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器件型号： TAS6584Q1EVM
尊敬的 团队：
我的客户测试了 TAS6584Q1 EVM、发现它无法达到 200W 4 Ω、当功率超过 100W 时、出现异常问题（是否受到保护） 请参阅随附的视频。 我们检查了 OV 和 OC、但这里没有设置错误位。
器件型号： TAS6584Q1EVM
尊敬的 团队：
我的客户测试了 TAS6584Q1 EVM、发现它无法达到 200W 4 Ω、当功率超过 100W 时、出现异常问题（是否受到保护） 请参阅随附的视频。 我们检查了 OV 和 OC、但这里没有设置错误位。
尊敬的 Thomas：
您能否确认使用的 PVDD？
故障可能是以下任一原因：
您还可以检查其他故障寄存器吗？ 尤其是寄存器 0x8B、0x81。
Elise
尊敬的 Elise：
我们可以在禁用 CBC 故障和 CBC 警告后输出单通道 200W @ 4 Ω
但两个通道仍然无法输出 200W@40hm、 以下是 RTLDG capture、尽管没有捕获的过热事件寄存器（__LW_AT__0x87 和 0x88，但我已要求他们捕获更多内容）。 但根据 PPC 的说法,有 OTW。
0x80>01000000
0x81>01000000
0x90>10100010
0x92>00000110
0x94>00000000
0x8D>00000000
0x8E>00000000
0x8B>00000000
0x8A>00000001
双通道问题观察结果为：
当输入电 压在双通道运行模式下使输出功率超过 100W@4 Ω 时、THD 跳转到超过 1%、并且在输入电压值增加时增益降低、PPC3 显示 OTW 警告。
有什么建议吗？ 这是否是由过热问题引起的、您以前是否在 EVM 中测试过双通道输出？
当输入幅度超过4R 100W后 Ω、）继续增加输入幅度、增益会自动降低 Ω、输出功率无法增加 Ω、并2个通道的输出功率相差很大 Ω、PPC3显示OTW警告 Ω、THD会跳动非常厉害（超过1 Ω
您好：Thomas
您是否有关于客户测试结果的一些波形？ 我想说明他们如何发现输出功率为 100W？
如果他们查看 AP 的测试结果、他们是否将参考负载值更改为 4 欧姆？ 默认值为 8 欧姆、可能会得到您所描述的结果。
