD=5V 时的热性能。
此致、
Ore.
1.当 PVDD=5V 时、TAS2563没有问题。 PVDD 范围为 VBAT 至最低13V、具体取决于使用的是 YBG 还是 QFN 封装。 从 DS 中查看此说明:
根据客户的回复,我们希望使用外部升压来驱动扬声器,这就是为什么我们需要 您的 帮助来提供效率和 THD + N 在2W 时 PVDD=5V,请您确认?
2. DS 未提供任何显式的热数据性能特征图 , IC 在 PVDD=5V 时不会出现任何问题。 请记住、若 PVDD 为5V、VBAT 必须为5V 或更低。 上图显示了 VBAT 范围以及 PVDD 如何取决于 VBAT 的范围。
TAS2563整体热性能良好。 第25页到第26页的 I-V 检测图显示、TAS2563在读取该数据时保持约1%线性度。 无需担心 PVDD=5V 时的热性能。
HOPER->我们准备好使用外部升压驱动扬声器、如果 TI 有外部升压 PVDD=5V 的实际测试数据要好得多、能否请您帮助确认是否有任何问题。
嘿 Hopper、
我能够生成功率效率图来展示 PVDD=5V 时的性能。
VBAT = 3.8V、PVDD = 5V、IOVDD = 1.8V、VDD = 1.8V、RL = 8 Ω。
我想提一下、8 Ω 负载上的 PVDD=5V 会生成 Vrmv=3.535V 和 Pout=1.562W。 这些是理想条件下的测量值。
如前所述、DS 没有5V 时的 PVDD 图、但可以认为性能介于2.5V 和8.4V 之间。 如果您注意到性能趋势、效率会随着 PVDD 电压的降低而提高。 对于4 Ω 负载图、假设相同。
这是使用 PVDD=5V 得到的 THDN 与 Pout 扫描结果。 根据 DS 中呈现的趋势、该性能也在2.5V 至8.4V 之间的曲线预期范围内。
这些测试均不由 DS 指定、但如果您遵循从低 PVDD 到高 PVDD 的趋势、我提供的这些图遵循趋势。
这应该能够澄清外部网站没有任何问题 PVDD 为5V。 不过、在非旁路模式下仍可实现 PVDD=5V、在此模式下、会启用升压以提供输出所需的电压。
请随时分享您的终端设备。 我会认为该主题已解决。
此致、
Ore.
嘿 Hopper、
感谢您的耐心。 对 TAS2563使用旁路模式时、应注意的一个非常重要的应用是 SW 引脚上所需的硬件配置以及使此模式在器件中完全正常工作而不会导致问题所需的 i2c 写入。 有关配置和 i2c 写入的更多信息、请查看此链接:
请与我们分享您的 tas2563最终应用程序?
此致、
Ore.